多接合型太阳能电池制造技术

本实施方式提供一种转换效率高的多接合型太阳能电池。本实施方式的多接合型太阳能电池，具有：第1太阳能电池，所述第1太阳能电池具有第1光电转换元件；第2太阳能电池，所述第2太阳能电池将多个第2光电转换元件串联连接，并为背接触；绝缘层，所述绝缘层存在于第1太阳能电池与第2太阳能电池之间，在串联连接了的第2光电转换元件间具有元件分离区域。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本实施方式提供一种转换效率高的多接合型太阳能电池。本实施方式的多接合型太阳能电池，具有：第1太阳能电池，所述第1太阳能电池具有第1光电转换元件；第2太阳能电池，所述第2太阳能电池将多个第2光电转换元件串联连接，并为背接触；绝缘层，所述绝缘层存在于第1太阳能电池与第2太阳能电池之间，在串联连接了的第2光电转换元件间具有元件分离区域。【专利说明】多接合型太阳能电池
本专利技术的实施方式涉及多接合型太阳能电池。
技术介绍
作为高效率的太阳能电池有多接合型（串联，tandem)太阳能电池。虽然与单接 合相比可期待高效率，但在各层被吸收的光子数存在差异时电流值出现差异从而转换效率 被限制在最低的层。该情况只要是串联地接合就不可避免。另一方面虽然如果通过从各层 取出端子可W避免，但变得需要多个整流器等。 在先技术文献 专利文献1:日本特开2012-195416号公报
技术实现思路
实施方式提供一种转换效率高的多接合型的太阳能电池。 实施方式的多接合型太阳能电池，具有：第1太阳能电池，其具有第1光电转换元 件；第2太阳能电池，其将多个第2光电转换元件串联连接并为背接触化ack contact);和 绝缘层，其存在于第1太阳能电池与第2太阳能电池之间，在串联连接了的第2光电转换元 件间具有元件分离区域。 【专利附图】【附图说明】 图1是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图2是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图3是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图4是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图5是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图6是实施方式的多接合型太阳能电池的概念图。 图7是实施例的多接合型太阳能电池的背接触的概念图。 图8是实施例的多接合型太阳能电池的背接触的概念图。 图9是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 图10是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 图11是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 [001引图12是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 图13是比较例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 图14是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 图15是实施例的多接合型太阳能电池的概念图与电路。 附图标记说明 [002引 A…第1太阳能电池、B…第2太阳能电池B…绝缘层、100A?C…光电转换元件、 101…下部电极、102…光电转换层、103…上部电极、104…防反射膜、200A?F…第2光电转 换兀件、201…娃层、202…P+区域、203…n+区域、204…P电极、205…n电极、206…布线部、 207…元件分离区域、301…青板玻璃、302…丙帰酸树脂接着层 【具体实施方式】 W下，一边参照附图，一边对于本专利技术的一优选实施方式详细地说明。实施方式的 多接合型太阳能电池如图1所示，具有第1太阳能电池A、绝缘层C、和第2太阳能电池B。 绝缘层C存在于第1太阳能电池A与第2太阳能电池B之间。实施方式中，是2接合的太 阳能电池，但也可W是3接合W上的太阳能电池。第1太阳能电池A与第2太阳能电池B 被并联连接。 第1太阳能电池包含1个W上的第1光电转换元件100。第1太阳能电池A成为 多接合型太阳能电池的顶部单元（top cell)。图1中，多个第1太阳能电池A的光电转换 元件用100AU00B和100C表示。图1中，是3个光电转换元件100A?C被串联连接的形 态，但元件的数量根据设计而定。第1太阳能电池A的光电转换元件100A?C，在绝缘层C 上具有下部电极101、在下部电极101上具有光电转换层102、在光电转换层102上具有上 部电极103、并在上部电极103上具有防反射膜104。 [002引（下部电极） 实施方式的下部电极101是光电转换元件100A?C的电极，是在绝缘层C上形 成的导电性膜。在绝缘层C上一体地形成的导电性膜，例如通过划线器（scribe),被分割 为与光电转换元件的元件数相应的下部电极101。作为下部电极101，可W使用具有导电 性和透光性的膜。其中，下部电极101优选作为透明导电膜的IT0(氧化钢锡（(In, Sn)0。、 1兰a兰3) :Indium Tin Oxide)膜。下部电极101的膜厚例如为lOOnm W上lOOOnm W 下。下部电极101与相邻的上部电极103连接。光电转换元件lOOA的上部电极103与光 电转换元件100B的下部电极101连接，光电转换元件B的上部电极103与光电转换元件 100C的下部电极101连接。通过该些下部电极101与上部电极103的连接，3个光电转换 元件100被串联连接。在没有串联连接的情况下，不将它们连接。在并联连接的情况下，将 所希望的下部电极101彼此连接，并将所希望的上部电极103彼此连接即可。 [002引（光电转换层） 实施方式的光电转换层102,是P型化合物半导体层与n型化合物半导体层同型 接合了的化合物半导体层、或P型化合物半导体层与n型缓冲层异型接合了的化合物半导 体层。在下部电极101上一体地形成的光电转换层，通过划线器，被分割为与光电转换元件 的元件数相应的光电转换层102。该光电转换层102通过化合物半导体将光转换为电。P 型化合物半导体层是处于光电转换层102之内、下部电极101侧的区域的层。n型化合物 半导体层和n型缓冲层是处于光电转换层102之内、上部电极103侧的区域的层。可W将 包含I族元素、III族元素与VI族元素的、例如化(In, Al，Ga) (Se，巧2( W下根据需要称为 「CIG引）、CuInTes ( W下根据需要称为「CIT」）该样的黄铜矿（chalcopyrite)化合物作为 化合物半导体，用于光电转换层102。在黄铜矿化合物W外，黄锡矿（Stannite)化合物和锋 黄锡矿化esterite)化合物也可W作为光电转换层102的化合物半导体使用。另外，在该些 W外，可W将与第2太阳能电池B的光电转换层相比带隙宽的化合物半导体层用于第1光 电转换元件100的光电转换层102。作为n型缓冲层，可w适宜用Cds等。若将光电转换层 102的化合物用化学式表示，则可举出Cu(Al,In脚(SySezTei了,)2、化22〇5〇6押1_山等。 W、X、y和Z分别满足0兰W兰1、0兰X兰1、0兰y兰1、0兰Z兰1、W+X兰1和y+z兰1。 光电转换层102的组成可W利用感应禪合等离子体（ICP:Inductively Coupled Plasma) 质谱分析来测定。 光电转换层102的膜厚，例如为1000皿W上3000皿W下。该之中，P型化合物半 导体层的膜厚优选为lOOOnm W上2500nm W下。另外，n型化合物半导体层和n型缓冲层的 膜厚优选为lOnmW上SOOnmW下。作为I族元素，优选为化。作为m族元素，优选为选 自A1、In和Ga中的至少一种W上的元素，更优选含有A1。作为VI族元素，优选为选自0、 S、Se和Te中的至少一种W上的元素，更优选含有Se。另外，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多接合型太阳能电池，具有：第1太阳能电池，其具有第1光电转换元件；第2太阳能电池，其将多个第2光电转换元件串联连接，并为背接触；绝缘层，其存在于所述第1太阳能电池与所述第2太阳能电池之间，在所述串联连接了的第2光电转换元件间具有元件分离区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：芝崎聪一郎，山本和重，平贺广贵，中川直之，山崎六月，樱田新哉，稻叶道彦，齐藤仁美，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP