【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及单晶炉的上炉体,包括上炉体本体,所述上炉体本体上、下两端分别设有上、下连接件,上炉体本体包括內炉体和外炉体,外炉体和內炉体之间形成有冷却腔体,所述內炉体的外壁上设有多个凸起,相邻凸起之间形成导流槽,外炉体的内壁上设有与导流槽相适应的栅板,栅板的一端固定在外炉体上,另一端延伸至导流槽内,外炉体的外壁上设有与冷却腔体相连的进水口和出水口。本专利技术具有使用寿命长,能够散热等特点。【专利说明】单晶炉的上炉体
本专利技术涉及单晶硅的生产制造设备
,特别涉及单晶炉的上炉体。
技术介绍
单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,目前被广泛应用于半导体器件以及太阳能电池的制造。单晶硅使用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的,在市场上有很广阔的前景。目前单晶硅的拉制装置为单晶炉,它是由上炉体、下炉室、上炉室、炉盖、翻板箱、副室六大部分组成,目前普遍采用的单晶炉的上炉体只有单层炉壁,由于在单晶炉的工作过程中长时间处于高温状态,会将上炉体烧坏,造成很大的损失。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术的目的是提供一种使用寿命长,能够散热的单晶炉的上炉体。 实现本专利技术的技术方案如下: 单晶炉的上炉体,包括上炉体本体,所述上炉体本体上、下两端分别设有上、下连接件,上炉体本体包括内炉体和外炉体,外炉体和内炉体之间形成有冷却腔体,所述内炉体的外壁上设有多个凸起,相邻凸起之间形成导流槽,外炉体的内壁上设有与导流槽相适应的栅板,栅板的一端固定在外炉体上,另一端延伸至导流槽内,外炉体的外壁上设有与冷却腔 ...
【技术保护点】
单晶炉的上炉体,包括上炉体本体,其特征在于:所述上炉体本体上、下两端分别设有上、下连接件,上炉体本体包括內炉体和外炉体,外炉体和內炉体之间形成有冷却腔体,所述內炉体的外壁上设有多个凸起,相邻凸起之间形成导流槽,外炉体的内壁上设有与导流槽相适应的栅板,栅板的一端固定在外炉体上,另一端延伸至导流槽内,外炉体的外壁上设有与冷却腔体相连的进水口和出水口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马海善,
申请(专利权)人:常州市海豪力智能装备科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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