【技术实现步骤摘要】
一种具有电极出光的发光二极管制作方法
本专利技术发光二极管
,尤其是指一种具有电极出光的发光二极管制作方法。
技术介绍
发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点,作为主要的光源得到较快发展,近年来发光二极管的利用领域迅速扩展,而提高发光二极管的亮度成为其关键因素。现有技术中,采用多重量子阱(multiplequantumwell,MQW)结构作为有源层的发光二极管,能获得较高内量子效率;而发光二极管外量子效率的提高主要集中在表面粗化、金属反射镜技术、图形衬底等。然而,发光二极管基本上顶部都设置有焊台电极,且存在较大的挡光面积。传统技术为了减少焊台电极遮光的影响,最常见的方法是采用在电极底下区域设置一个电流阻挡区域,阻挡焊台电极正下方电流的传输能力,藉此提高非焊台电极区域的电流密度而增加有源层的发光能力,降低焊台电极挡光的问题。但此方法还是无法避免焊台电极挡光,并且随着发光二极管的亮度不断地提高,焊台电极的挡光问题越明显。因此,减少焊台电极的挡光面积即可提高发光二极管外量子效率,本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有电极出光的发光二极管制作方法,以减少电极挡光面积,提高发光二极管的外量子效率。为达成上述目的,本专利技术的解决方案为:一种具有电极出光的发光二极管制作方法,包括以下步骤:步骤一,在外延衬底上形成外延发光结构,在外延发光结构上形成透光通道制作层;步骤二,采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面;步骤三,在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料 ...
【技术保护点】
一种具有电极出光的发光二极管制作方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一,在外延衬底上形成外延发光结构,在外延发光结构上形成透光通道制作层;步骤二,采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面;步骤三,在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;步骤四,腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体,且露出外延发光结构;步骤五,在裸露的外延发光结构表面形成作为焊台电极的第一电极或第二电极,且厚度超过透光柱体高度;步骤六,采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面;步骤七,在外延发光结构上形成背电极,裂片形成发光二极管的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种具有电极出光的发光二极管制作方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一,在外延衬底上形成外延发光结构,在外延发光结构上形成透光通道制作层;步骤二,采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面;步骤三,在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;步骤四,腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体,且露出外延发光结构;步骤五,在裸露的外延发光结构表面形成作为焊台电极的第一电极或第二电极,且厚度超过透光柱体高度;步骤六,采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面;步骤七,在外延发光结构上形成背电极,裂片形成发光二极管的芯片。2.如权利要求1所述的一种具有电极出光的发光二极管制作方法,其特征在于:步骤一中,在外延衬底上依次分别形成缓冲层、第一型导电层、有源层、第二型导电层、透光通道制作层;步骤二中,采用掩膜、ICP蚀刻工艺透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度直至露出第二型导电层表面;步骤三中,在裸露的第二型导电层表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;步骤四中,腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体且露出第二型导电层;步骤五中,在第二型导电层表面形成焊台电极的第二电极,且厚度超过透光柱体高度;步骤六中,采用ICP蚀刻作为焊台电极的第二电极表面直至露出透光柱体的上表面;步骤七中,在外延衬底上形成第一电极,裂片形成发光二极管的芯片。3.如权利要求1所述的一种具有电极出光的发光二极管制作方法,其特征在于:步骤一中,在外延衬底上依次分别形成缓冲层、剥离层、透光通道制作层、第一型导电层、有源层、第二型导电层;在第二型导电层上表面形成介电层,在介电层上表面形成金属反射层;将金属反射层和导电基板键合在一起;腐蚀去除外延衬底或激光剥离外延衬底,露出透光通道制作层的表面;步骤二中,采用掩膜、ICP蚀刻工艺透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度直至露出第一型导电层表面;步骤三中,在裸露的第一型导电层表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;步骤四中,腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体且露出第一型导电层;步骤五中,在裸露的第一型导电层表面形成为焊台电极的第一电极,且厚度超过透光柱体高度;步骤六...
【专利技术属性】
技术研发人员:林志伟,陈凯轩,张永,卓祥景,姜伟,杨凯,蔡建九,白继锋,刘碧霞,
申请(专利权)人:厦门乾照光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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