电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电子装置，该电子装置包括：布线基板；多个器件芯片，该多个器件芯片通过凸起倒装地安装在所述布线基板的上表面，在所述器件芯片与所述布线基板的上表面之间具有使所述凸起露出的间隙，并且所述多个器件芯片包括具有热膨胀系数大于所述布线基板的热膨胀系数的基板的至少一个器件芯片；接合基板，该接合基板被接合到所述多个器件芯片，并且热膨胀系数等于或小于所述至少一个器件芯片中包括的所述基板的热膨胀系数；以及密封部，该密封部覆盖所述接合基板，并且密封所述多个器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
本专利技术的特定方面涉及一种电子装置，例如，涉及一种将多个器件芯片倒装地安装在布线基板上的电子装置。
技术介绍
近年来，要求电子装置的小型化和低成本。对于这种需求，已经开发了一种通过凸起将多个器件芯片倒装地安装在布线基板上并且密封这些器件芯片的技术(参见例如日本专利申请第2003-347483号公报和国际专利申请的日本第2006-513564号国家公报)。当器件芯片例如用树脂密封时，气密性和散热性劣化，因此损坏可靠性。而且，当在器件芯片与布线基板之间存在使凸起露出的间隙时，因为布线基板、器件芯片和密封单元各自的热膨胀系数彼此不同，所以在与各个器件芯片对应的凸起中出现应力，因此损坏了可靠性。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种电子装置，该电子装置包括：布线基板；多个器件芯片，该多个器件芯片通过凸起倒装地安装在所述布线基板的上表面，在所述器件芯片与所述布线基板的上表面之间具有使所述凸起露出的间隙，并且包括具有热膨胀系数大于所述布线基板的热膨胀系数的基板的至少一个器件芯片；接合基板，该接合基板被接合到所述多个器件芯片，并且具有的热膨胀系数等于或小于所述至少一个器件芯片中包括的所述基板的热膨胀系数；以及密封部，该密封部覆盖所述接合基板，并且密封所述多个器件芯片。附图说明图1A是例示根据第一实施方式的电子装置的俯视图；图1B是沿图1A的线A-A截取的截面图；图2是例示根据比较例1的电子装置的截面图；图3A是例示根据第二实施方式的电子装置的俯视图；图3B是沿图3A的线A-A截取的截面图；图4A至图4D是例示根据第二实施方式的电子装置的制造方法的截面图；图5A至图5D是例示根据第二实施方式的电子装置的另一制造方法的截面图；图6A是例示执行模拟的、根据第一实施方式的电子装置的俯视图；图6B是沿图6A的线A-A截取的截面图；图7A是例示执行模拟的、根据第二实施方式的电子装置的俯视图；图7B是沿图7A的线A-A截取的截面图；图8是例示根据第一实施方式的电子装置的模拟结果的图；图9是例示根据第二实施方式的电子装置的模拟结果的图；图10A是例示根据第三实施方式的电子装置的俯视图；图10B是沿图10A的线A-A截取的截面图；图11A至图11D是例示根据第三实施方式的电子装置的制造方法的截面图；以及图12是例示根据第三实施方式的第一变型例的电子装置的截面图。具体实施方式将参照附图描述实施方式。(第一实施方式)图1A是例示根据第一实施方式的电子装置的俯视图，并且图1B是沿图1A中的线A-A截取的截面图。这里，图1A透过密封单元26和多个器件芯片12例示了凸起14。如图1A和图1B所示，器件芯片12经由凸起14倒装地安装在由绝缘体(如陶瓷)构成的布线基板10的上表面。在布线基板10的上表面与器件芯片12之间形成有间隙28，并且凸起14在间隙28中露出。虽然凸起14例如由焊料构成，但是可以将金(Au)用作凸起14。器件芯片12包括表面声波(SAW：surfaceacousticwave)器件芯片12a和半导体器件芯片12b。例如，SAW器件芯片12a通过位于四个角的凸起14倒装地安装在布线基板10的上表面。例如，半导体器件芯片12b通过排布为点阵形状的凸起14倒装地安装在布线基板10的上表面。SAW器件芯片12a包括：压电基板16，该压电基板16由诸如钽酸锂(LiTaO3；下文称作“LT”)或铌酸锂(LiNbO3；下文称作“LN”)等的压电物质构成；以及设置在压电基板的与布线基板10相对的一侧的表面上的金属膜(未示出)(诸如IDT(叉指式换能器)和反射器等)。半导体器件芯片12b包括由半导体(诸如硅(Si)或砷化镓(GaAs))构成的半导体基板18。过孔布线(via-wiring)20设置在布线基板10的内部。虽然图1B仅例示了沿水平方向延伸的过孔布线20，但是也存在沿垂直方向延伸的过孔布线20。器件芯片12经由过孔布线20电连接到设置在布线基板10的下表面的外部端子22。金属图案24设置在布线基板10的上表面且处于器件芯片12的外侧。金属图案24环状地形成，以便围绕器件芯片12。用于密封器件芯片12的密封单元26通过连接到金属图案24并覆盖器件芯片12而形成。密封单元26由诸如焊料等的金属构成。期望的是，将具有适用于构成密封单元26的材料的可湿性的金属用于金属图案24。例如，期望的是将具有适合于焊料的可湿性的金属用于金属图案24。根据第一实施方式，如图1B所示，通过凸起14倒装地安装在布线基板10的上表面的器件芯片12用由金属构成的密封单元26进行密封。由此，因为器件芯片12用由金属构成的密封单元26密封，所以与例如将树脂用作密封单元的情况相比，可以提高器件芯片12的气密性和散热性。因此，可以提高可靠性。而且，根据第一实施方式，可以实现电子装置小型化和电子装置的高度减小。通过将第一实施方式的电子装置与比较例1的电子装置进行比较，来解释该效果。图2是例示根据比较例1的电子装置的截面图。如图2所示，分开封装SAW器件芯片52a和半导体器件芯片52b的封装60和80分别安装在布线基板50的上表面。各个封装60包括：SAW器件芯片52a，该SAW器件芯片52a通过凸起64倒装地安装在基板62的上表面；以及密封SAW器件芯片52a的密封单元66和盖68。SAW器件芯片52a通过基板62中的过孔布线70电连接到设置在基板62的下表面的外部端子72。封装80包括通过凸起84倒装地安装在基板82的上表面的半导体器件芯片52b。半导体器件芯片52b通过基板82中的过孔布线(未示出)电连接到设置在基板82的下表面的外部端子86。SAW器件芯片52a和半导体器件芯片52b通过外部端子72和86以及布线基板50中的过孔布线54(这些元件仅沿水平方向例示，并且省略沿垂直方向的例示)电连接到设置在布线基板50的下表面的外部端子56。填充树脂(moldresin)58被设置为覆盖封装60和80。这里，代替填充树脂58，可以设置树脂顶板，该树脂顶板在封装60和80上延伸。根据比较例1，分开封装SAW器件芯片52a和半导体器件芯片52b的封装60和80分别安装在布线基板50的上表面。在这种构造中，电子装置变大并且电子装置的高度增大。相反，在第一实施方式中，如图1B所示，多个器件芯片12倒装地安装在布线基板10的上表面。将理解的是，凭借这种构造，与比较例1的图2相比，可以实现电子装置的小型化和电子装置的高度减小。在SAW器件芯片12a中，形成用于经由IDT激发声波的间隙。当异物、水分等粘附到IDT时，出现频率特性的变化和腐蚀。因此，当SAW器件芯片12a包括在器件芯片12中时，如第一实施方式中提到的，期望的是，器件芯片12通过凸起14倒装地安装在布线基板10的上表面并且用由金属构成的密封单元26密封。由此，如图1B所示，用于经由IDT激发声波的间隙28可以形成在器件芯片12与布线基板10之间，可以提高SAW器件芯片12a的气密性，并且可以控制异物、水分等的粘附。密封单元26可以是除了焊料之外的金属，并且考虑到气密性、电屏蔽效果、容易密封等，期望的是，密封单元26由焊料构成。而且，除了SAW器件芯片12a之外，器件芯片12还可以包括声波器件芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，该电子装置的特征在于包括：布线基板；多个器件芯片，该多个器件芯片通过凸起倒装地安装在所述布线基板的上表面，在所述器件芯片与所述布线基板的上表面之间具有使所述凸起露出的间隙，并且所述多个器件芯片包括具有热膨胀系数大于所述布线基板的热膨胀系数的基板的至少一个器件芯片；接合基板，该接合基板被接合到所述多个器件芯片，并且热膨胀系数等于或小于所述至少一个器件芯片中包括的所述基板的热膨胀系数；以及密封部，该密封部覆盖所述接合基板，并且密封所述多个器件芯片。

【技术特征摘要】
2013.07.31 JP 2013-1597631.一种电子装置，该电子装置的特征在于包括：布线基板；多个器件芯片，该多个器件芯片通过凸起倒装地安装在所述布线基板的上表面，在所述器件芯片与所述布线基板的上表面之间具有使所述凸起露出的空气间隙，并且所述多个器件芯片包括具有热膨胀系数大于所述布线基板的热膨胀系数的基板的至少一个器件芯片；单个接合基板，该接合基板被接合到所述多个器件芯片，并且热膨胀系数等于或小于所述至少一个器件芯片中包括的所述基板的热膨胀系数；以及密封部，该密封部覆盖所述单个接合基板，并且接合到所述布线基板以围绕所述多个器件芯片，并且密封所述多个器件芯片，其中，所述单个接合基板在所述多个器件芯片的、位于与所述布线基板相对的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山内基，川内治，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP