有机发光二极管显示器制造技术

一种有机发光二极管显示器，其中每个像素具有驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管用于基于施加至栅极电极的电压调整流过有机发光二极管的电流，该有机发光二极管显示器包含：该驱动薄膜晶体管的该栅极电极；与该驱动薄膜晶体管的该栅极电极相邻的信号线；和位于该驱动薄膜晶体管的该栅极电极上方的第一屏蔽电极，在该第一屏蔽电极与该驱动薄膜晶体管的该栅极电极之间有第一绝缘层，其中该第一屏蔽电极比该驱动薄膜晶体管的该栅极电极向着该信号线更进一步突出。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器
本专利技术涉及一种有机发光二极管显示器。
技术介绍
近来，正在开发比阴极射线管(CRT)轻且体积小的各种平板显示器。平板显示器的例子包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)、有机发光二极管显示器等。在这些类型的平板显示器之中，有机发光二极管显示器是通过有机化合物的激发来发光的自发光显示器。与LCD相比，有机发光二极管显示器在没有背光的情况下进行工作，因而有机发光二极管显示器能够更轻更薄并且能够以简化的工艺制造。此外，因为有机发光二极管显示器能够以低温制造，具有1ms或更少的快速响应时间以及低功耗、宽视角和高对比度的特点，所以有机发光二极管显示器得到广泛使用。有机发光二极管显示器包含将电能转换为光能的有机发光二极管。有机发光二极管包含阳极、阴极、以及位于阳极与阴极之间的有机发光层。从阳极射出空穴，并且从阴极射出电子。一旦来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入到有机发光层EML中，它们就形成激子，该激子将其能量释放为光，从而发光。在这种有机发光二极管显示器中，每个像素包含开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，以便给显示区域中的阳极施加驱动信号。开关薄膜晶体管用于选择像素。驱动薄膜晶体管用于驱动被开关薄膜晶体管选择的像素的有机发光二极管。随着对于较大显示尺寸所需的高分辨率的需求增加，像素尺寸变得越来越小。一个像素是通过栅极线、数据线和公共电源线的交叉来界定的。在该像素中，形成有或定位设置有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容器和有机发光二极管。在该构造的情况下，由于较小的像素尺寸，薄膜晶体管和上述的线能够被整合，从而它们彼此非常靠近地布置。在驱动薄膜晶体管的栅极电极和与其相邻的线之间形成寄生电容器，该与其相邻的线例如是被施加数据电压的数据线。在该情形中，由于施加至数据线的数据电压的变化，施加至驱动薄膜晶体管的栅极电极的栅极电压发生变化。由于数据电压的干扰而导致的栅极电压的变化导致驱动薄膜晶体管的栅极-源极电压Vgs的变化。用户会将此感知为垂直串扰。垂直串扰劣化了显示装置的显示质量和产品可靠性。因此，需要努力解决该问题。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器具有屏蔽电极，以使施加至驱动薄膜晶体管的栅极电极的栅极电压不受相邻线的电压的变化影响。一种有机发光二极管显示器包含像素，其中每个像素具有驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管用于基于施加至所述驱动薄膜晶体管的栅极电极的电压调整流过有机发光二极管的电流，所述有机发光二极管显示器进一步包含：与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极相邻的信号线；和位于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极上方的第一屏蔽电极，在所述第一屏蔽电极与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间有第一绝缘层，其中所述第一屏蔽电极比所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极向着所述信号线更进一步突出。优选地，所述信号线与所述第一屏蔽电极之间的距离比所述信号线与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间的距离短。所述第一屏蔽电极可构造成连接至第一静态电压源。所述第一屏蔽电极可构造成第一电容器，以抑制像素电压放电。像素电压放电的抑制可提高每个像素的数据可维护性(datamaintainability)。所述第一电容器可通过所述第一屏蔽电极和所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极的重叠而形成。所述第一电容器可具有比可能形成在所述信号线与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间的寄生电容器高的电容。所述有机发光二极管显示器可以如上所述但可进一步包含：位于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极下方的第二屏蔽电极；和位于所述第二屏蔽电极与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间的第二绝缘层，其中所述第二屏蔽电极比所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极向着所述信号线更进一步突出。优选地，所述信号线与所述第二屏蔽电极之间的距离比所述信号线与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间的距离短。所述第二屏蔽电极可构造成连接至第二静态电压源。所述第二屏蔽电极可构造成第二电容器，以抑制像素电压放电。像素电压放电的抑制可提高每个像素的数据可维护性。所述第二电容器可通过所述第二屏蔽电极和所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极的重叠而形成。所述第二电容器可具有比可能形成在所述信号线与所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极之间的寄生电容器高的电容。在一些情形中，所述第一静态电压源和所述第二静态电压源是相同的。每个像素可以以六个晶体管和一个电容器结构进行构造。所述六个晶体管和一个电容器结构可包含：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包含：连接至第一栅极线的栅极电极、连接至第一数据线的第一电极、以及连接至存储电容器的一端的第二电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含：连接至第二栅极线的栅极电极、连接至所述驱动薄膜晶体管的所述栅极电极的第一电极、以及连接至所述驱动薄膜晶体管的第二电极的第二电极；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管包含：连接至第三栅极线的栅极电极、连接至基准电压线的第一电极、以及连接至所述存储电容器的所述一端的第二电极；第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管包含：连接至所述第三栅极线的栅极电极、连接至所述驱动薄膜晶体管的所述第二电极的第一电极、以及连接至所述有机发光二极管的阳极的第二电极；第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管包含：连接至所述第二栅极线的栅极电极、连接至所述基准电压线的第一电极、以及连接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二电极；和所述驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括：连接至所述存储电容器的另一端的所述栅极电极、连接至第一电源的第一电极、以及连接至所述第四薄膜晶体管的所述第一电极的所述第二电极。附图说明被包括来给本专利技术提供进一步理解并结合在本说明书中组成本申请文件一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是示意性图解根据本专利技术的有机发光二极管显示器的示图；图2是示意性图解图1中所示的像素的构造图；图3是显示图2的像素的电路构造的示例的示图；图4是示意性图解一种有机发光二极管显示器中的像素的驱动TFT以及与其相邻的区域的俯视平面图；图5是示意性图解根据本专利技术第一典型实施方式的有机发光二极管显示器中的像素的驱动TFT以及与其相邻的区域的俯视平面图；图6是沿图5的I-I’截取的剖面图；图7是示意性图解根据本专利技术第二典型实施方式的有机发光二极管显示器中的像素的驱动TFT以及与其相邻的区域的俯视平面图；以及图8是沿图7的II-II’截取的剖面图。具体实施方式现在将详细参照附图中图解的实施方式。只要可能，在附图和说明书中使用相同的参考标记指代相同或相似的部分。如果确定已知技术可能误导与本专利技术实施方式有关的读者时，将省略已知技术的详细描述。在描述各种实施方式时，可针对特定典型实施方式给出相同或相似部分的描述，根据该描述并且为了简洁，在其他典型实施方式中可省略相同或相似部分的描述。图1是示意性图解根据本专利技术的有机发光二极管显示器的示图。图2是示意性图解图1中所示的像素的构造图。图3是显示图2的像素的电路构造的示例的示图。参照图1，根据本专利技术的有机发光二极管显示器10包含显示驱动器电路和显示面板DIS。显示驱动器电路包含数据驱动电路12、栅极驱动电路14和时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器(10)，包含像素，其中每个像素具有驱动薄膜晶体管(DT)，所述驱动薄膜晶体管(DT)用于基于施加至所述驱动薄膜晶体管(DT)的栅极电极(DG)的电压调整流过有机发光二极管(OLED)的电流，所述有机发光二极管显示器(10)进一步包含：与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)相邻的信号线(DL1)；和位于所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)上方的第一屏蔽电极(TM)，在所述第一屏蔽电极(TM)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间有第一绝缘层(IN2)，其中所述第一屏蔽电极(TM)比所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)向着所述信号线(DL1)更进一步突出。

【技术特征摘要】
2015.11.27 KR 10-2015-01674851.一种有机发光二极管显示器(10)，包含像素，其中每个像素具有驱动薄膜晶体管(DT)，所述驱动薄膜晶体管(DT)用于基于施加至所述驱动薄膜晶体管(DT)的栅极电极(DG)的电压调整流过有机发光二极管(OLED)的电流，所述有机发光二极管显示器(10)进一步包含：与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)相邻的信号线(DL1)；和位于所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)上方的第一屏蔽电极(TM)，在所述第一屏蔽电极(TM)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间有第一绝缘层(IN2)，其中所述第一屏蔽电极(TM)比所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)向着所述信号线(DL1)更进一步突出。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述信号线(DL1)与所述第一屏蔽电极(TM)之间的距离比所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间的距离短。3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一屏蔽电极(TM)构造成连接至第一恒定电压源(EVDD)。4.根据前述权利要求任一项所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一屏蔽电极(TM)构造成第一电容器(C1)。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中：在所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间形成有寄生电容器；所述第一电容器(C1)是通过所述第一屏蔽电极(TM)和所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)的重叠而形成的；并且所述第一电容器(C1)具有比所述寄生电容器高的电容。6.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电容器(C1)构造成抑制像素电压放电。7.根据前述权利要求任一项所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光二极管显示器(10)进一步包含：位于所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)下方的第二屏蔽电极(BM)，在所述第二屏蔽电极(BM)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间有第二绝缘层(IN1)，其中所述第二屏蔽电极(BM)比所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)向着所述信号线(DL1)更进一步突出。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述信号线(DL1)与所述第二屏蔽电极(BM)之间的距离比所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间的距离短。9.根据权利要求7或8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洛禹，沈载昊，余东炫，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR