【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构
本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构。
技术介绍
目前主流应用的CMOS图像传感器(CIS)像素单元为4T-APS结构,其等效电路如图1所示。包括复位nMOS管Mn_rst、光电二极管PD、曝光控制管Mn_tg、读取存储在寄生节点FD光电信号的源跟随器nMOS管Mn_sf、行选信号输出nMOS管Mn_rs。其中Mn_rst源端接电源轨Vpower_pixel、漏端接FD点;Mn_tg源端接PD、漏端接FD;Mn_sf源端接电源轨Vpower_pixel、漏端接Mn_rs源端;Mn_rs漏端接该外部输出列总线。该结构相较3T-APS结构,在感光区PD与存储点FD点加入TG管,且采用pinned型光电二极管作为感光单元,这些技术的引入具有如下优点:光电转换节点与信号读取节点分离,可以实现对光电信号真正意义上的相关双采样,抑制固定图形噪声;pinned型光电二极管不同于常规单结二极管,可使光电二极管在复位后具有精确的初始电压值及固定的光电收集区宽度,对像素阵列光电响应的一致性起到非常大的作 ...
【技术保护点】
一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构,其特征在于,包括用于对传感器内核控制与读出电路进行供电和保护的第一区域A,用于对传感器像素单元进行供电和保护的第二区域B;所述的传感器内核控制与读出电路用于控制传感器像素单元,所述的传感器像素单元向传感器内核控制与读出电路输出采集到的光电信号;所述的第一区域A包括分别连接在传感器内核控制与读出电路上的第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘,用于供电的第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1;第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘分别与第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间并联第一电源轨保护电路EV1和第一地轨保护电路EG1;第一输入金属 ...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构,其特征在于,包括用于对传感器内核控制与读出电路进行供电和保护的第一区域A,用于对传感器像素单元进行供电和保护的第二区域B;所述的传感器内核控制与读出电路用于控制传感器像素单元,所述的传感器像素单元向传感器内核控制与读出电路输出采集到的光电信号;所述的第一区域A包括分别连接在传感器内核控制与读出电路上的第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘,用于供电的第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1;第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘分别与第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间并联第一电源轨保护电路EV1和第一地轨保护电路EG1;第一输入金属焊盘连接第一信号输入端,第一输出金属焊盘连接第一信号输出端;所述的第一电源轨VDDH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最高供电电平金属焊盘;第一地轨VSSH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最低供电电平金属焊盘,第一区域A中最高输入与输出信号电平值不高于VDDH1电平值;所述的第二区域B包括连接在传感器像素单元上的第二输入金属焊盘,用于供电的第二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2;第二输入金属焊盘分别与第二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2之间并联第二电源轨保护电路EV2和第二地轨保护电路EG2;第二输入金属焊盘连接第二信号输入端;所述的第二电源轨VDDH2总线端悬空,第二地轨VSSH2连接全芯片最低供电电平金属焊盘,第二区域B中第二输入金属焊盘提供用于传感器像素单元独立供电的高于第一电源轨VDDH1的供电电平;所述的第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2相连接。2.根据权利要求1所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构,其特征在于,还包括用于连接第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2的第三区域C;第三区域C由连接第一地轨VSSH1与第二地轨VSSH2的一组对向并联第一二极管D1与第二二极管D2组成。3.根据权利要求2所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构,其特征在于,第一二极管D1由一组P型二极管pdio组成,其中pdio的阳极接第一地轨VSSH1,阴极接第二地轨VSSH2;第二二极管D2由一组N型二极管ndio组成,其中ndio的阳极接第二地轨VSSH2,阴极接第一地轨VSSH1。4.根据权利要求2或3所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构,其特征在于,第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间串联电源钳位电路EP;第二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2之间串联电源钳位...
【专利技术属性】
技术研发人员:张冰,谭瑞,李娜,曹琛,
申请(专利权)人:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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