【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种在碳基电极表面垂直生长TiO2，属于纳米材料
。TiO2纳米片制备方法包括四个步骤，基底预处理；预处理的基底在氢氧化钠溶液中原位水热反应，这是一个溶解再结晶的过程，加入一定量的结构诱导剂以形成垂直基底表面均匀生长的纳米片阵列；洗涤、酸泡，反应完成后将生成的TiO2纳米片用超纯水反复洗涤，再用酸浸泡至中性；煅烧，在N2保护气氛中于一定温度下煅烧一定时间即得到单晶型垂直生长TiO2纳米片。TiO2纳米片具有良好的生物相容性、稳定性、环境友好性，该方法制备简单，而垂直生长的纳米片能降低电子转移的阻力，用于微生物燃料电池(MFC)中提高了电量输出。【专利说明】一种垂直生长T12
本专利技术涉及一种垂直各种碳基底生长的T12，属于纳米材料
。
技术介绍
T12半导体纳米材料由于具有优异的光电特性、化学性质稳定、无毒性等优点，在光催化、太阳能电池、气体传感等方面有良好的应用前景。T12纳米材料的制备方法一般包括水热法、沉淀法、模板法、溶胶一凝胶法以及自组装法等。不同的合成方法可以得到不同形貌的T12纳米...
【技术保护点】
一种垂直生长TiO2纳米片，其特征是，采用结构诱导剂，水热法在碳基电极上原位生长与碳基电极表面垂直的TiO2纳米片；TiO2纳米片2‑5μm长，200‑600nm宽，生长密度可根据表面吸附的溶胶种子层控制。
【技术特征摘要】
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