本发明专利技术提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如利用了有机EL材料等发光材料的发光装置。
技术介绍
以往提出了在基板上平面状地排列了例如利用了有机EL材料的发光元件的发光装置作为各种电子设备的显示装置。专利文献1公开了在周围形成了围堰(bank)的区域形成发光元件的发光装置。具体而言，在基板的面上按照每个像素独立地形成的第1电极(阳极)的周围形成有围堰，在围堰所包围的区域形成有发光层，并遍及基板的整个区域形成有覆盖发光层和围堰的第2电极(阴极)。在各发光元件形成有使来自发光层的射出光在反射层与半透光反射层(第2电极)之间共振的共振结构。共振结构的共振波长根据在反射层与半透光反射层之间形成的光路长调整层的膜厚按照各像素的显示颜色独立地设定。专利文献：日本特开2010－56017号公报在专利文献1的技术中，按照与不同的显示颜色对应的每个像素而反射层与半透光反射层之间的光路长调整层的膜厚不同，所以在与光路长调整层相比形成于上层的各层产生起因于光路长调整层的膜厚的不同的阶梯差。另外，在专利文献1的技术中，在基板上形成有围堰的区域和与各发光元件对应地除去了围堰的区域(例如发光区域)之间，产生与围堰的膜厚对应的阶梯差。各层的阶梯差能够成为例如导电层的断开、短路等成膜不良的原因。
技术实现思路
考虑以上的情况，本专利技术的目的在于降低发光装置中各层的阶梯差。为了解决以上的课题，本专利技术的发光装置在基体上形成有：第1发<br>光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在反射层与半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与第1发光元件以及第2发光元件的各个对应的开口部，第1发光元件中的反射层以及半透光反射层的第1间隔与第2发光元件中的反射层以及半透光反射层的第2间隔不同，且像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量。根据以上的构成，像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量，所以能够降低起因于像素定义层的膜厚的各层的阶梯差。此外，在各发光元件形成有使来自发光功能层的射出光在反射层与半透光反射层之间共振的共振结构，并且，在反射层与半透光反射层之间形成有具有与各发光元件对应的开口部的像素定义层的构成中，像素定义层的开口部的内周面的附近的区域的反射层与半透光反射层的间隔因像素定义层的膜厚的影响而与目标的间隔(与显示颜色对应的共振长度)不同，结果有感知到与所期望的显示颜色不同的显示颜色的可能性。在上述的优选的方式中，像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量。因此，与像素定义层的膜厚大于第1间隔与第2间隔的差量的构成相比较，有像素定义层给予像素定义层的开口部的内周面的附近的区域的反射层与半透光反射层的间隔的影响降低这样的优点。在本专利技术的优选的方式中，发光装置具备覆盖第1发光元件以及第2发光元件的密封层，且密封层的膜厚大于第1间隔与第2间隔的差量。在以上的方式中，以大于第1间隔与第2间隔的差量的膜厚形成密封层，所以有能够在密封层的表面有效地降低起因于各发光元件的共振长度的不同的阶梯差这样的优点。第1发光元件以及第2发光元件的各个包括第1电极、从第1电极观察位于与基体相反的一侧并且作为半透光反射层发挥作用的第2电极、以及位于第1电极与第2电极之间的发光功能层的构成中，密封层是直接与第2电极的表面接触的绝缘层(例如第1密封层71)。以上的各方式的发光装置例如作为显示装置利用于各种电子设备。具体而言，头戴式显示装置、摄像装置的电子取景器等能够作为本专利技术的电子设备的优选例来进行例示，但本专利技术的应用范围并不限定于以上的例示。附图说明图1是本专利技术的第1实施方式的发光装置的俯视图。图2是像素的电路图。图3是发光装置的剖视图。图4是发光装置的剖视图。图5是在基板上形成的各要素的说明图。图6是在基板上形成的各要素的说明图。图7是在基板上形成的各要素的说明图。图8是在基板上形成的各要素的说明图。图9是在基板上形成的各要素的说明图。图10是第1电源导电体以及第2电源导电体的示意图。图11是在基板上形成的各要素的说明图。图12是在基板上形成的各要素的说明图。图13是在基板上形成的各要素的说明图。图14是在基板上形成的各要素的说明图。图15是着眼于光路调整层的各显示像素的剖视图。图16是着眼于像素定义层的开口部的内周面的各显示像素的剖视图。图17是密封体的第2密封层的说明图。图18是着眼于第2实施方式的光路调整层的各显示像素的剖视图。图19是第3实施方式的发光装置的俯视图。图20是作为电子设备的一个例子的头戴式显示装置的示意图。具体实施方式第1实施方式图1是本专利技术的第1实施方式所涉及的发光装置100的俯视图。第1实施方式的发光装置100是在基板10的面上形成利用了有机EL材料的发光元件的有机EL装置。基板10是由硅(Si)等半导体材料形成的板状部件(半导体基板)，作为形成多个发光元件的基体(基底)利用。如图1所例示，基板10的表面区分为第1区域12和第2区域14。第1区域12是矩形形状的区域，第2区域14是包围第1区域12的矩形框状的区域。在第1区域12形成有向X方向延伸的多个扫描线22、与各扫描线22对应地向X方向延伸的多个控制线24、以及向与X方向交叉的Y方向延伸的多个信号线26。与多个扫描线22和多个信号线26的各交叉对应地形成有像素P(PD、PE)。因此，多个像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩阵状。在第2区域14设置有驱动电路30、多个安装端子36以及护圈38。驱动电路30是驱动各像素P的电路，构成为包括设置于在X方向夹着第1区域12的各位置的两个扫描线驱动电路32、和设置于第2区域14中向X方向延伸的区域的信号线驱动电路34。多个安装端子36夹着信号线驱动电路34形成在与第1区域12相反的一侧的区域内，经由与基板10接合的可挠性的布线基板(省略图示)与控制电路、电源电路等外部电路(例如安装在布线基板上的电子电路)电连接。第1实施方式的发光装置100通过与多个基板10相当的尺寸的原基板的切割(划线)一并形成多个。图1的护圈38防止原基板的切割时的冲击、静电的影响波及驱动电路30或者各像素P、水分从各基板10的端面(原基板的切割面)侵入。如图1所例示，护圈38形成为包围驱动电路30、多本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着所述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在所述反射层与所述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与所述第1发光元件以及所述第2发光元件的各个对应的开口部，所述第1发光元件中的所述反射层以及所述半透光反射层的第1间隔与所述第2发光元件中的所述反射层以及所述半透光反射层的第2间隔不同，所述像素定义层的膜厚小于所述第1间隔与所述第2间隔的差量。
【技术特征摘要】
2013.07.01 JP 2013-1377841.一种发光装置，其特征在于，
在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自
发光功能层的射出光在夹着所述发光功能层的反射层与半透光反射层
之间共振的共振结构；以及
像素定义层，其在所述反射层与所述半透光反射层之间用绝缘材料
形成，且形成有与所述第1发光元件以及所述第2发光元件的各个对应
的开口部，
所述第1发光元件中的所述反射层以及所述半透光反射层的第1间
隔与所述第2发光元件中的所述反射层以及所述半透光反射层的第2间
隔不同，
所述像素定义层的膜厚小于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：野泽陵一，天野温，腰原健，深濑章夫，岩田信一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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