IGBT驱动电路和变频器制动单元以及变频器制造技术

技术编号:10860693 阅读:149 留言:0更新日期:2015-01-01 11:17
本实用新型专利技术公开了一种IGBT驱动电路和变频器制动单元以及变频器,所述驱动电路,包括信号获取电路、光电转换电路和控制电路,所述控制电路包括:三个电阻、两个三极管和第一电容。当获取到的信号为低电平时,第一三极管开通,第二三极管关断,驱动电路输出高电平信号;当获取到的信号为高电平时,第一三极管关断,第二三极管开通,驱动电路输出低电平信号。可见本申请实施例中提供的所述IGBT驱动电路通过光电转换电路控制两个三极管的导通与截止,即可对与所述驱动电路相连的IGBT的通断进行控制,相对于现有技术中的IGBT驱动电路,用到的晶体管较少,所以本申请提供的所述IGBT驱动电路的生产制造成本较低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种IGBT驱动电路和变频器制动单元以及变频器,所述驱动电路,包括信号获取电路、光电转换电路和控制电路,所述控制电路包括:三个电阻、两个三极管和第一电容。当获取到的信号为低电平时,第一三极管开通,第二三极管关断,驱动电路输出高电平信号;当获取到的信号为高电平时,第一三极管关断,第二三极管开通,驱动电路输出低电平信号。可见本申请实施例中提供的所述IGBT驱动电路通过光电转换电路控制两个三极管的导通与截止,即可对与所述驱动电路相连的IGBT的通断进行控制,相对于现有技术中的IGBT驱动电路,用到的晶体管较少,所以本申请提供的所述IGBT驱动电路的生产制造成本较低。【专利说明】IGBT驱动电路和变频器制动单元以及变频器
本申请涉及驱动电路
,更具体地说,涉及一种绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)驱动电路。
技术介绍
当变频器等电力电子系统处于减速或者停机过程中时,产生的能量会回馈至变频器,此时需要对回馈的能量进行处理,通常现有技术中采用的方法为:在能量回馈时接入制动电阻消耗回馈的能量,所述制动电阻通常会与IGBT串联,通过控制IGBT的导通与关断就能实现制动电阻的通断。 IGBT驱动电路多由专用驱动光耦构成,但是其价格较贵,而且制动用的IGBT的开关频率非常低,采用普通的光耦即可,图1为现有技术中的常用的制动用IGBT的驱动电路的结构图。从图1可以看出,驱动电路采用的器件很多,从而使所述IGBT驱动电路的制造成本较高,对所述IGBT驱动电路的生产制造产生影响。
技术实现思路
有鉴于此,本申请提供一种IGBT驱动电路,以降低所述IGBT驱动电路的制造成本。 为了实现上述目的,现提出的方案如下: 一种IGBT驱动电路,包括信号获取电路、光电转换电路和控制电路,所述控制电路包括: 所述信号获取电路输出端与所述光电转换电路输入端相连; 所述光电转换电路的输出端与所述控制电路的输入端相连; 发射极相连的第一三极管和第二三极管,所述第一三极管的集电极输入有第一正电压,所述第二三极管的集电极输入有第一负电压,所述第一和第二三极管的基极通过第一电阻相连,所述第一和第二三极管的集电极通过第一电容相连,所述第二三极管的基极作为所述控制电路的输入端; 一端与所述第二三极管基极相连,另一端与所述第二三极管集电极相连的第二电阻; 第一端与所述第一三极管发射极相连、第二端作为所述IGBT驱动电路输出端的第二电阻。 优选的,上述IGBT驱动电路中,所述第一三极管为NPN管,所述第二三极管为PNP管。 优选的,上述IGBT驱动电路中,所述控制电路还包括: RC电路,所述RC电路的一端与所述第三电阻的第二端相连,另一端与所述第二三极管的集电极相连;所述RC电路由并联的电容和电阻组成。 优选的,上述IGBT驱动电路中,所述控制电路还包括: 稳压二极管,所述稳压二极管的稳压与所述第三电阻的第二端相连,阳极与所述第二三极管的集电极相连。 优选的,上述IGBT驱动电路中,所述信号获取电路包括: 第一端输入有第二正电压的第四电阻,第二端作为信号获取电路的输出端; 一端与所述第四电阻第二端相连,另一端作为驱动电路输入接口的第二电容; 与所述第二电容并联的第五电阻。 优选的,上述IGBT驱动电路中,所述光电转换电路为:光耦器。 一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动电路,包括信号获取电路、光耦器和控制电路; 所述信号获取电路输出端与光稱器的第一和第二输入端相连; 所述光耦器的第二输出端与所述控制电路的输入端相连; 所述控制电路包括: 发射极相连的第一三极管和第二三极管,所述第一三极管的集电极输入有第一正电压,所述第二三极管的集电极输入有第一负电压,所述第一和第二三极管的基极直接相连,所述第一和第二三极管的集电极通过第一电容相连,所述第二三极管的基极作为所述控制电路的输入端; —端与所述第一三极管集电极相连、另一端与所述光稱器第一输出端相连的第一电阻; 一端与所述第二三极管基极相连,另一端与所述第二三极管集电极相连的第二电阻; 第一端与所述第一三极管发射极相连、第二端作为所述IGBT驱动电路输出端的第二电阻。 优选的,上述IGBT驱动电路中的控制电路还可以包括: RC滤波电路,所述RC滤波电路的一端与所述第三电阻的第二端相连,另一端与所述第二三极管的集电极相连; 稳压二极管,所述稳压二极管的一端与所述第三电阻的第二端相连,另一端与所述第二三极管的集电极相连。 优选的,上述IGBT驱动电路中的所述信号获取电路包括: 第一端输入有第二正电压的第四电阻; 一端与所述第四电阻相连另一端作为驱动电路输入接口的第二电容; 与所述第二电容并联的第五电阻。 一种变频器制动单元,所述制动单元慰有包括上述任意一项IGBT驱动电路。 一种变频器,所述变速器包括上述任意一项所述的IGBT驱动电路。 从上述的技术方案可以看出,本申请公开的IGBT驱动电路,通过光电转换电路控制两个三极管的导通,即可对与所述驱动电路相连的IGBT的通断进行控制,相对于现有技术中的IGBT驱动电路,用到的晶体管较少,所以本申请提供的所述IGBT驱动电路的生产制造成本较低。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有技术中的IGBT驱动电路的结构图; 图2为本申请实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图; 图3为本申请另一实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图; 图4为本申请又一个实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图; 图5为本申请再一个实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图; 图6为本申请再一个实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图。 【具体实施方式】 针对于现有技术中的所述IGBT驱动电路的制造成本较高的问题,本申请提供一种生产制造成本较低的IGBT驱动电路。 下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。 图2为本申请实施例公开的一种IGBT驱动电路的结构图。 如图所示,所述IGBT驱动电路包括信号获取电路1、光电转换电路2和控制电路3,其中: 所述信号获取电路输出端与所述光电转换电路输入端相连; 所述光电转换电路的输出端与所述控制电路的输入端相连; 所述控制电路3可以包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一三极管Q1、第二三极管Q2和第一电容Cl。 其中,所述控制电路的具体结构可以为: 所述第一三极管Ql和第二三极管Q2的发射极直接相连,所述第一三极管的集电极输入有第一正本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种IGBT驱动电路,包括信号获取电路、光电转换电路和控制电路,其特征在于, 所述信号获取电路输出端与所述光电转换电路输入端相连; 所述光电转换电路的输出端与所述控制电路的输入端相连; 所述控制电路包括: 发射极相连的第一三极管和第二三极管,所述第一三极管的集电极输入有第一正电压,所述第二三极管的集电极输入有第一负电压,所述第一和第二三极管的基极通过第一电阻相连,所述第一和第二三极管的集电极通过第一电容相连,所述第二三极管的基极作为所述控制电路的输入端; 一端与所述第二三极管基极相连,另一端与所述第二三极管集电极相连的第二电阻; 第一端与所述第一三极管发射极相连、第二端作为所述IGBT驱动电路输出端的第三电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹先文
申请(专利权)人:深圳市英威腾电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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