感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置制造方法及图纸

本发明专利技术有关一种感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置。该感光性聚硅氧烷组合物包含：聚硅氧烷聚合物(A)、邻萘醌二迭氮化合物(B)、热碱产生剂(C)以及溶剂(D)。本发明专利技术亦提供一种于一基板上形成薄膜的方法、一种基板上的薄膜以及一种包含该薄膜的装置。该薄膜用于形成TFT基板用平坦化膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材的保护膜，该薄膜具有耐化性佳的特性。

【技术实现步骤摘要】
感光性聚枯氧烧组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置
本专利技术有关于一种适用于液晶显示组件、有机化显示组件等的TFT基板用平坦化 膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材的感光性聚娃氧焼组合物，及由其形成的薄膜、 及包含该薄膜的装置。
技术介绍
近年来，在半导体工业、液晶显示器或有机电激发光显示器等领域中，随着尺寸的 日益缩小化，对于微影工艺中所需的图案的微细化亦要求日高。为了达到微细化的图案，一 般是透过具有高解析及高感度的正型感光性材料经曝光及显影而形成，其中，W聚娃氧焼 聚合物为成分的正型感光性材料渐成为业界使用的主流。 日本特开2008-107529号掲示一种可形成高透明度的硬化膜的感光性树脂组合 物。该组合物中使用含环氧丙焼基或下二酸酢基的聚娃氧焼聚合物，其于共聚合时经开环 反应形成亲水性的结构，虽可于稀薄碱性显影液下得到高溶解性，然而，该感光性树脂组合 物的耐化性不佳，仍无法令业界所接收。 因此，如何同时达到目前业界对高耐化性的要求，为本
中努力研究的目 标。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于利用特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光性聚硅氧烷组合物，包含：聚硅氧烷聚合物A；邻萘醌二迭氮磺酸酯B；热碱产生剂C；以及溶剂D；其中，所述热碱产生剂C包含下列结构式1所示的化合物或其盐类衍生物及/或下列结构式2所示的化合物及/或下列结构式3所示的化合物：结构式1其中：m表示2至6的整数；R1、R2各自独立表示氢原子、碳数1至8的烷基、碳数1至6的具有或不具有取代基的羟烷基、或碳数2至12的二烷基胺基；结构式2其中：R3、R4、R5及R6各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具...

【技术特征摘要】
2013.08.13 TW 1021289291. 一种感光性聚硅氧烷组合物，包含： 聚硅氧烷聚合物A ; 邻萘醌二迭氮磺酸酯B ; 热碱产生剂C ;以及 溶剂D; 其中，所述热碱产生剂C包含下列结构式1所示的化合物或其盐类衍生物及/或下列 结构式2所示的化合物及/或下列结构式3所示的化合物：其中： m表示2至6的整数； R1、R2各自独立表示氢原子、碳数1至8的烷基、碳数1至6的具有或不具有取代基的 羟烷基、或碳数2至12的二烷基胺基；其中： R3、R4、R5及R6各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3 至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2 至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具 有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基； R7及R8各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的 具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的 具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代 基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基、或彼此结合形成具有或不具有取代基的单环； 或彼此结合形成具有或不具有取代基的多环； R9表示碳数1至12的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至12的具有或不具有取代 基的环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至12的具有或不具有取代 基的炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基 取代基的芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基，但R 9的碳原子总数为12以下；其中： R3、R4、R5及、R6、R7及R 8的定义如结构式2中的相应定义所述； Rltl表示碳数1至12的具有或不具有取代基的亚烷基、碳数...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明儒，施俊安，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71