【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及聚乙烯共聚物的制备、由它们制成的薄膜以及聚乙烯聚合法。使用膦 亚胺类型的催化剂制造具有相对较高的熔体流动比(121/12)和多峰TREF曲线的乙烯共聚 物。该乙烯共聚物具有35重量%至70重量%的组成分布宽度指数⑶BI5tl并可制成具有良 好的物理性质、同时表现出增强的可加工性的薄膜。
技术介绍
对具有物理性质和可加工性的改进的平衡的聚乙烯产品的探索已带来具有改进 的输出能力和不断改进的最终使用性质,如增强的薄膜撕裂或落镖冲击性质的产品的发 展。特别有用的是可避免用于增强聚合物性质的聚合物共混策略的聚合物构造的发展,因 为这些策略提高成本。 美国专利申请No. 2011/0003099论述了低熔体流动比(MFR)线性聚乙烯和高熔 体流动比(MFR)线性聚乙烯,它们分别由小于30的1 21/12和大于30的121/12区分。 具有窄分子量分布和低熔体流动比的树脂是公知的并包括用茂金属催化剂和膦 亚胺催化剂制成的树脂。此类树脂包括例如来自ExxonMobil的Exceed 1018A?和美国专 利No. 5, 420, 220和加拿大专利申请No. 2, 734, 167中描述的那些。可以将这些树脂制成 具有物理和光学性质的良好平衡的薄膜,但如例如在吹塑膜生产线上的相对较低输出能力 所示,在不存在加工助剂的情况下难以加工。 具有较高熔体流动比的树脂对薄膜生产商更有吸引力,因为它们通常更容易加 工。美国专利Nos 6, 255, 426和6, 476, 171和美国专利申请No. 2011/0003099各 ...
【技术保护点】
用于制造乙烯共聚物的烯烃聚合法,所述方法包括在单个气相反应器中使乙烯和至少一种具有3‑8个碳原子的α烯烃与聚合催化剂体系接触;所述乙烯共聚物具有0.916 g/cc至0.930 g/cc的密度、0.1 g/10min至1.0 g/10min的熔体指数(I2)、32至50的熔体流动比(I21/I2)、3.6至6.5的分子量分布(Mw/Mn)、如通过GPC‑FTIR测得的反向共聚单体分布曲线、多峰TREF曲线和如通过TREF测得的35重量%至70重量%的组成分布宽度指数CDBI50;其中所述聚合催化剂体系包含单一过渡金属催化剂、载体、催化剂活化剂和催化剂改性剂;且其中所述单一过渡金属催化剂是第4族膦亚胺催化剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.21 CA 2780508;2012.12.14 CA 27988551. 用于制造己帰共聚物的帰姪聚合法,所述方法包括在单个气相反应器中使己帰和至 少一种具有3-8个碳原子的a帰姪与聚合催化剂体系接触;所述己帰共聚物具有0.916 g/ CC至0. 930 g/cc的密度、0. 1 g/lOmin至1.0 g/lOmin的烙体指数化)、32至50的烙体 流动比(I2i/l2)、3. 6至6. 5的分子量分布(MyM。)、如通过GPC-FTIR测得的反向共聚单体分 布曲线、多峰TREF曲线和如通过T服F测得的35重量%至70重量%的组成分布宽度指数 CDBIg。;其中所述聚合催化剂体系包含单一过渡金属催化剂、载体、催化剂活化剂和催化剂 改性剂;且其中所述单一过渡金属催化剂是第4族麟亚胺催化剂。2. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有4. 0至6. 0的分子量分布(M,/M。)。3. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有36至50的烙体流动比(I21A2)。4. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有45重量%至69重量%的CDBI 5。。5. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有小于1. 0 g/lOmin的烙体指数(I2)。6. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有0. 25 g/lOmin至0. 80 g/lOmin的烙 体指数(12)。7. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有0. 917 g/cc至0. 927 g/cc的密度。8. 权利要求1的方法,其中所述多峰TREF曲线包含在洗脱温度T(低)、T(中)和 T(高)下出现的H个强度峰;其中T(低)为62C至82C,T(中)为76C至89C但高于 T (低),且 T (高)为 9(TC 至 lOCrC。9. 权利要求1的方法,其中所述a -帰姪是1-己帰。10. 权利要求1的方法,其中所述己帰共聚物具有2. 0至4. 0的Z-平均分子量分布(My )。11. 权利要求1的方法,其中所述第4族麟亚胺催化剂具有式: (1-R2-職)Ti (N=P (t-Bu) 3) X2; 其中R2是取代或未取代的焼基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的予基,其中所 述焼基、芳基或予基的取代基选自焼基、芳基、焼氧基、芳氧基、焼基芳基、芳基焼基和团素 取代基;且其中X是可活化配体。12. 权利要求1的方法,其中所述催化剂活化剂是焼基铅氧焼。13. 权利要求1的方法,其中所述催化剂改性剂包含至少一种长链胺化合物。14. 一种己帰共聚物,其具有0.916 g/cc至0.930 g/cc的密度、0.1 g/lOmin至1.0 g/lOmin的烙体指数(l2)、32至50的烙体流动比(I2i/l2)、3. 6至6. 5的分子量分布(MyM。)、 如通过GPC-FTIR测得的反向共聚单体分布曲线、多峰TREF曲线和如通过TR邸测得的35 重量%至70重量%的组成分布宽度指数CDBIs。;其中所述己帰共聚物通过在单个气相反应 器中在包含单一过渡金属催化剂、载体和催化剂活化剂的聚合催化剂体系存在下使己帰和 具有3-8个碳原子的a帰姪聚合的方法制造;且其中所述单一过渡金属催化剂是第4族麟 亚胺催化剂。15. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述分子量分布(M,/M。)为4. 0至6. 0。16. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述烙体流动比(I 21^2)为36至50。17. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述CDBI W为45重量%至69重量%。18. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述烙体指数(I2)小于1. 0 g/lOmin。19. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述烙体指数(I 2)为0. 25 g/lOmin至0. 80 g/lOmin。20. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述密度为0.917 g/cc至0.927 g/cc。21. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述a -帰姪是1-己帰。22. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述己帰共聚物具有如通过T服F测得的1(TC至 25°C 的 T(7W-T(2W。23. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述己帰共聚物具有2. 0至4. 0的Z-平均分子量 分布(Mz/M,)。24. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述多峰TREF曲线包含在洗脱温度T(低)、 T(中)和T(高)下出现的H个强度峰;其中T(低)为62C至82°C,T(中)为76C至89C 但高于T (低),且T (高)为9(TC至lOCrC。25. 权利要求24的己帰共聚物,其中在T(低)和T(高)的峰的强度大于在T(中)的 峰的强度。26. 权利要求24的己帰共聚物,其中T(中)-T(低)为:TC至25C。27. 权利要求24的己帰共聚物,其中T(高)-T(中)为5°C至15C。28. 权利要求24的己帰共聚物,其中T(高)-T(低)为15C至35C。29. 权利要求14的己帰共聚物,其中通过TR邸测得在9(TC至105C的温度下洗脱的己 帰共聚物的量为5至30重量%。30. 权利要求14的己帰共聚物,其中通过TR邸测得在高于lOCrC的温度下洗脱的己帰 共聚物的量为0重量%。31. 权利要求14的己帰共聚物,其在制成1密尔吹塑薄膜时具有大于500 g/mil的落 標冲击、大于150 MPa的1% MD割线模量、大于175 MPa的1% TD割线模量和0. 45或更小 的MD撕裂/TD撕裂比。32. 权利要求14的己帰共聚物,其中所述第4族麟亚胺催化剂具有式: (1-R2-巧基)Ti (N=P (t-Bu) 3) X2; 其中R2是取代或未取代的焼基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的予基,其中所 述焼基、芳基或予基的取代基选自焼基、芳基、焼氧基、芳氧基、焼基芳基、芳基焼基和团素 取代基;且其中X是可活化配体。33. 权利要求32的己帰共聚物,其中所述聚合催化剂体系进一步包含催化剂改性剂。34. -种己帰共聚物,其具有0.916 g/cc至0.930 g/cc的密度、0.2 g/lOmin至0.85 g/lOmin的烙体指数(l2)、36至50的烙体流动...
【专利技术属性】
技术研发人员:维多利亚·柯,帕特里克·林,江岩,彼得·冯明宏,查尔斯·阿什顿·加勒特·卡特,达里尔·J·莫里森,
申请(专利权)人:诺瓦化学品国际股份有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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