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本发明涉及一种在碳基电极表面垂直生长TiO2纳米片及其制备方法，属于纳米材料技术领域。TiO2纳米片制备方法包括四个步骤，基底预处理；预处理的基底在氢氧化钠溶液中原位水热反应，这是一个溶解再结晶的过程，加入一定量的结构诱导剂以形成垂直基底表...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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