太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池模块技术

本发明专利技术提供的太阳能电池元件，其具有：具有受光面、与上述受光面相反侧的背面及侧面的半导体基板；配置于上述受光面上的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面、上述背面及侧面中的至少一个面上且含有选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的至少1种化合物的钝化层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供的太阳能电池元件，其具有：具有受光面、与上述受光面相反侧的背面及侧面的半导体基板；配置于上述受光面上的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面、上述背面及侧面中的至少一个面上且含有选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的至少1种化合物的钝化层。【专利说明】太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电 池模块
本专利技术涉及太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池模块。
技术介绍
对以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。 首先，为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面侧形成有纹理结构的P 型硅基板，接着，在氧氯化磷（POCl3)、氮气及氧气的混合气体气氛中在800°C?900°C下进 行数十分钟的处理，均匀地形成η型扩散层。在该以往的方法中，由于使用混合气体进行磷 的扩散，因此不仅在受光面即表面形成η型扩散层，而且在侧面及背面也形成η型扩散层。 因此，为了除去形成于侧面的η型扩散层而需要进行侧蚀刻。此外，形成于背面的η型扩散 层需要变换为P +型扩散层。因此，在整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面、与所述受光面相反侧的背面及侧面的半导体基板；配置于所述受光面上的受光面电极；配置于所述背面上的背面电极；和配置于所述受光面、所述背面及所述侧面中的至少一个面上且含有选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的至少1种化合物的钝化层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：织田明博，吉田诚人，野尻刚，仓田靖，田中彻，足立修一郎，早坂刚，服部孝司，松村三江子，渡边敬司，森下真年，滨村浩孝，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP