单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物制造技术

一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物包括：a)10～98wt％的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分A；b)0.1～30wt％的含有至少3个Si-H基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分B；c)0.000001～1wt％的至少一种氢化硅烷化催化剂作为组分C；d)0.00001～5wt％的至少一种通式(I)的炔醇作为组分D，其中R1，R2，R3相互独立地选自H、C1-C6烷基及取代或未取代的C3-C6烷基；或R1选自H、C1-C6烷基及取代或未取代的C3-C6环烷基，且R2，R3结合在一起形成3～8元环，其可由一个或多个C1-C3烷基取代；e)0.1～10wt％的至少一种锻制二氧化硅作为组分E；及f)0～89.799989wt％的一种或多种选自F、G、H和I的其他组分；其中组分A至I的总和为100wt％。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物包括：a)10～98wt％的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分A；b)0.1～30wt％的含有至少3个Si-H基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分B；c)0.000001～1wt％的至少一种氢化硅烷化催化剂作为组分C；d)0.00001～5wt％的至少一种通式(I)的炔醇作为组分D，其中R1，R2，R3相互独立地选自H、C1-C6烷基及取代或未取代的C3-C6烷基；或R1选自H、C1-C6烷基及取代或未取代的C3-C6环烷基，且R2，R3结合在一起形成3～8元环，其可由一个或多个C1-C3烷基取代；e)0.1～10wt％的至少一种锻制二氧化硅作为组分E；及f)0～89.799989wt％的一种或多种选自F、G、H和I的其他组分；其中组分A至I的总和为100wt％。【专利说明】单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物
本专利技术涉及包括锻制二氧化硅和炔醇的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，及 使用所述组合物通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷保护涂层涂覆于印刷电路板，以及这样的 有机硅氧烷保护涂层。
技术介绍
电气和电子组件，特别是印刷电路板，近年来越来越小，以允许更高的封装密度。 由于湿气、灰尘及热和机械应力产生的这种组件的过早失效可通过保护漆或涂层防止。对 涂漆或涂层工艺提出了更高的要求。在许多情况下，除了允许均匀的层厚度及可重复的涂 层效果，它们必须还允许选择性漆涂覆。 接触区域、插头连接器、机械组件等不能被保护涂层润湿，因为这将不利地影响其 功能。此外，不均匀地涂覆的保护涂层，特别是在组件转角和边缘的涂层材料的积聚，将使 后续组装困难很多。常规的涂漆或涂层工艺通常不能充分地满足这个要求。 除了常规的涂层或涂漆工艺，最近建立了在无压缩空气（"无空气"）条件下涂覆 保护涂层的涂层工艺，特别是在印刷电路板的涂层中。这种涂漆或涂层工艺(下文中称为无 空气工艺）的不同之处特别在于下列事实：漆的涂敷可无喷雾并具有精确的边缘限定。不 像常规的涂层工艺，其中通过压缩空气雾化涂层材料，并且喷雾不可避免地形成，在无空气 工艺中通过使用特定涂头防止喷雾的产生。 涂头具有喷嘴，其开口形状是交叉切割的。由于其形状，所述喷嘴经常被称为交叉 切割喷嘴。当通过交叉切割喷嘴挤压涂层材料时，产生几毫米至几厘米宽的涂层幕(至少在 一定压力限制内），而不形成喷雾。这使得涂层材料能够精确地涂覆到组件表面的限定点。 此外，无空气工艺确保涂敷均匀的层厚度。而且，该工艺还具有经济优势。例如，其可以提 高材料利用率，因为没有通过喷雾损失任何东西。 然而，本专利技术的先决条件是，所述工艺中使用的涂层材料具有合适的粘度特性。重 要的是涂层材料的粘度在其通过交叉切割喷嘴时，其剪切粘度不大于120mPa*s。剪切粘度 较高时，涂层幕经常不打开或不能保持稳定。结果是涂层材料以不确定的射流或液滴形式 离开交叉切割喷嘴。这两种形式都不适用于多数电气和电子组件、特别是印刷电路板的涂 层。 如果涂层材料的粘度太低，存在这样的风险，即涂层材料在其涂覆到电气或电子 组件后流动，其可能导致层厚度变得不均匀厚或不打算涂覆的组件区域被覆盖有涂层材 料。为了防止这种情况，涂层团应该具有高粘度。此外，涂层团在涂覆后不能延伸且广泛地 分布在组件表面。通常可以使用高粘度的涂层团防止这些问题。在有机硅氧烷组合物的情 况下，粘度应该至少为5000mPa · S。 在 Cross-Cut Airless Spray Gun Nozzles, 2011，Nordson Corporation 中发现 了使用交叉切割喷嘴的无空气工艺的更全面的描述。原则上单组分、无溶剂的有机硅氧烷 组合物是已知的。其将保护涂层涂覆于电子和电气组件的用途也是已知的。通过通常已知 的常规方法，有机硅氧烷组合物首先被涂覆到无油脂和污垢的电子和电气组件，且随后在 温度为100至150°c时固化，然后形成有机娃氧烧保护涂层。 EP0510608A描述了与电气和电子组件具有良好粘附的单组分、无溶剂的有机硅氧 烷组合物。所述组合物包括聚二乙烯有机硅氧烷（A)、具有至少3个硅键合的氢原子的有机 硅氧烷（B)、钼基氢化硅烷化催化剂（C)、具有硅键合的羟基取代基和硅键合的乙烯基取代 基的聚有机硅氧烷（D)、增粘剂（E)，以及炔醇（F)，其保证单组分的组合物经过数月仍然能 稳定保存。 US5082894A公开了一种具有良好粘附性的单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合物， 其包括具有至少2个硅键合的烯基的液态聚二有机硅氧烷（A)、每个分子平均具有至少3个 娃键合的氢原子的有机氢娃氧烧（B)、钼基氢化娃烧化催化剂（C)、作为催化抑制剂具有至 少8个碳原子的炔醇（D)，以及增粘剂混合物（E)。这种单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合 物的粘度为300至500mPa · s。有机硅氧烷混合物的固化发生在低于150°C的温度下。 US5270425A同样描述了一种具有良好粘附性的单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合 物，其包括具有至少两个硅键合的烯基的液态聚二有机硅氧烷（A)、每个分子具有至少两个 硅键合的氢原子的聚有机硅氧烷（B)、钼基氢化硅烷化催化剂（C)、包括螯合铝络合物的增 粘剂混合物（D)，以及具有不超过6个碳原子的炔醇（E)。 由于其不超过500mPa *s的低粘度，这些有机硅氧烷混合物不适用于上述方法，其 中通过交叉切割喷嘴将涂层材料涂覆于电气和电子组件。由于其结构粘度不足，它们将在 涂覆于组件后流动。此外，这些有机硅氧烷混合物的固化通常在超过100°c时发生和/或固 化时间多于10分钟。然而，因为电子组件通常对温度非常敏感，所述有机硅氧烷混合物应 该在不超过100°c时在10分种后完成固化。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，其适合通过 交叉切割喷嘴涂覆于电气或电子组件，特别是印刷电路板。所述单组分、无溶剂的有机硅氧 烷组合物在涂覆后不流动。同时，所述单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物具有至少4个月 的储存稳定性及在100°c下10分钟内固化为薄膜。 该目的通过单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物实现，其包括： a)重量百分比10%至98%的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有 机硅氧烷，作为组分A ; b)重量百分比0. 1%至30%的含有至少3个Si-H基团的至少一种线性或支链聚有 机硅氧烷，作为组分B; c)重量百分比0. 000001%至1%的至少一种氢化硅烷化催化剂，作为组分C ; d)重量百分比0. 00001%至5%的至少一种通式（I)的炔醇，作为组分D 【权利要求】1. 一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，其包括： a) 重量百分比10%至98%的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅 氧烷，作为组分A ; b) 重量百分比0. 1%至30%的含有至少3个Si-H基团的至少一种线性或支链聚有机硅 氧烷，作为组分B ; c) 重量百分比0. 000001%至1%的至少一种氢化硅烷化催化剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，其包括：a)重量百分比10%至98%的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分A；b)重量百分比0.1%至30%的含有至少3个Si‑H基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分B；c)重量百分比0.000001%至1%的至少一种氢化硅烷化催化剂，作为组分C；d)重量百分比0.00001%至5%的至少一种通式(I)的炔醇，作为组分D，其中R1,R2,R3相互独立地选自H、C1‑C6烷基及取代或未取代的C3‑C6环烷基；或R1选自H、C1‑C6烷基及取代或未取代的C3‑C6‑环烷基，且R2,R3结合在一起形成3元至8元环，其可由一个或多个C1‑C3烷基取代；e)重量百分比0.1%至10%的至少一种锻制二氧化硅，作为组分E；f)重量百分比0%至89.799989%的含有两个Si‑H端基或一个Si‑H端基与一个烯基端基的一种或多种聚有机硅氧烷，作为组分F；g)重量百分比0%至20%的一种或多种聚环氧有机硅氧烷，作为组分G；h)重量百分比0%至30%的不同于组分A的一种或多种无环或环状有机硅氧烷，其具有1至5个硅原子并含有至少两个烯基，作为组分H；以及i)重量百分比0%至10%的一种或多种添加剂，作为组分I；其中组分A至I的总和为100%（重量百分比）。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金·巴斯蒂安·贝本罗斯，安德烈亚斯·施泰因曼，格罗尔德·施密特，
申请(专利权)人：艾伦塔斯有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE