阵列基板和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。所述阵列基板包括栅线和像素电极，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述像素电极包括位于所述像素单元外的第一存储电容部和位于所述像素单元内的第一液晶电容部，所述第一存储电容部与所述栅线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。所述显示面板包括上述阵列基板和对盒基板，所述对盒基板上设置有公共电极，所述公共电极包括第二存储电容部和位于所述像素单元内的第二液晶电容部，所述第一液晶电容部与所述第二液晶电容部对应形成液晶电容，所述第一存储电容部与所述第二存储电容部对应形成存储电容。本发明专利技术能够提高像素开口率，降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板和显示面板，涉及显示
。所述阵列基板包括栅线和像素电极，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述像素电极包括位于所述像素单元外的第一存储电容部和位于所述像素单元内的第一液晶电容部，所述第一存储电容部与所述栅线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。所述显示面板包括上述阵列基板和对盒基板，所述对盒基板上设置有公共电极，所述公共电极包括第二存储电容部和位于所述像素单元内的第二液晶电容部，所述第一液晶电容部与所述第二液晶电容部对应形成液晶电容，所述第一存储电容部与所述第二存储电容部对应形成存储电容。本专利技术能够提高像素开口率，降低功耗。【专利说明】阵列基板和显不面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和包含该阵列基板的显示面板。
技术介绍
对于显示面板，开口率是一个很重要的设计参数，代表有效的透光区域与全部面积的比例，开口率越大，则显示面板的相对亮度越高，从而达到相同亮度的显示面板的功耗越低。 在传统的TN(Twisted Nematic)结构的显示面板当中，当扫描栅线时,薄膜晶体管(TFT)开启，从而为存储电容充电，并将存储电容充满，在其他时刻，存储电容放电，保持液晶电容的电场，从而使液晶电容之间的液晶维持旋转或者非旋转的状态。 例如在图1中，栅线I连接薄膜晶体管3的栅极，数据线2连接薄膜晶体管3的源极，像素电极4通过过孔连接薄膜晶体管3的漏极，存储电容形成在公共电极线5与像素电极4之间，公共电极线5平行于栅线I设置在阵列基板上。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在以下问题:公共电极线的设置会占用一部分透过率，导致像素的开口率不能最大化提闻。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板和显示面板，以提高像素开口率。 为解决上述技术问题，作为本专利技术的第一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括栅线和像素电极，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述像素电极包括位于所述像素单元外的第一存储电容部和位于所述像素单元内的第一液晶电容部，所述第一存储电容部与所述栅线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。 优选地，所述第一存储电容部位于所述栅线上方。 优选地，所述栅线和所述第一存储电容部之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第一存储电容部相接触，并且使所述第一存储电容部距离所述衬底基板的高度大于所述第一液晶电容部距离所述衬底基板的高度。 作为本专利技术的第二个方面，还提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板和与该阵列基板对盒设置的对盒基板，所述阵列基板为本专利技术所提供的上述阵列基板，所述对盒基板上设置有公共电极，所述公共电极包括位于所述像素单元外的第二存储电容部和位于所述像素单元内的第二液晶电容部，所述第一液晶电容部与所述第二液晶电容部对应形成液晶电容，所述第一存储电容部与所述第二存储电容部对应形成存储电容。 优选地，所述第一存储电容部位于所述栅线上方。 优选地，所述栅线和所述第一存储电容部之间形成有第一绝缘层，所述第二存储电容部下方形成有第二绝缘层，所述阵列基板和所述对盒基板在所述第二绝缘层对应的位置互相接触。 优选地，所述第一存储电容部上方设置有取向层，所述第二绝缘层下方设置有取向层。 优选地，所述第二绝缘层为形成在所述第二存储电容部下方的隔垫物层。 优选地，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的材料为树脂。 优选地，所述存储电容与所述显示面板的黑矩阵在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。 本专利技术阵列基板不包含公共电极线，在对应于栅线的位置采用了以像素电极的部分区域和公共电极的部分区域为两极板形成的电容结构作为像素的存储电容，能够提高像素开口率，提高显示面板亮度，降低功耗，降低布线设计的难度。 【专利附图】【附图说明】 附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。 图1是现有技术中阵列基板像素结构的平面示意图； 图2是依照本专利技术一种实施例的显示面板的剖面示意图； 图3是依照本专利技术一种实施例的阵列基板的平面示意图。 在附图中，1:栅线；2:数据线；3:薄膜晶体管；4、40:像素电极；401:第一存储电容部；402:第一液晶电容部；5:公共电极线；50:公共电极；501:第二存储电容部；502 --第二液晶电容部；6:第一绝缘层；7:第二绝缘层；8:取向层；9:液晶；10:黑矩阵；11:彩色滤光层；12:钝化层。 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。 本专利技术实施例中提到的“上、下”方向均是指图2中箭头所标的方向，其中，“U”表示“上”方向，“D”表示“下”方向。 本专利技术首先提供一种阵列基板，如图2中所示。所述阵列基板包括栅线I和像素电极40，所述阵列基板被划分为多个像素单元，像素电极40包括位于所述像素单元外的第一存储电容部401和位于所述像素单元内的第一液晶电容部402，第一存储电容部401在所述阵列基板的衬底基板上的正投影与栅线I在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。 像素单元是指显示画面中按矩阵排列的包含基本原色素及灰度信息的单元。通常阵列基板上包括多条栅线和多条数据线，多条所述栅线平行排列，多条所述数据线也平行排列，而所述栅线和所述数据线垂直相交，将所述阵列基板划分为多个像素单元。位于所述像素单元内是指位于所述显示单元中能够透光的区域，位于所述像素单元外是指位于栅线等不透光的区域。 在图2中，第一存储电容部401位于栅线I上方，像素电极40中的第一存储电容部401覆盖了栅线I的一部分，这里的“覆盖”指垂直于阵列基板的方向上的遮挡。本专利技术中阵列基板上不包含公共电极线，并且所述第一存储电容部401可以与相应的对盒基板上的公共电极50在栅线I上方形成电容，该电容可以用作存储电容，使得存储电容小型化，而且由于省去了公共电极线，达到了提高像素开口率、增加光效、降低功耗和降低布线设计难度的目的。 优选地，第一存储电容部401位于栅线I的正上方，此时形成的存储电容对像素开口率的影响最小，能够使得像素的开口率最大化地提高。 此外，现有技术中数据线与公共电极线都制作在阵列基板上，造成数据线与公共电极线之间的耦合严重，在大面板尺寸下补偿困难，容易出现补偿不足、过补偿等状况。这里的“补偿”是指针对数据线与公共电极线之间的交叠电容进行补偿，以减小公共电极线的信号波动。 本专利技术由于取消了阵列基板上的公共电极线，还可以在一定程度上改善由于数据线与公共电极线之间的耦合所形成的色偏现象，使得包括所述阵列基板的显示面板显示的图像颜色更加真实。 为了防止栅线I的信号对所述存储电容的干扰，可以在栅线I和第一存储电容部401之间设置第一绝缘层6。第一绝缘层6与第一存储电容部401相接触，并且使第一存储电容部401距离所述衬底基板的高度大于第一液晶电容部402距离所述衬底基板的高度。第一绝缘层6的材料可以是树脂，优选地，可以是透明树脂。 通常利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括栅线和像素电极，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述像素电极包括位于所述像素单元外的第一存储电容部和位于所述像素单元内的第一液晶电容部，所述第一存储电容部与所述栅线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王峥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11