防止图像弥散的图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种图像质量高的防止图像弥散的图像传感器及其制作方法，包括感光像素阵列，感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，感光像素阵列区域设置N型导电层，N型导电层位于所述光电二极管的下方，感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接。光电二极管饱和时的外溢电荷被光电二极管底部的导电层吸收，进而通过抽取电荷N型区被抽离感光像素区域，外溢电荷不会串扰到临近像素的光电二极管中，可防止图像弥散现象的发生，提高图像的质量。

【技术实现步骤摘要】
防止图像弥散的图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及一种图像传感器，尤其涉及一种防止图像弥散的图像传感器及其制作方法。
技术介绍
图像传感器已经被广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。特别是制造CMOS(互补型金属氧化物半导体)图像传感器技术的快速发展，使人们对图像传感器的输出图像品质有了更高的要求。现有技术中的图像传感器芯片，所采集到图像中的亮点或亮线区域会大于实际物象尺寸。例如，所拍照的相片中含有发光强烈的太阳、汽车头灯、白炽灯或反光强烈的亮光物象时，这些物象会大于实际尺寸，太阳和灯光等亮光区域变得比实际尺寸大的多，这种现象在图像领域被称为图像弥散。现有技术中的图像传感器，其像素部分的切面示意图如图1所示，101为光电二极管，102和103为相邻的光电二极管，光电二极管置于半导体P型半导体基体中，104为隔离光电二极管作用的P型阱区，STI为浅槽隔离区。上述技术方案存在的缺陷是：当光电二极管101受到强光照射，101阱内因电荷太满而溢出到P型半导体基体中，溢出的过多电荷会绕过P型阱104区，进而漂移到临近的光电二极管102和103阱内，即102和103受到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止图像弥散的图像传感器，包括感光像素阵列，所述感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，其特征在于，所述感光像素阵列区域设置N型导电层，所述N型导电层位于所述光电二极管的下方，所述感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，所述抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接。

【技术特征摘要】
1.一种防止图像弥散的图像传感器，包括感光像素阵列，所述感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，其特征在于，所述感光像素阵列区域设置N型导电层，所述N型导电层位于所述光电二极管的下方，所述感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，所述抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接；所述N型导电层与所述N型光电二极管隔开，所述N型导电层与所述N型光电二极管的间隔距离为至少为0.1μm；所述N型导电层在半导体基体中的垂直宽度为0.1μm～0.5μm、深度至少为1μm；所述N型导电层的N型离子浓度至少为1.5E+15Atom/cm3。2.根据权利要求1所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区在半导体基体中的水平宽度至少为0.3μm。3.根据权利要求2所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区的N型离子浓度至少为7E+16Atom/cm3。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区外接电势，所述外接电势的范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭同辉，旷章曲，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11