一种发动机电源驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发动机电源驱动电路，其包括：厚膜集成电路及其外围电路、功率放大电路及钳位限流电路；所述厚膜集成电路及其外围电路(1)采用ICBTM57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集成电路及其外围电路包括电阻R1、发光二极管D1、选择开关OP1、电阻R2、反相器UB1及电容C3、电容C4，所述功率放大电路包括二极管D2、D3、D4、电阻R3、三极管Q1、电阻R4-R8，三极管Q2，所述钳位限流电路包括电阻R9、电容C5及限流二极管Z1、Z2及Z3；本实用新型专利技术减小了电路体积、成本小、结构紧凑、驱动效果好、电源利用率高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种发动机电源驱动电路，其包括：厚膜集成电路及其外围电路、功率放大电路及钳位限流电路；所述厚膜集成电路及其外围电路（1)采用ICBTM57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集成电路及其外围电路包括电阻R1、发光二极管D1、选择开关0P1、电阻R2、反相器UB1及电容C3、电容C4，所述功率放大电路包括二极管D2、D3、D4、电阻R3、三极管Q1、电阻R4-R8，三极管Q2，所述钳位限流电路包括电阻R9、电容C5及限流二极管Z1、Z2及Z3;本技术减小了电路体积、成本小、结构紧凑、驱动效果好、电源利用率高。【专利说明】一种发动机电源驱动电路
本技术涉及开关电源
，尤其涉及到一种发动机电源驱动电路。
技术介绍
目前，发动机的开关电源的电路主要包括输入电路、开关管、输出电路、驱动电路，一般的开关电源的开关管，采用普通三极管或者P沟道MOSFET管，优点是驱动电路结构简单，但因三极管饱和压降大、P沟道MOSFET管的内阻大，输出电流稍微大一点，开关管的损耗就很大，因此电源的效率极低。如果开关管采用内阻很小N沟道MOSFET管，损耗就明显减小效率提高，但其驱动电路变得比较复杂。目前基本上都是采用PWM(脉宽调制)集成电路+驱动变压器、自举升压电路来驱动N沟道MOSFET管，专利申请号为CN 201854184 U的专利公开了一种BUCK电路，包括有开关管Q1、输出电路、驱动电路、自举升压电路、脉宽调制电路，但是现有技术中驱动电路的变压器体积大，故障率高，也不利于产品小型化，元器件较多，成本高，性能不稳定。
技术实现思路
针对以上现有技术中的不足，本技术的目的在于提供一种减小了电路体积、成本小、结构紧凑、驱动效果好、电源利用率高的发动机电源驱动电路。 本技术的技术方案如下:一种发动机电源驱动电路，其包括:厚膜集成电路及其外围电路、功率放大电路及钳位限流电路；其中所述厚膜集成电路及其外围电路采用ICBT M57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集成电路及其外围电路包括电阻RU发光二极管D1、选择开关0P1、电阻R2、反相器UBl及电容C3、电容C4，所述功率放大电路包括二极管D2、D3、D4、电阻R3、三极管Q1、电阻R4-R8，三极管Q2，所述钳位限流电路包括电阻R9、电容C5及限流二极管Z1、Z2及Z3 ； 所述电阻Rl —端接+5V电源，另一端与发光二极管Dl的正极相连接，所述发光二极管Dl的负向端与选择开关OPl的负极相连接，所述选择开关OPl的负极接地，所述选择开关OPl的正极的正向导通端通过电阻R2与ICBT M57962L芯片的VCC端相连接，所述ICBT M57962L芯片的VCC端通过电容C3及电容C4与VEE端子连接，所述电容C3及电容C4的两端还并联有电容Cl及C2，所述ICBT M57962L芯片的VCC端还通过限流二极管Z1、电阻R3、二极管D2-D4连接输出端子C，所述ICBT M57962L芯片的VOUT端子一路与三极管Ql的基极相连接，一路与三极管Q2的基极相连接，一路通过电阻R5与测试端G相连接，所述电阻R5两端并联有电阻R4及R7，所述三极管Ql的发射极与电阻R4及R7之间的连接点相连接，所述电阻R5两端还并联有电阻R6及R8，所述三极管Q2的发射极与电阻R6及R8之间的连接点相连接，所述电容C3、C4之间的连接点作为输出端子E，所述输出端子E与电阻R5之间还设置有限流二极管Z2及Z3，所述限流二极管Z2及Z3之间还并联有电阻R9及电容C5。 进一步的，所述光耦的隔离电压为2500V，频率为20kHz，所述ICBT M57962L芯片的VEE为双电源15V/18V。 进一步的，所述三极管Ql采用D44VH10，所述三极管Q2采用D45VH10。 本技术的优点及有益效果如下: 本技术采用厚膜集成电路及其外围电路、功率放大电路及钳位限流电路，采用厚膜集成电路M57962L芯片来驱动电源，功率放大电路来对大功率发动机的电源进行功率放大，钳位限流电路对输出电流进行调节抑制，达到稳定输出电流并驱动电源的目的。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术发动机电源驱动电路示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图给出一个非限定性的实施例对本技术作进一步的阐述。 参照图1所示，一种发动机电源驱动电路，其包括:厚膜集成电路及其外围电路 1、功率放大电路2及钳位限流电路3 ;其中所述厚膜集成电路及其外围电路I采用ICBTM57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集成电路及其外围电路I包括电阻R1、发光二极管D1、选择开关0P1、电阻R2、反相器UBl及电容C3、电容C4，所述功率放大电路2包括二极管D2、D3、D4、电阻R3、三极管Ql、电阻R4-R8，三极管Q2，所述钳位限流电路3包括电阻R9、电容C5及限流二极管Zl、Z2及Z3 ； 所述电阻Rl —端接+5V电源，另一端与发光二极管Dl的正极相连接，所述发光二极管Dl的负向端与选择开关OPl的负极相连接，所述选择开关OPl的负极接地，所述选择开关OPl的正极的正向导通端通过电阻R2与ICBT M57962L芯片的VCC端相连接，所述ICBT M57962L芯片的VCC端通过电容C3及电容C4与VEE端子连接，所述电容C3及电容C4的两端还并联有电容Cl及C2，所述ICBT M57962L芯片的VCC端还通过限流二极管Z1、电阻R3、二极管D2-D4连接输出端子C，所述ICBT M57962L芯片的VOUT端子一路与三极管Ql的基极相连接，一路与三极管Q2的基极相连接，一路通过电阻R5与测试端G相连接，所述电阻R5两端并联有电阻R4及R7，所述三极管Ql的发射极与电阻R4及R7之间的连接点相连接，所述电阻R5两端还并联有电阻R6及R8，所述三极管Q2的发射极与电阻R6及R8之间的连接点相连接，所述电容C3、C4之间的连接点作为输出端子E，所述输出端子E与电阻R5之间还设置有限流二极管Z2及Z3，所述限流二极管Z2及Z3之间还并联有电阻R9及电容C5。 优选的，所述光耦的隔离电压为2500V，频率为20kHz Jy^iSlCBT M57962L芯片的VEE为双电源15V/18V。 优选的，所述三极管Ql采用D44VH10，所述三极管Q2采用D45VH10。 以上这些实施例应理解为仅用于说明本技术而不用于限制本技术的保护范围。在阅读了本技术的记载的内容之后，技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本技术权利要求所限定的范围。【权利要求】1.一种发动机电源驱动电路，其特征在于包括:厚膜集成电路及其外围电路(I)、功率放大电路⑵及钳位限流电路⑶；其中所述厚膜集成电路及其外围电路⑴采用ICBTM57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发动机电源驱动电路，其特征在于包括：厚膜集成电路及其外围电路(1)、功率放大电路(2)及钳位限流电路(3)；其中所述厚膜集成电路及其外围电路(1)采用ICBT M57962L芯片，所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路；所述厚膜集成电路及其外围电路(1)包括电阻R1、发光二极管D1、选择开关OP1、电阻R2、反相器UB1及电容C3、电容C4，所述功率放大电路(2)包括二极管D2 、D3、D4、电阻R3、三极管Q1、电阻R4‑R8，三极管Q2，所述钳位限流电路(3)包括电阻R9、电容C5及限流二极管Z1、Z2及Z3；所述电阻R1一端接+5V电源，另一端与发光二极管D1的正极相连接，所述发光二极管D1的负向端与选择开关OP1的负极相连接，所述选择开关OP1的负极接地，所述选择开关OP1的正极的正向导通端通过电阻R2与ICBT  M57962L芯片的VCC端相连接，所述ICBT  M57962L芯片的VCC端通过电容C3及电容C4与VEE端子连接，所述电容C3及电容C4的两端还并联有电容C1及C2，所述 ICBT  M57962L芯片的VCC端还通过限流二极管Z1、电阻R3、二极管D2‑D4连接输出端子C，所述ICBT  M57962L芯片的VOUT端子一路与三极管Q1的基极相连接，一路与三极管Q2的基极相连接，一路通过电阻R5与测试端G相连接，所述电阻R5两端并联有电阻R4及R7，所述三极管Q1的发射极与电阻R4及R7之间的连接点相连接，所述电阻R5两端还并联有电阻R6及R8，所述三极管Q2的发射极与电阻R6及R8之间的连接点相连接，所述电容C3、C4之间的连接点作为输出端子E，所述输出端子E与电阻R5之间还设置有限流二极管Z2及Z3，所述限流二极管Z2及Z3之间还并联有电阻R9及电容C5。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：重庆金佛果电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85