用于制造芯片布置的方法和芯片布置技术

本发明专利技术涉及用于制造芯片布置的方法和芯片布置。用于制造芯片布置的方法可以包含：彼此紧邻并且在载体上方安置包括至少一个接触的芯片和稳定化结构；通过密封结构的方式密封芯片和稳定化结构；并且形成导电连接到芯片的至少一个接触。

【技术实现步骤摘要】
用于制造芯片布置的方法和芯片布置
各个实施例涉及用于制造芯片布置的方法和芯片布置。
技术介绍
芯片布置，比如芯片封装，可以包含嵌入在材料(例如，密封剂)中的至少一个芯片(或管芯芯片布置的电和/或热和/或机械属性可能取决于制造芯片布置所用的工艺。一些制造工艺可以负面地影响芯片布置和/或包含在芯片布置中的至少一个芯片的电和/或热和/或机械属性。可能需要制造芯片布置的新途径。 【附图说明】 在绘图中，遍及不同视图相同的参考标记通常地指代相同的部分。绘图不必成比例，而是通常将重点放在图解本专利技术的原理。在以下描述中，参考以下绘图描述本专利技术的各个实施例，其中:图1八到图％图解了用于制造芯片布置的传统方法。 图2示出了制造芯片布置的方法。 图3八到图31(示出了图解在图2中所示方法的示例的工艺流程。 图4八和图48示出了用于形成接合层和贯通开口的方法的示例。 图5八和图58示出了包含可以用稳定化结构的接合层的材料填充的至少一个开口的载体。 图6八到图61示出了图解在图2中所示方法的另一个示例的工艺流程。 图7八到图71(示出了图解在图2中所示方法的又一个示例的工艺流程。 图8八到图81(示出了图解应用到三维芯片布置制造的在图2中所示方法的示例的工艺流程。 图9八到图％示出了图解在图2中所示方法的其它示例的流程图。 图10示出了芯片布置。 【具体实施方式】 以下详细的描述参考附图，附图通过图解的方式示出可以实践本专利技术的具体细节和实施例。这些实施例被足够详细地描述以使本领域技术人员能够实践本专利技术。可以利用其它实施例并且可以进行结构的、逻辑的和电的变化而没有脱离本专利技术的范围。各个实施例不必互相排斥，由于一些实施例能够与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。各个实施例被描述用于结构或器件，并且各个实施例被描述用于方法。可以被理解的是，关于结构或器件所描述的一个或多个(例如，所有的)实施例可以等同地应用到方法，并且反之亦然。 措辞“示例性的”在本文中用来表示“用作示例，例子或图解”。在本文中描述为“示例性的”任何实施例或设计不必被解释为比其它实施例或设计是优选的或有利的。 在本文中用来描述形成特征的措辞“在...上方”，例如“在侧或表面上方”的层，可以被用来表示该特征，例如所述层，可以“直接地在暗示的侧或表面上”被形成，例如与暗示的侧或表面直接接触。在本文中用来描述形成特征的措辞“在...上方”，例如“在侧或表面上方”的层，可以被用来表示该特征，例如所述层，可以“间接地在暗示的侧或表面上”被形成，其中一个或多个附加层被布置在暗示的侧或表面和形成的层之间。 以类似的方式，在本文中用来描述安置在另一个上方的特征的措辞“覆盖”，例如“覆盖”侧或表面的层，可以被用来表示该特征，例如所述层，可以被安置在暗示的侧或表面上方并且与暗示的侧或表面直接接触。在本文中用来描述安置在另一个上方的特征的措辞“覆盖”，例如“覆盖”侧或表面的层，可以被用来表示该特征例如所述层可以被安置在暗示的侧或表面上方并且与暗示的侧或表面间接接触，其中一个或多个附加层被布置在暗示的侧或表面和所述覆盖层之间。 在本文中用来描述特征正在被连接到至少一个其它暗示的特征的术语“耦合的”和/或“电耦合的”和/或“连接的”和/或“电连接的”，不意欲表示特征和至少一个其它暗示的特征必须直接地耦合或连接在一起，介于中间的特征可以在特征和至少一个其它暗示的特征之间被提供。 方向性的术语，诸如例如“上”、“下”、“顶”、“底”、“左手”、“右手”等可以参考正在被描述的(一幅或多幅)图的定向而被使用。因为(一幅或多幅)图的组件可以被定位在许多不同的定向上，方向性的术语为了图解的目的而被使用并且绝不是限制的。将要被理解的是可以进行结构或逻辑的变化而没有脱离本专利技术的范围。 现代芯片(或管芯)布置，例如芯片(或管芯)封装，可以包含可以被嵌入在材料(例如，密封剂)中的至少一个芯片(或管芯 图1八到图1(}图解了用于制造芯片布置的传统方法。 图1八示出了包含引线框架102和芯片104 (或管芯)的芯片布置的截面视图100。芯片104(或管芯)可以包含前侧10?和背侧104匕金属化层10?可以被形成在芯片104的背侧10仙，并且至少一个接触104(1(例如接合焊盘)可以被形成在芯片104的前侧1043。芯片104可以通过接合工艺(通过箭头1003指示)的方式被接合到引线框架102，所述接合工艺可以在从大约2001到大约3501的范围里的温度被执行。 如图18中所示在视图101中，引线框架102 (例如铜引线框架)的表面和/或芯片104的前侧10?可以被粗糙化(例如通过微刻蚀工艺的方式)以便比如促进可以在芯片104和/或引线框架102上方形成的随后层的附着。 如图1(:中所示在视图103中，芯片104可以被检查(例如光学检查)以确定接合到引线框架102的相邻芯片104 (或管芯)之间的相对空间移动。比如，在左边的芯片104和在右边的芯片104可以通过装置1033被检查(例如光学检查),并且左边芯片104和右边芯片104之间的相对位置可以被确定。 如在图10中所示在视图105中，叠层(匕丫即)1053可以在芯片104和引线框架102上方被形成。叠层1053可以包含结构化的预浸料层106、绝缘层108(例如树脂和或未固化的预浸料)和传导层110。结构化的预浸料层106可以被安置在引线框架102上方(例如被直接地安置在引线框架102上方结构化的预浸料层106可以被配置成占据接合到引线框架102的相邻芯片104之间的间隙。比如，如图10中所示，结构化的预浸料层106可以占据在左边的芯片104和在右边的芯片104之间的间隙。附加地，结构化的预浸料层106可以被配置成占据在芯片104和引线框架102的边缘之间的间隙，如图10中所示。绝缘层108可以被安置在结构化的预浸料层106上方，并且传导层110可以被安置在绝缘层108上方，如图10中所示。 热和/或压力(通过箭头1056指示)可以被施加到叠层105&和引线框架102以(例如通过层压)接合结构化的预浸料106、绝缘层(例如树脂)108和传导层110到引线框架102和芯片104。接合该叠层1053 (例如通过层压)可以同时在多个引线框架102上方被执行。比如，在叶片(81^02)的生产中，8个引线框架102可以同时被层压，并且每个引线框架可以通过可以被包含在叠层1053中的模板的方式被连接到另一个引线框架。 如图12中所示在视图107中，通孔112可以在传导层110中被形成(例如通过刻蚀工艺的方式 如图1？中所示在视图109中，通孔112可以被延伸以暴露引线框架102的一部分和/或芯片104的一部分。比如，如图1？中所示，通孔112可以被延伸以暴露芯片104的至少一个接触10? (例如接合焊盘通孔112可以通过钻孔工艺(比如，激光钻孔工艺)的方式被延伸。 如图1(}中所示在视图111中，通孔112可以用传导材料114 (例如铜或铜合金或任何其它合适的金属或金属合金诸如例如钨)填充。传导材料114可以随后比如通过刻蚀的方式被结构化(例如图案化 图1八到图本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造芯片布置的方法，所述方法包括:彼此紧邻并且在载体上方安置包括至少一个接触的芯片和稳定化结构；通过密封结构的方式密封所述芯片和所述稳定化结构；并且形成导电连接到所述芯片的所述至少一个接触。

【技术特征摘要】
2013.08.06 US 13/9597951.用于制造芯片布置的方法，所述方法包括: 彼此紧邻并且在载体上方安置包括至少一个接触的芯片和稳定化结构； 通过密封结构的方式密封所述芯片和所述稳定化结构；并且 形成导电连接到所述芯片的所述至少一个接触。2.权利要求1的所述方法，其中所述稳定化结构包括从一组材料中选择的至少一种材料，所述组由以下组成:层压材料、聚合物材料、陶瓷材料、金属、和金属合金。3.权利要求2的所述方法，其中所述层压材料包括固化的层压材料。4.权利要求1的所述方法，其中所述稳定化结构包括至少一个导电层。5.权利要求4的所述方法，其中所述至少一个导电层包括多个导电层，并且其中所述稳定化结构包括:至少一个通孔，延伸穿过所述稳定化结构的至少一部分并且电连接所述多个导电层的第一导电层到所述多个导电层的第二导电层。6.权利要求1的所述方法，其中所述稳定化结构包括配置成附连所述稳定化结构到所述载体的接合层，并且其中彼此紧邻并且在所述载体上方安置包括所述至少一个接触的所述芯片和所述稳定化结构包括通过所述接合层的方式附连所述稳定化结构到所述载体。7.权利要求6的所述方法，其中所述载体包括至少一个开口，并且其中彼此紧邻并且在所述载体上方安置包括所述至少一个接触的所述芯片和所述稳定化结构包括在所述载体的所述至少一个开口上方安置所述稳定化结构，其中所述接合层的第一部分填充所述载体的所述至少一个开口，并且其中所述接合层的第二部分被安置于在所述至少一个开口外部的所述载体的表面的至少一部分上方。8.权利要求1的所述方法，其中密封所述芯片和所述稳定化结构包括层压工艺。9.权利要求1的所述方法，其中所述密封结构包括成型材料、预浸料材料、树脂材料、层压材料、导电材料、和导热材料中的至少一种。10.权利要求1的所述方法，其中所述稳定化结构包括贯通开口，并且其中彼此紧邻并且在所述载体上方安置包括所述至少一个接触的所述芯片和所述稳定化结构包括在所述稳定化结构的所述贯通开口之内并且在所述载体上方安置所述芯片。11.权利要求1的所述方法，其中所述芯片包括面对所述载体的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：P帕尔姆，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE