电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉制造技术

本发明专利技术公开一种电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉。该电磁炉降反压电路包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第二降压电路的第一端连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。根据本发明专利技术的电磁炉降反压电路，能够降低IGBT的C极的反压，提高IGBT工作的安全性，并有效防止电磁炉发生炸机。

【技术实现步骤摘要】
电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉
本专利技术涉及电磁炉领域，具体而言，涉及一种电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，因此被广泛应用。电磁炉的工作电路中一般包括有IGBT和包括谐振电容的振荡电路，IGBT电路的C极与振荡电路连接，G极通入高频交流电，来驱动电路工作，对电磁炉上的锅具进行加热。由于电磁炉的G极通过的是30kHz左右的高频电流，因此IGBT导通时，在电感线圈上产生高频的交变电流，于是电感线圈在C极与振荡电路的连接位置自感出高电压，达千伏级别。由于振荡电路通过IGBT内部与G极相连，以及振荡电路通过高阻电阻或容值很小的电容(容值大则会影响振荡频率)反馈给控制放大电路放大后与G极相连，因此该自感高电压很易受到差模信号类的干扰，影响电磁炉的同步电路，因而容易出现E1(电压过高)保护或跳闸，甚至短路炸机。而此反压值较高，很容易击穿IGBT，功率越大，则反压也越高，从而造成IGBT损坏，导致电磁炉无法正常工作。
技术实现思路
本专利技术实施例中提供一种电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉，能够降低IGBT的C极的反压，提高IGBT工作的安全性，并有效防止电磁炉发生炸机。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种电磁炉降反压电路，包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第二降压电路的第一端连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。作为优选，第一降压电路和第二降压电路均包括至少一个电阻。作为优选，第一降压电路包括相互串联的第一电阻和第二电阻。作为优选，第一降压电路还包括第一发光二极管和第二发光二极管，第一发光二极管和第二发光二极管反向并联后与第一电阻和第二电阻串联。作为优选，第一发光二极管和第二发光二极管设置在第一电阻和第二电阻之间。作为优选，第一发光二极管和第二发光二极管其中至少之一为变色发光二极管。作为优选，第二降压电路包括相互串联的第三电阻和第四电阻。作为优选，第二降压电路还包括与第三电阻和第四电阻串接的第三发光二极管，第三发光二极管的导通方向为从C极向E极导通。作为优选，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻的阻值为10千欧至300千欧。根据本专利技术的另一方面，提供了一种电磁炉，包括电磁炉降反压电路，该电磁炉降反压电路为上述的电磁炉降反压电路。应用本专利技术的技术方案，电磁炉降反压电路包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第二降压电路的第一端连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。在该电磁炉降反压电路工作时，一旦振荡电路的电感线圈自感出高电压，或者IGBT电路自身在C极产生高电压时，就可以通过第一降压电路和第二降压电路来对C极所产生的电压进行降压，从而降低电磁炉的反压，降低IGBT电路和谐振电容的温升，延长谐振电容和IGBT的寿命，防止电磁炉损坏或者炸机，延长电磁炉的寿命。由于两个降压电路与零火线间的压敏电阻之间是并联的关系，因此可以分担压敏电阻的作用，与原电路的压敏电阻一起吸收干扰电压，从而形成非线性和线性的吸收保护作用。附图说明图1是本专利技术实施例的电磁炉降反压电路的工作原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细描述，但不作为对本专利技术的限定。如图1所示，根据本专利技术的实施例，电磁炉降反压电路包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第一降压电路的第一端与振荡电路交于A点，第二端与振荡电路交于B点后连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第一端与振荡电路交于B点之后连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。在该电磁炉降反压电路工作时，电磁炉的G极通过的是高频的电流，因此IGBT导通时，在电感线圈上产生高频的交变电流，电感线圈在B点自感出高电压，达千伏级别。一旦振荡电路的电感线圈在B点自感出高电压，或者IGBT电路在C极产生高电压时(C极与振荡电路的连接点和B点可以重合)，就可以通过第一降压电路和第二降压电路来对C极所产生的电压进行降压，从而降低电磁炉的反压，降低IGBT电路和谐振电容的温升，延长谐振电容和IGBT的寿命，防止电磁炉损坏或者炸机，延长电磁炉的寿命。第一降压电路和第二降压电路上均包括至少一个电阻。整流滤波电路包括桥式电路、第一电感线圈L1和第一电容C1。振荡电路为LC振荡电路，包括第二电容C2和第二电感线圈L2，振荡电路的第一端与整流滤波电路交于A点，第二端与IGBT电路交于B点。在该振荡电路工作时，当第二电容C2进入充电状态时，振荡电路相当于短路，此时第二发光二极管D2上的电压很低，因此不会发光。由于此时第二电感线圈L2上无自感电压，因此第一发光二极管D1也不会亮。在C2充电过程中，第二电容C2上电场能在增加，第二电感线圈L2磁场能在减小，回路中电流在减小，第二电容C2上电量在增加，此时第二发光二极管D2上的电压达到临界值，第二发光二极管D2点亮，电流通过线路3所示线路流动，即电流从第一降压电路经过后分别经由第二降压电路和IGBT电路流回整流过滤电路。当第二电容C2充电完毕后，开始进入放电过程，此时B点的自感高电压一部分通过线路1经第一降压电路导走，一部分通过线路2经第二降压电路导走。在第二电容C2放电的过程中，第二电容C2的电场能在减少，第二电感线圈L2的磁场能在增加，回路中电流在增加，第二电容C2上的电量在减少。此时在线路1中，振荡电路与第一降压电路之间形成回路，第一降压电路上的电阻与第二电容C2之间串联，能够对C2的电压进行降压，从而降低B点的自感高电压，此时感应电流从B点流向A点，第二发光二极管D2不亮，第一发光二极管D1导通点亮。在线路2中，第二降压电路上的电阻与第二电容C2之间串联，能够对第二电容C2的电压进行降压，从而降低B点的自感高电压，此时感应电流从B点经第二降压电路流向第一电容C1的第一端，对第二电容C2进行降压处理，以避免B点产生的自感高电压直接作用在IGBT电路的C极而造成IGBT电路击穿，有效保护IGBT电路。在本实施例中，第一降压电路包括相互串联的第一电阻R1和第二电阻R2。第一降压电路中包括两个电阻，可以使得两个电阻之间相互形成保护，短路其中任何一个电阻，第一降压电路仍然能够起到作用也不至于损坏，能够提高第一降压电路工作时的安全性和可靠性，提高整个电磁炉工作时的安全性。断路其中任本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁炉降反压电路，其特征在于，包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，所述电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，所述第一降压电路的两端分别连接至所述振荡电路的两端，所述第二降压电路的第一端连接至所述IGBT电路的C极，所述第二降压电路的第二端连接至所述IGBT电路的E极。

【技术特征摘要】
1.一种电磁炉降反压电路，其特征在于，包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，所述电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，所述第一降压电路的两端分别连接至所述振荡电路的两端，所述第二降压电路的第一端连接至所述IGBT电路的C极，所述第二降压电路的第二端连接至所述IGBT电路的E极；其中，所述第一降压电路和所述第二降压电路均包括至少一个电阻；所述第一降压电路包括相互串联的第一电阻和第二电阻；所述第一降压电路还包括第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管反向并联后与所述第一电阻和所述第二电阻串联。2.根据权利要求1所述的电磁炉降反压电路，其特征在于，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管设置在所述第一电阻和所述第二电阻之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨钟成，冯海杰，万今明，陈日豪，李方烔，邹鹏，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44