有机发光二极管显示器制造技术

本发明专利技术公开一种有机发光二极管（OLED）显示器。该OLED显示器包括：基板、形成在所述基板上并具有倾斜侧壁的光路引导层、形成在所述基板和所述光路引导层上的有机发光二极管（OLED）以及形成在所述OLED上并且形成为与所述倾斜侧壁对应的相变层。因此，在所述OLED显示器中，所述相变层被形成在所述光路引导层中，从而可以将光路引导层增大的外部光反射最小化。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器
本专利技术涉及能够提高光效率并降低外部光反射比的有机发光二极管（0LED)显示 器。
技术介绍
有机发光二极管（0LED)显示器包括有机发光元件，每个有机发光元件由作为空穴 注入电极的阳极、有机发光层和作为电子注入电极的阴极构成。有机发光元件中的每一个 通过激子从激发态降低到基态时产生的能量发光，激子是在有机发光层中通过电子和空穴 的结合而产生的，并且0LED显示器使用光发射来显示预定图像。 由于有机发光二极管（0LED)显示器的有机发光层产生的光部分地或全部地被诸 如阳极、阴极或薄膜晶体管（TFT)的驱动配线反射，因此发射到外部的光的效率降低。为了 解决该问题，形成谐振结构，其中有机层的厚度被控制以便产生光的相长干涉以提高光效 率。在具有谐振结构的有机发光二极管（0LED)显示器中，光效率得以提高，但能见度由于 在一侧的色偏而变差。 在背景部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，因此它可 以包含并不组成本国内为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够提高光效率并降低外部光反射比的有机发光二极管（0LED) 显示器。 根据本专利技术示例性实施例的0LED显示器可以包括：基板；形成在所述基板上并 且具有倾斜侧壁的光路引导层；形成在所述基板和所述光路引导层上的有机发光二极管 (0LED);以及形成在所述0LED上并且形成为与所述倾斜侧壁对应的相变层。 所述相变层可以包括相变膜和形成在所述相变膜上的半透膜。 所述0LED可以包括：形成在所述基板和所述光路引导层上的第一电极；形成在所 述光路引导层上以覆盖所述第一电极的边缘的像素限定层；形成在所述第一电极上的有机 发光构件；以及形成在所述有机发光构件上的第二电极。 所述第二电极可以包括：形成为与所述光路引导层的所述倾斜侧壁对应的第二电 极侧壁；并且所述相变层可以形成在所述第二电极侧壁上。 所述相变层可以是倾斜的。 所述第一电极可以包括形成在所述光路引导层的所述倾斜侧壁上的第一电极侧 壁；并且所述第一电极侧壁可以面对所述相变层。 所述第一电极可以是反射电极。 所述相变层的长度可以小于所述第二电极侧壁的长度。 另外，根据本专利技术另一实施例的0LED显示器可以包括：基板；形成在所述基板上 并且具有倾斜侧壁的光路引导层；形成在所述光路引导层的所述倾斜侧壁上的相变层；以 及形成在所述基板和所述光路引导层上的OLED。 所述相变层可以包括形成在所述倾斜侧壁上的半透膜和形成在所述半透膜上的 相变膜。 所述0LED可以包括：形成在所述光路引导层上的第一电极；形成在所述光路引导 层上以覆盖所述第一电极的边缘的像素限定层；形成在所述第一电极上的有机发光构件； 以及形成在所述有机发光构件上的第二电极。 所述相变层可以是倾斜的。 所述第二电极可以包括：形成为与所述光路引导层的所述倾斜侧壁对应的第二电 极侧壁；并且所述第二电极侧壁可以面对所述相变层。 所述第二电极可以是反射电极。 所述相变层的长度可以小于所述倾斜侧壁的长度。 另外，根据本专利技术另一示例性实施例0LED显示器可以包括：基板；形成在所述基 板上的驱动配线；形成在所述驱动配线上的滤色器；以及形成在所述滤色器上的0LED ;并 且相变层可以形成在所述驱动配线与所述基板之间。 所述相变层可以包括形成在所述驱动配线下的相变膜和形成在所述相变膜下的 半透膜。 所述0LED显示器可以进一步包括：形成在所述滤色器与所述0LED之间的光路引 导层，所述光路引导层具有倾斜侧壁；并且所述0LED可以包括：形成在所述光路引导层上 的第一电极；形成在所述光路引导层上以覆盖所述第一电极的边缘的像素限定层；形成在 所述第一电极上的有机发光构件；以及形成在所述有机发光构件上的第二电极。 所述第二电极可以包括形成在所述光路引导层上的第二电极侧壁，并且所述第二 电极是反射电极。 所述驱动配线可以包括开关薄膜晶体管（TFT)和驱动TFT。 在根据本专利技术示例性实施例的0LED显示器中，形成具有倾斜侧壁的光路引导层， 以便有机发光构件产生的光被完全反射，从而提高光效率。 另外，在光路引导层中形成相变层，从而可以将由光路引导层增大的外部光反射 比最小化。 另外，在后表面发光型0LED中，相变层形成在驱动配线下，从而可以去除驱动配 线导致的外部光反射。 另外，在后表面发光型0LED中，由于相变层形成在驱动配线下，由于谐振结构的 有机发光构件和滤色器形成为使得可以有效地阻挡外部光，并且由于不需要使用用于阻挡 外部光的附加偏振板，因此可以降低制造成本。 【附图说明】 由于通过参照以下详细描述，在结合附图考虑时，本专利技术变得更好理解，因此本发 明的更完整理解及其伴随的诸多优点会变得更容易明白，在附图中相同的附图标记指代相 同或相似的部件，附图中： 图1是根据本专利技术第一示例性实施例的有机发光二极管（0LED)显示器的像素的 等效电路图。 图2是根据本专利技术第一示例性实施例的0LED显示器的剖视图。 图3是图示根据本专利技术第一示例性实施例的0LED显示器的相变层的外部光相消 操作的视图。 图4是根据本专利技术第二示例性实施例的0LED显示器的剖视图。 图5是根据本专利技术第三示例性实施例的0LED显示器的剖视图。 图6是根据本专利技术第四示例性实施例的0LED显示器的剖视图。 图7是根据本专利技术第五示例性实施例的0LED显示器的剖视图。 【具体实施方式】 下文中，将参照附图更充分地描述本专利技术，附图中示出本专利技术的示例性实施例。本 领域技术人员将认识到，可以在不超出本专利技术的精神或范围的情况下以各种不同的方式来 对所描述的实施例进行修改。 为了使本专利技术清楚，省略了与描述无关的部件。在整个说明书中，相同的附图标记 是指相同或相似的构成元件。 另外，由于附图中的构成元件的尺寸和厚度被任意地表示，以便更好理解和便于 描述，本专利技术不必局限于此。 附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被放大。在附图中，为了更好理 解和便于描述，部分层和区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元 件被提及位于另一元件上时，该元件可以直接位于另一元件上，也可以存在中间元件。 另外，除非进行相反的描述，否则词包括及其变形应当理解为暗含包括所述的 元件但不排除任何其它元件。另外，在整个说明书中，在…上意指一部分位于目标部分 上或下，而不必然意指该部分在重力方向上位于目标部分上。 另外，在附图中，图示了其中像素包括两个薄膜晶体管（TFT)和一个电容器的 2TrlCap结构的有源矩阵（AM)型有机发光二极管（0LED)显示器。然而，本专利技术不限于此。 因此，0LED显示器可以具有不同的结构，其中像素可以包括多个TFT和至少一个电容器，可 以进一步形成配线，并且可以省略传统的配线。这里，像素是指显示图像的最小单元，0LED 显示器通过多个像素显示图像。 现在将参照图1至图3详细描述根据第一示例性实施例的0LED显示器。 图1是根据本专利技术第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；形成在所述基板上并且具有倾斜侧壁的光路引导层；形成在所述基板和所述光路引导层上的有机发光二极管；以及形成在所述有机发光二极管上并且形成为与所述倾斜侧壁相对应的相变层。

【技术特征摘要】
2013.03.20 KR 10-2013-00299751. 一种有机发光二极管显不器，包括： 基板； 形成在所述基板上并且具有倾斜侧壁的光路引导层； 形成在所述基板和所述光路引导层上的有机发光二极管；以及 形成在所述有机发光二极管上并且形成为与所述倾斜侧壁相对应的相变层。2. 如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述相变层包括相变膜和形成在 所述相变膜上的半透膜。3. 如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光二极管包括： 形成在所述基板和所述光路引导层上的第一电极； 形成在所述光路引导层上以覆盖所述第一电极的边缘的像素限定层； 形成在所述第一电极上的有机发光构件；以及 形成在所述有机发光构件上的第二电极。4. 如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极包括：形成为与所 述光路引导层的所述倾斜侧壁相对应的第二电极侧壁；并且 其中所述相变层形成在所述第二电极侧壁上。5. 如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述相变层是倾斜的。6. 如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电极包括形成在所述光 路引导层的所述倾斜侧壁上的第一电极侧壁；并且 其中所述第一电极侧壁面对所述相变层。7. 如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电极是反射电极。8. 如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述相变层的长度小于所述第二 电极侧壁的长度。9. 一种有机发光二极管显不器，包括： 基板； 形成在所述基板上并且具有倾斜侧壁的光路引导层； 形成在所述光路引导层的所述倾斜侧壁上的相变层；以及 形成在所述基板和所述光路引导层上的有机发光二极管。10. 如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述相变层包括形成在所述倾 斜侧壁上的半透膜和形成在所述半透膜上的相变膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：白守珉，朴源祥，金敏佑，金一南，金在庆，崔海润，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR