IGBT的栅极保护电路及电磁炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种IGBT的栅极保护电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极管Z；第一电阻R1和第二电阻R2串联形成第一支路，第一电容C1和第二电容C2串联形成第二支路，第一支路和第二支路并联后形成第一通路；第一电容C1和第二电容C2的相应公共端连接第一电阻R1和第二电阻R2的相应公共端；稳压二极管Z的阴极连接在第一通路的一端，稳压二极管Z的阳极连接IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，稳压二极管Z用于加快IGBT的关断速度。本实用新型专利技术还涉及一种电磁炉。本实用新型专利技术的IGBT的栅极保护电路及电磁炉，实现了IGBT的快速导通和关断，同时增强了IGBT的栅极保护电路本身的抗干扰能力，提高了电磁炉的能效。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电磁炉
，特别是涉及一种IGBT的栅极保护电路及电磁炉。
技术介绍
一般电磁炉用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的栅极保护电路，仅采用稳压二极管或者稳压二极管与一个三极管的组合作为IGBT的栅极保护电路。如图1所示，该电路只用一个串联在IGBT的栅极上的电阻作为IGBT的栅极保护电路。但是，这样的方案存在IGBT的开关速度不够快，保护电路本身不具备抗干扰的功能、易损坏，从而导致电磁炉的能效较低、发热量大、易炸机等。
技术实现思路
鉴于现有技术的现状，本技术的目的在于提供一种IGBT的栅极保护电路及电磁炉，实现了IGBT的快速导通和关断，有效的增强了保护电路本身的抗干扰能力，从而提高了电磁炉的能效，防止了电磁炉的IGBT损坏。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种IGBT的栅极保护电路，串联在IGBT的驱动电路与IGBT的栅极之间，所述IGBT的驱动电路用于产生驱动信号，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极管Z；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联形成第一支路，所述第一电容C1和所述第二电容C2串联形成第二支路，所述第一支路和所述第二支路并联后形成第一通路；所述第一电容C1和所述第二电容C2的相应公共端连接所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的相应公共端；所述稳压二极管Z的阴极连接在所述第一通路的一端，所述稳压二极管Z的阳极连接所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，所述稳压二极管Z用于加快所述IGBT的关断速度。在其中一个实施例中，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为5Ω～20Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法～20微法。在其中一个实施例中，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为8Ω～10Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法～2微法。在其中一个实施例中，所述稳压二极管Z为高频稳压二极管。在其中一个实施例中，所述稳压二极管Z的稳定电压比所述IGBT的栅极饱和驱动电压高1V～3V。在其中一个实施例中，还包括第一二极管D，所述第一二极管D作为第二通路并联在所述第一通路的两端，用于加快所述IGBT的关断速度；所述第一二极管D的阴极连接所述第一通路的输入端，所述第一二极管D的阳极连接所述第一通路的输出端。在其中一个实施例中，所述第一二极管D为高频整流二极管。在其中一个实施例中，还包括第二二极管D1和第三电阻R3；所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的一端，所述第二二极管D1的阴极串联所述第三电阻R3后连接至所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，形成第三通路。在其中一个实施例中，所述第二二极管D1为低频整流二极管。在其中一个实施例中，所述第三电阻R3为感性电阻，所述第三电阻R3的阻值范围为5Ω～5000Ω。在其中一个实施例中，所述第三电阻R3为水泥电阻，所述第三电阻R3的取值为100Ω。在其中一个实施例中，所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输入端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输出端。在其中一个实施例中，所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输出端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输出端。在其中一个实施例中，所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输入端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输入端。本技术还涉及一种电磁炉，包括上述任一项所述的IGBT的栅极保护电路。本技术的有益效果是：本技术的IGBT的栅极保护电路及电磁炉，由于第一电容和第二电容对高频交流电只有几欧姆的阻抗，使得高频交流电可以快速的通过IGBT的栅极，加快了IGBT的导通速度；第一电阻和第二电阻串联设置，防止了零点漂移，增加了对直流电的阻碍作用，降低了直流电对IGBT的导通速度的影响，同时，可以滤除较高频率的干扰信号，提高了该IGBT的栅极保护电路的抗干扰能力。稳压二极管Z可以导走部分驱动信号的上升沿电压及IGBT的栅极残余的驱动信号的下降沿电压，降低驱动信号的下降沿的时间，加快IGBT的关断速度。通过将第一通路通过串联在IGBT的栅极，实现了IGBT的快速导通和关断，提高了电磁炉的能效，防止了IGBT的导通时间过程造成的电磁炉损坏。附图说明图1为一般的IGBT的栅极保护电路的电路原理图；图2为本技术的IGBT的栅极保护电路实施例一的电路原理图；图3为本技术的IGBT的栅极保护电路实施例二的电路原理图；图4为本技术的IGBT的栅极保护电路实施例三的电路原理图。具体实施方式为了使本技术的技术方案更加清楚，以下结合附图，对本技术的IGBT的栅极保护电路及电磁炉作进一步详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术并不用于限定本技术。参见图2至图4，本技术的IGBT的栅极保护电路串联在IGBT的驱动电路与IGBT的栅极之间，IGBT的驱动电路用于产生驱动信号。IGBT是电压导通型器件，即当IGBT的栅极—发射极之间的电压大于零时，IGBT导通，当IGBT的栅极—发射极之间的电压小于零时，IGBT关断。由于IGBT的栅极和发射极之间存在较大的寄生电容Cge，驱动信号的上升沿和下降沿需要为寄生电容Cge提供较大的充电电流和放电电流，才能满足IGBT开通和关断的要求，因此IGBT需要大电流驱动。在本实施例中，IGBT的驱动电路采用电感和电容并联后形成的LC振荡回路产生驱动信号，该驱动信号经三极管放大后形成频率为30KHz的高频电流。本技术的IGBT的栅极保护电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极管Z。其中，第一电阻R1和第二电阻R2串联形成第一支路，防止了零点漂移的现象。一般的IGBT保护电路会在IGBT的栅极串联一个10Ω的电阻，以防止零点漂移及防止干扰。本实施例中，采用两个串联的电阻，增加了对直流电的阻碍作用，降低了直流电对IGBT导通和关断速度的影响。第一电容C1与第一电容C2串联形成第二支路。第一电容C1和第二电容C2串联后，对高频交流电仅有几欧姆的阻抗值，这样使得高频交流电可以快速的通过IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT的栅极保护电路，串联在IGBT的驱动电路与IGBT的栅极之间，所述IGBT的驱动电路用于产生驱动信号，其特征在于：包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极管Z；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联形成第一支路，所述第一电容C1和所述第二电容C2串联形成第二支路，所述第一支路和所述第二支路并联后形成第一通路；所述第一电容C1和所述第二电容C2的相应公共端连接所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的相应公共端；所述稳压二极管Z的阴极连接在所述第一通路的一端，所述稳压二极管Z的阳极连接所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，所述稳压二极管Z用于加快所述IGBT的关断速度。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT的栅极保护电路，串联在IGBT的驱动电路与IGBT的栅极
之间，所述IGBT的驱动电路用于产生驱动信号，其特征在于：
包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极
管Z；
所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联形成第一支路，所述第一电容C1
和所述第二电容C2串联形成第二支路，所述第一支路和所述第二支路并联后形
成第一通路；所述第一电容C1和所述第二电容C2的相应公共端连接所述第一
电阻R1和所述第二电阻R2的相应公共端；
所述稳压二极管Z的阴极连接在所述第一通路的一端，所述稳压二极管Z
的阳极连接所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，所述稳压二极管Z用于
加快所述IGBT的关断速度。
2.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：
所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为5Ω～20
Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法
～20微法。
3.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：
所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为8Ω～10
Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法
～2微法。
4.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：
所述稳压二极管Z为高频稳压二极管。
5.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：
所述稳压二极管Z的稳定电压比所述IGBT的栅极饱和驱动电压高1V～3V。
6.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：
还包括第一二极管D，所述第一二极管D作为第二通路并联在所述第一通
路的两端，用于加快所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨钟成，李方烔，万今明，陈日豪，邹鹏，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44