有机发光二极管显示器制造技术

有机发光二极管(OLED)显示器包含基板、位于该基板上的薄膜晶体管、位于该薄膜晶体管上并且与该薄膜晶体管电连接的第一电极、位于该第一电极上的第一补充层、位于该补充层上的发光层、位于该发光层上的电子传输层(ETL)、位于该ETL上的第一缓冲层以及位于该第一缓冲层上的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示器利用有机发光二极管自发光。空穴和电子被注入到发光层中，并且在发光层中重组以产生激子，从而发光以显示图像。OLED显示器包含像素电极和共用电极以分别提供空穴和电子。共用电极是利用溅射方法形成的。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施方式提供了有机发光二极管(OLED)显示器，其包含基板、位于所述基板上的薄膜晶体管、位于所述薄膜晶体管上并且与所述薄膜晶体管电连接的第一电极、位于所述第一电极上的第一补充层、位于所述第一补充层上的发光层、位于所述发光层上的电子传输层(ETL)、位于所述ETL上的第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层上的第二电极。所述OLED显示器可进一步包含在所述ETL和所述第一缓冲层之间形成的第二缓冲层。所述OLED显示器可进一步包含位于所述第二缓冲层和所述ETL之间的第三缓冲层。所述第一缓冲层可包含LiF、Yb、WO3、MoOx、Liq、Mg中的至少一种。所述第二缓冲层可包含CuPc、F16CuPc、MoOx、WO3中的至少一种。所述第三缓冲层可包含LiF、Yb、WO3、MoOx、Liq、Mg中的至少一种。所述发光层的厚度范围可为约10nm至约50nm。所述第一补充层包含空穴注入层(HIL)和位于所述HIL上的空穴传输层(HTL)，并且所述HIL和所述HTL的厚度范围分别可为约25nm至约35nm和约15nm至约25nm。所述第一缓冲层的厚度范围可为约1nm至约3nm。所述第二缓冲层的厚度范围可为约85nm至约95nm。所述第三缓冲层的厚度范围可为约1nm至约3nm。所述发光层包含红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层，并且可进一步包含位于所述蓝色发光层下端的辅助层。所述红色发光层和所述绿色发光层形成为单层，所述红色发光层及所述绿色发光层可分别对应于由所述蓝色发光层和所述辅助层构成的双层。所述辅助层可包含由以下化学式1表示的化合物，在化学式1中，A1、A2及A3分别可为二苯并噻吩(dibenzothiophene)、二苯并呋喃(Dibenzefuran；DBF)、联苯(biphenyl)，a、b、c分别可为0至4的整数。所述辅助层可包含由以下化学式2表示的化合物，在化学式2中，a为0至3，b和c分别为0至3，x为氧(O)、氮(N)、硫(S)。附图说明本专利技术的这些和其他特征将通过参照附图详细描述其示例性实施方式而变得更加显而易见，其中：图1是说明根据本专利技术的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的显示器横截面图；图2是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图；图3是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图；图4是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图；图5和图6是说明根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的光强度和发光效率的曲线图；图7是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图；图8是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图；以及图9是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图。具体实施方式下面将参照附图详细描述本专利技术构思的示例性实施方式。然而，本专利技术构思可以不同形式体现并且不应被解释为限于本文列出的实施方式。在附图中，为了清楚起见，可夸大层和区域的厚度。还应该理解，当一个元件被称为在另一个元件或基板“上”时，其可直接在另一个元件或基板上，或者也可存在中间层。在说明书全文和附图中，相同的附图标记可指相同的元件。在下文中，将参照图1和2描述根据示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的结构。图1是说明根据本专利技术的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的横截面图。图2是根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器的放大横截面图。该OLED显示器的结构可防止由于溅射方法而损坏有机发光元件，并且由此提高发光效率。该OLED显示器包含基板123、驱动薄膜晶体管130、第一电极(即，像素电极)160、空穴注入层(HIL)171、空穴传输层(HTL)172、发光层173、电子传输层(ETL)174、第一缓冲层177、第二缓冲层175、第三缓冲层176和第二电极(即，共用电极)180。基板123可由绝缘基板形成，该绝缘基板可由玻璃、石英、陶瓷和塑料等制成。然而，本专利技术不限于此，并且基板123也可以由不锈钢等制成的金属的基板形成。在基板123上形成缓冲层126。缓冲层126起到防止杂质元素渗透和使基板123的表面平坦的作用。缓冲层126可由多种材料形成，包括但不限于，硅氮化物(SiNx)、氧化硅(SiOy)或硅氮氧化物(SiOxNy)。可选地，根据基板123的类型和在基板123上实施的工艺的条件，可省略缓冲层126。在缓冲层126上形成驱动半导体层137。驱动半导体层137可由多晶硅膜形成。驱动半导体层137包含沟道区135，以及在沟道区135相对的两侧掺杂和形成的源极区134和漏极区136。在这种情况下，掺杂的杂质可为p-型杂质，例如硼(B)。例如，B2H6可用于将硼掺杂到源极区134和漏极区136中。掺杂的杂质不限于此，并且根据薄膜晶体管的种类可为多种杂质。栅极绝缘层127可由硅氮化物(SiNx)或氧化硅(SiOy)形成。栅极绝缘层127在驱动半导体层137上形成。在栅极绝缘层127上形成驱动栅电极133。驱动栅电极133至少叠盖驱动半导体层137的沟道区135。层间绝缘层128覆盖驱动栅电极133。层间绝缘层128在栅极绝缘层127上形成。通孔H贯穿层间绝缘层128和栅极绝缘层127以暴露源极区134和漏极区136。类似于栅极绝缘层127，层间绝缘层128可由绝缘材料形成，例如硅氮化物(SiNx)或氧化硅(SiOy)等。在层间绝缘层128上形成包含驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线。驱动源电极131和驱动漏电极132经由在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中形成的通孔H分别连接驱动半导体层137的源极区134和漏极区136。形成包含驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132的驱动薄膜晶体管130。驱动薄膜晶体管130的结构不限于此，并且可做多种改变。在层间绝缘层128上形成覆盖数据线的平坦化层124。平坦化层124起到平坦化层间绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包含：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上并且与所述薄膜晶体管电连接的第一电极；位于所述第一电极上的第一补充层；位于所述第一补充层上的发光层；位于所述发光层上的电子传输层；位于所述电子传输层上的第一缓冲层；和位于所述第一缓冲层上的第二电极。

【技术特征摘要】
2013.07.02 KR 10-2013-0077372;2014.06.17 KR 10-2011.一种有机发光二极管显示器，包含：
基板；
位于所述基板上的薄膜晶体管；
位于所述薄膜晶体管上并且与所述薄膜晶体管电连接的第一电极；
位于所述第一电极上的第一补充层；
位于所述第一补充层上的发光层；
位于所述发光层上的电子传输层；
位于所述电子传输层上的第一缓冲层；和
位于所述第一缓冲层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包含在所述电子传输层
和所述第一缓冲层之间形成的第二缓冲层。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，进一步包含位于所述第二缓冲
层和所述ETL之间的第三缓冲层。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一缓冲层包含
LiF、Yb、WO3、MoOx、Liq、Mg中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二缓冲层包含
CuPc、F16CuPc、MoOx、WO3中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三缓冲层包含LiF、
Yb、WO3、MoOx、Liq、Mg中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述发光层的厚度范围
是10nm至50nm。
8.根据权利要求1或7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴一洙，李昌浩，尹智焕，高熙周，申大烨，赵世珍，尹振渶，李宝罗，李衍祐，金范俊，田坪恩，崔贤珠，沈重元，李寅宰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR