内部电压发生电路和包括其的半导体器件制造技术

一种内部电压发生电路包括电压发生器和检测电压发生器。电压发生器产生电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号。检测电压发生器响应于温度参考电压信号而将分压参考电压信号和选择参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2013年9月12日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0109846的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。
本公开的实施例总体而言涉及半导体集成电路，更具体地涉及内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。
技术介绍
通常，半导体器件从外部设备接收电源电压VDD和接地电压VSS以产生用于操作构成每个半导体器件的内部电路的内部电压。用于操作半导体器件的内部电路的内部电压可以包括供应至包括存储器单元的核心区的核心电压VCORE、用于驱动或过驱动字线的升压电压VPP、以及供应至核心区中NMOS晶体管的体区（或衬底）的反偏电压VBB。核心电压VCORE可以是低于从外部系统供应的电源电压VDD的正电压。因而，可以通过将电源电压VDD降低至特定电平来产生核心电压VCORE。相反，升压电压VPP可以高于电源电压VDD，反偏电压VBB可以是低于接地电压VSS的负电压。因而，可能需要电荷泵电路来产生升压电压VPP和反偏电压VBB。
技术实现思路
各种实施例针对内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。根据一些实施例，一种内部电压发生电路包括电压发生器和检测电压发生器。电压发生器产生电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号。选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制。检测电压发生器响应于温度参考电压信号而将分压参考电压信号和选择参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。根据另外的实施例，一种内部电压发生电路包括比较驱动器和电平控制器。比较驱动器将选择参考电压信号与分压参考电压信号进行比较以控制检测电压信号的驱动。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号和第一测试模式信号来控制，分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。检测电压信号控制内部电压信号的泵浦操作。电平控制器响应于第二测试模式信号而将温度参考电压信号与分压参考电压信号进行比较，以控制驱动检测电压信号的选择参考电压信号的电平。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。根据另外的实施例，一种半导体器件包括控制电路和内部电压发生电路。控制电路产生第一测试模式信号、第二测试模式信号和电源电压。内部电压发生电路响应于电源电压而产生参考电压信号，产生从参考电压信号获得的温度参考电压信号、分压参考电压信号和选择参考电压信号。另外，内部电压发生电路响应于温度参考电压信号而将选择参考电压信号和分压参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号的电平和第一测试模式信号的电平来控制。附图说明结合附图和随附的具体描述，本专利技术的实施例将更加清楚，其中：图1是说明根据本公开的一个实施例的内部电压发生电路的框图；图2是说明图1的内部电压发生电路中包括的电压发生器的示意图；图3是说明图1的内部电压发生电路中包括的检测电压发生器的电路图；图4是说明图1中的内部电压发生电路的操作的图；以及图5是说明包括根据本专利技术的一个实施例的内部电压发生电路的半导体器件的框图。具体实施方式下文中将参照附图描述本专利技术的各种实施例。然而，本文描述的实施例仅出于说明的目的，并非意图限制本专利技术的范围。参见图1，根据本专利技术的一个实施例的内部电压发生电路可以包括：电压发生器1、检测电压发生器2和电压泵浦单元3。电压发生器1可以产生温度参考电压信号VREFT、分压参考电压信号VREFDIV和选择参考电压信号VREFSEL。温度参考电压信号VREFT的电平可以取决于内部电压发生电路或电压发生器的内部温度。分压参考电压信号VREFDIV的电平可以是与内部电压发生电路和/或电压发生器的内部温度无关的恒定值。选择参考电压信号VREFSEL可以响应于内部电压信号VBBW的电平而产生，并且选择参考电压信号VREFSEL的电平可以通过第一测试模式信号TM1<1:M>来减小。检测电压发生器2可以响应于第二测试模式信号TM2<1:2>而产生由温度参考电压信号VREFT、分压参考电压信号VREFDIV和选择参考电压信号VREFSEL来驱动的检测电压信号DET。检测电压发生器2可以根据内部电压发生电路、电压发生器1、检测电压发生器2或电压泵浦单元3的内部温度来检测内部电压信号VBBW的电平，以产生控制内部电压信号VBBW的驱动的检测电压信号DET。电压泵浦单元3可以响应于检测电压信号DET而泵浦内部电压信号VBBW。当检测电压信号DET被驱动至预定电平时，电压泵浦单元3可以被激活以泵浦内部电压信号VBBW，使得内部电压信号VBBW具有低于接地电压VSS的负电压。在一个实施例中，当检测电压信号DET被驱动成具有逻辑“高”电平时，电压泵浦单元3可以泵浦内部电压信号VBBW以降低内部电压信号VBBW的电平。参见图2，电压发生器1可以包括：参考电压发生器11、温度参考电压发生器12、分压参考电压发生器13和选择参考电压发生器14。参考电压发生器11可以响应于加电信号PWRUP而从加电时段终止的时刻起产生参考电压信号VREF。参考电压信号VREF可以通过节点nd11输出。加电时段可以对应于在电源电压VDD施加至半导体器件之后电源电压VDD达到预定电平所花费的时间段。加电信号PWRUP的电平可以在加电时段终止的时刻改变。温度参考电压发生器12可以包括电阻元件R11、R12和R13以及NMOS晶体管N11，并且电阻元件R11和R12的电平可以根据电压发生器的内部温度而变化。电阻元件R11和R12可以串联耦接在节点nd11和节点nd12之间。另外，电阻元件R13和NMOS晶体管N11可以串联耦接在节点nd12和接地电压VSS端子之间。电阻元件R12可以利用可变电阻器来实现。NMOS晶体管N11的漏极和栅极可以彼此电耦接。节点nd13可以与电阻元件R13的一个端部以及NMOS晶体管N11的漏极和栅极耦接。因而，NMOS晶体管N11可以充当二极管，并且可以作用为电阻值随温度升高而线性降低的温度敏感元件。温度参考电压发生器12可以按电阻元件R11和R12的总电阻值与电阻元件R13和NMOS晶体管N11的总电阻值的比率来将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内部电压发生电路，所述电路包括：电压发生器，适用于产生：电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与所述内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号，所述选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制；以及检测电压发生器，适用于响应于所述温度参考电压信号而将所述分压参考电压信号和所述选择参考电压信号进行比较，以产生控制所述内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

【技术特征摘要】
2013.09.12 KR 10-2013-01098461.一种内部电压发生电路，所述电路包括：
电压发生器，适用于产生：电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与所
述内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获
得的选择参考电压信号，所述选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制；
以及
检测电压发生器，适用于响应于所述温度参考电压信号而将所述分压参考电压信号
和所述选择参考电压信号进行比较，以产生控制所述内部电压信号的泵浦操作的检测电
压信号。
2.根据权利要求1所述的电路，
其中，所述电压发生器包括温度参考电压发生器；以及
其中，所述温度参考电压发生器适用于包括电阻值根据所述内部温度而变化的温度
敏感元件，以及适用于将参考电压信号的电平分压以产生所述温度参考电压信号。
3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述电压发生器还包括分压参考电压发生器，
所述分压参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生所述分压参考电
压信号。
4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述电压发生器还包括选择参考电压发生器，
所述选择参考电压发生器适用于将所述参考电压信号的电平分压以产生多个分压信号，
以及适用于响应于所述第一测试模式信号而输出所述分压信号中的一个作为所述选择参
考电压信号。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR