【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻组合物 巧关申请的帘叉引巧 本申请要求2013年3月14日提交的美国专利技术专利第13/827, 861号和2012年9 月10日提交的美国临时专利申请第61/698, 830号的优先权。所述专利申请通过引用全文 并入本文。
本公开涉及半导体器件制造，并且具体地涉及选择性金属湿法蚀刻组合物和用于 用那些蚀刻组合物相对于相邻结构和材料选择性蚀刻某些金属的工艺。更具体地，本公 开涉及一种水性金属蚀刻组合物和用于在铅、媒笛娃化物和媒笛娃化物亚错酸盐（nickel platinum silicide germinide)中的一种或多种存在时蚀刻媒笛的工艺。
技术介绍
集成电路制造是多步骤构建工艺。所述工艺需要重复光刻步骤W选择性地暴露下 面的层，蚀刻部分或完全暴露的层并且沉积层或填充经常因蚀刻或选择性材料沉积产生的 间隙。金属的蚀刻是关键的工艺步骤。金属常常必须在其他金属、金属合金和/或非金属 材料存在的情况下被选择性地蚀刻而不腐蚀、蚀刻或氧化相邻的材料。由于在集成电路中 配件的尺寸变得越来越小，将对相邻材料和配件的腐蚀、蚀刻、氧化或其他破...
【技术保护点】
一种蚀刻组合物，包含：约60％至约95％的至少一种磺酸；约0.005％至约0.04％的氯化物阴离子；约0.03％至约0.27％的溴化物阴离子；约0.1％至约20％的硝酸盐或亚硝酰基离子；和约3％至约37％的水。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.10 US 61/698,830;2013.03.14 US 13/827,8611. 一种蚀刻组合物，包含： 约60 %至约95%的至少一种磺酸； 约0. 005%至约0. 04%的氯化物阴离子； 约0· 03%至约0· 27%的溴化物阴离子； 约0. 1 %至约20%的硝酸盐或亚硝酰基离子；和 约3%至约37%的水。2. 如权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种磺酸包含式（1)的化合物： R1SO3H 式（1)， 其中R1是取代或未取代的C1-C12直链或支链的烷基、取代或未取代的C 3-C12环烷基、 C1-C12直链或支链的氟烷基醚或C3-C12环氟烷基醚。3. 如权利要求2所述的组合物，其中R1是C1-C12直链或支链的烷基或C 3-C12环烷基， 其每一个任选地被卤素、C1-C4烷基、磺酸或任选地被C 1-C4烷基或羟基取代的苯基所取代。4. 如权利要求3所述的组合物，其中所述至少一种磺酸是甲烷磺酸。5. 如权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种磺酸包含式（2)的化合物： 其中R2、R3和R4各自独立地为C1-C12直链或支链的烷基、C 3-C12环烷基、F、Cl、Br、OH、N02、 SO3H 或 CO2H ; R5是Η;并且 a、b、c和η各自独立地为0、1、2和3,前提条件是a、b和c的总和为η。6. 如权利要求5所述的组合物，其中R2、R3和R4各自独立地为C 1-C2烷基、Cl、Ν02、0Η、 F或CO2H ;并且η为0或1。7. 如权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种磺酸包含萘磺酸或蒽磺酸，其每一 个任选地被C1-C12直链或支链的烷基或SO 3H取代。8. 如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含第一磺酸和第二磺酸。9. 如权利要求8所述的组合物，其中所述第一磺酸包含式（1)的化合物： R1SO3H 式（1)， 其中R1是未取代的C1-C4直链或支链的烷基。10. 如权利要求8所述的组合物，其中所述第二磺酸包含式（2)的化合物： 其中R2、R3和R4各自独立地为C1-C12直链或支链的烷基、C 3-C12环烷基、F、Cl或Br ; R5是H ;并且 a、b、c和η各自独立地为0、1、2和3,前提条件是a、b和c的总和为η。11. 如权利要求8所述的组合物，其中所第二磺酸包含式（1)的化合物： R1SO3H 式（1)， 其中R1为取代或未取代的C6-C12直链或支链的烷基、取代或未取代的C 6-C12环烷基、 C1-C12直链或支链的全氟烷基、C3-C12环全氟烷基、C 1-C12直链或支链的氟烷基醚、C3-C12环 氟烷基醚或取代或未取代的C 7-C12脂环族基团。12. 如权利要求8所述的组合物，其中所述第二磺酸包含萘磺酸或蒽磺酸，其每一个任 选地被C1-C12直链或支链的烷基取代。13. 如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含60%至约90%的所述至少一种 磺酸。14. 如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含选自由氯化氢、氯化铵、季铵氯 化物、胺盐酸盐、氮基芳族和假芳族盐酸盐以及金属氯化物组成的组的含氯化物的至少一 种化合物。15. 如权利要求14所述的组合物，其中含氯化物的至少一种化合物为氯化氢、氯化铵 或季铵氯化物。16. 如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含约0. 005%至约0. 035%的所述 氯化物阴离子。17. ...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥和敬，水谷笃史，高桥智威，
申请(专利权)人：富士胶片电子材料美国有限公司，富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：美国;US
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