钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板制造技术

在具有硅基板的太阳能电池元件中使用的钝化膜的构成为：包含氧化铝和氧化铌。另外，太阳能电池元件具备：由单晶硅或多晶硅形成的p型的硅基板1；在硅基板1的受光面侧形成的n型的杂质的扩散层2；在扩散层2的表面形成的第1电极5；在硅基板1的背面侧形成的第2电极6；和在硅基板1的背面侧的表面形成并具有多个开口部OA的包含氧化铝和氧化铌的钝化膜7；第2电极6按照通过多个开口部OA而与硅基板1的背面侧的表面形成电连接的方式构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板
本专利技术涉及钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板。
技术介绍
太阳能电池元件是将太阳能转换为电能的光电转换元件，作为无公害且可无限再生的能源之一，今后期待进一步得到普及。太阳能电池元件通常包括p型半导体及n型半导体，通过吸收太阳能而在半导体的内部生成电子-空穴对。此处，所生成的电子向n型半导体移动，空穴(hole)向p型半导体移动，它们在电极被收集，从而能够在外部利用电能。另一方面，在太阳能电池元件中，为了将太阳能尽可能多地转换、输出为电能，提高效率很重要。为了提高这种太阳能电池元件的效率，在半导体的内部生成尽可能多的电子-空穴对很重要。除此之外，抑制所生成的电荷的损失并将其取出至外部也很重要。电荷的损失是由于各种原因所产生的。特别是，通过所生成的电子及空穴再结合，发生电荷消失，从而会产生电荷的损失。在目前成为主流的硅太阳能电池元件中，如图1所示，使用具有被称为纹理的用于防止反射的金字塔结构部(省略图示)的p型的硅基板11，在受光面形成了n层12，在背面形成了p+层14。进而，在受光面侧具有作为受光面钝化膜的氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钝化膜，其包含氧化铝和氧化铌，该钝化膜被用于具有硅基板的太阳能电池元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.19 JP 2012-1603361.一种钝化膜，其包含氧化铝和氧化铌，该钝化膜被用于具有硅基板的太阳能电池元件，所述氧化铌与所述氧化铝的质量比即氧化铌/氧化铝为30/70～90/10。2.根据权利要求1所述的钝化膜，其中，所述氧化铌及所述氧化铝的总含量为90质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的钝化膜，其进一步包含有机成分。4.根据权利要求1或2所述的钝化膜，其为包含氧化铝前体及氧化铌前体的涂布型材料的热处理物。5.一种涂布型材料，其包含氧化铝前体及氧化铌前体，该涂布型材料被用于权利要求1～4中任一项所述的具有硅基板的太阳能电池元件的钝化膜的形成。6.一种太阳能电池元件，其具备：由单晶硅或多晶硅形成并具有受光面及所述受光面的相反侧的背面的p型的硅基板；在所述硅基板的受光面侧形成的n型的杂质扩散层；在所述硅基板的受光面侧的所述n型的杂质扩散层的表面形成的第1电极；在所述硅基板的背面侧的表面形成并具有多个开口部的包含氧化铝和氧化铌的钝化膜；和通过所述多个开口部而与所述硅基板的背面侧的表面形成了电连接的第2电极，所述钝化膜中的所述氧化铌与所述氧化铝的质量比即氧化铌/氧化铝为30/70～90/10。7.一种太阳能电池元件，其具备：由单晶硅或多晶硅形成并具有受光面及所述受光面的相反侧的背面的p型的硅基板；在所述硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部孝司，松村三江子，渡边敬司，森下真年，滨村浩孝，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP