磁记录介质的制造方法及磁记录介质技术

本发明专利技术的目的在于提供错误产生率低的磁记录介质的制造方法及磁记录介质。一种磁记录介质的制造方法，其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法，其中，包括在所述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形，所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的Al2O3，B2O3的含量为0.1摩尔％以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为0摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为20摩尔％以下。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质的制造方法及磁记录介质
本专利技术涉及磁记录介质的制造方法及磁记录介质。
技术介绍
作为在磁记录装置等中使用的磁记录介质用基板，以往一直使用铝合金基板，但 随着高记录密度化的要求，比铝合金基板硬且平坦性、平滑性优良的玻璃基板成为主流。 近年来，由于磁记录介质的高记录密度化、高速旋转化进一步发展,开始比以往更 多地产生磁头看丢记录有磁记录介质的半径/磁道位置信息的伺服信息而产生读取/写入 错误（以下均记载为错误）的现象。 认为这种错误的产生原因在于，由高记录密度化所带来的磁道宽度狭窄化、高速 旋转化所带来的光盘颤动的产生而引起的机械性振动。 因此，为了抑制这种错误，例如使用比弹性模量高的材料作为磁记录介质用玻璃 基板的材料来抑制颤动。需要说明的是，比弹性模量也称为比杨氏模量，是用杨氏模量除以 玻璃的密度而得到的量，是作为表示轻且强、轻且不易变形的特性的指针的量。 另外，专利文献1中记载了一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其通过选择厚度方 向的对称性在规定范围内的磁记录介质用玻璃基板来减少制成硬盘时记录在磁记录介质 中的伺服信息的错误。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-277679号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 如上所述，以往一直在研究通过选择磁记录介质用的玻璃基板来抑制磁记录介质 的错误产生的方法，但并不能充分抑制错误的产生。 因此，鉴于上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供错误的产生率低的 磁记录介质的制造方法。 用于解决问题的方法 为了解决上述问题，本专利技术提供一种磁记录介质的制造方法，其为包含玻璃基板 的磁记录介质的制造方法，其中，包括在上述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至 少任意一种变形，上述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的A1 203, B203的含量为0. 1摩尔％ 以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为0 摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大 于0摩尔％且为20摩尔％以下。 专利技术效果 根据本专利技术，能够提供错误的产生率低的磁记录介质的制造方法。 【附图说明】 图1是屈曲变形和弯曲变形的说明图。 图2是磁性层成膜工序中的保持夹具的构成例的说明图。 图3是滞弹性变形量的测定流程的说明图。 图4是滞弹性变形量测定时附加载荷的方法的说明图。 图5是表不本专利技术的实施例中刚除去载荷后的平坦度对除去载荷如的载荷施加 时间的依赖性的图。 图6是表不本专利技术的实施例中刚除去载荷后的平坦度对除去载荷如的载荷施加 时间的依赖性的图。 图7是表示本专利技术的实施例中施加24小时载荷后、除去载荷后的平坦度对解除载 荷后经过时间的依赖性的图。 图8是表示本专利技术的实施例中施加24小时载荷后、除去载荷后的平坦度对解除载 荷后经过时间的依赖性的图 【具体实施方式】 以下，参照附图对本专利技术的【具体实施方式】进行说明，但本专利技术并不限于下述实施 方式，在不脱离本专利技术范围的情况下，可以对下述实施方式施加各种变形和替换。 第一实施方式 对本实施方式的磁记录介质的制造方法的构成例进行说明。 本实施方式的磁记录介质的制造方法为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法， 其中，包括在玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。 并且，玻璃基板的玻璃可以含有5摩尔％以上的A1203。 此外，玻璃基板的玻璃可以将B203的含量设定为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以 下；或者玻璃基板的玻璃所含有的碱金属氧化物可以为一种以下，碱金属氧化物的含量可 以为0摩尔％以上且25摩尔％以下；或者可以含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化 物的含量可以设定为大于〇摩尔％且为20摩尔％以下。 本专利技术的专利技术人对于即使在使用比弹性模量高的材料作为玻璃基板（磁记录介 质用玻璃基板）的材料时仍在磁记录介质中发生错误的原因进行了研究。需要说明的是， 比弹性模量也称为比杨氏模量，是用玻璃的杨氏模量除以玻璃的密度所得到的量，是作为 表示轻且强、轻且不易变形的特性的指针的量。 研究的结果发现：在磁记录介质的制造工序中对玻璃基板施加力（载荷）而产生 屈曲变形或弯曲变形的情况下，若变形后除去力（载荷）则玻璃基板会恢复成原来的形状， 但除去力（载荷）之后的行为因玻璃基板的玻璃组成而不同。即发现：虽然形状相同，但 根据玻璃组成，存在除去力（载荷）之后在短时间内恢复成原来形状的玻璃基板和除去力 (载荷）之后花费长时间慢慢地恢复成原来形状的玻璃基板。有时将这种从除去力（载荷） 到恢复成原来形状为止花费长时间的变形称为延迟恢复变形。需要说明的是，以下的记载 中，即使在只记载为变形的情况下，有时指的也是伴随延迟恢复变形的变形。 并且，在包含从除去力（载荷）到恢复原来变形为止花费长时间的玻璃基板的磁 记录介质的情况下，根据伺服信息的写入时机，会导致在玻璃基板（磁记录介质）复原的过 程中写入伺服信息。因此发现，在写入伺服信息之后其位置进一步发生变化，因而成为错误 产生的原因之一，从而完成了本专利技术。 在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，如上所述包括在制造工序之间在玻璃 基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。 在此，使用图1对屈曲变形和弯曲变形进行说明。 首先，使用图1 (A)对屈曲变形进行说明。图1 (A)表示从侧面观察玻璃基板10的 图。屈曲变形是指如下变形：按照图中块状箭头X1、X2所示，对玻璃基板10的侧面部施加 与玻璃基板10的主平面11、12平行的相对的两个力时，如图中虚线所示，玻璃基板在与主 平面11、12垂直的方向上所产生的变形。需要说明的是，在图1(A)中，示出了玻璃基板变 形为向下凸出的形状的示例，但并不限定于该形态，也可以变形为向上凸出的形状。 使用图1 (B)对弯曲变形进行说明。图1 (B)表示从侧面观察玻璃基板10的图。 弯曲变形是指如下变形：例如，对玻璃基板10的一个主平面11和另一个主平面12分别与 主平面11、12大致垂直地施加相对的力Y1、Y2,由此如图中虚线所示，玻璃基板在与主平面 11、12垂直的方向上所产生的变形。 在玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形是指：对单独的玻 璃基板或磁记录介质施加上述力，使单独的玻璃基板或玻璃基板与形成在玻璃基板的表面 上的磁性层等发生变形。需要说明的是，对磁记录介质施加力（载荷）的情况下，磁性层等 与玻璃基板的变形一起发生变形，因此对于磁记录介质而言也表现出与磁记录介质所包含 的玻璃基板同样的行为。另外，即使在玻璃基板的变形为延迟恢复变形的情况下，磁性层等 也同样地与玻璃基板的变形一起发生变形，因此对于磁记录介质而言也表现出与磁记录介 质所包含的玻璃基板同样的行为。 作为对玻璃基板施加力（载荷）的情况，可以考虑利用保持夹具保持玻璃基板并 进行输送的情况、将玻璃基板收纳在盒体等中进行输送的情况等，认为主要是在玻璃基板 与夹具等接触的状态下进行输送时产生变形。 如后所述，本实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法，其中，包括在所述玻璃基板中产生压曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形，所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的Al2O3，B2O3的含量为0.1摩尔％以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为0摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为20摩尔％以下。

【技术特征摘要】
2013.06.21 JP 2013-130269;2014.05.27 JP 2014-108921. 一种磁记录介质的制造方法，其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法，其中， 包括在所述玻璃基板中产生压曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形， 所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的A1203， B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以 下，碱金属氧化物的含量为〇摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧 化物，碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为20摩尔％以下。2. 如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中， 所述磁记录介质的制造方法具有选自于下述工序中的一个以上的工序：磁性层成膜工 序，将磁性层成膜在所述玻璃基板上；磁记录介质保持工序，将所述磁记录介质保持在盒体 内， 在选自于所述磁性层成膜工序和所述磁记录介质保持工序中的一个以上的工序中，在 所述玻璃基板中产生压曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。3. 如权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述玻璃基板的玻璃含有5 摩尔％以上且20摩尔％以下的A120 3。4. 如权利要求1?3中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述玻璃基板的玻 璃含有55摩尔％以上且75摩尔％以下的Si0 2和0摩尔％以上且30摩尔％以下的碱土金 属氧化物。5. -种磁记录介质，其为在玻璃基板上成膜有磁性层的用于写入伺服信息的磁记录介 质，其中， 所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的A1203， B203的含量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛哲也，西泽学，秋山顺，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP