【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种真空计的保护装置，涉及半导体制造领域。真空计的保护装置，所述真空计通过管道与一离子源腔体连接，一充气管道连接所述离子源腔体，所述充气管道上设置一充气阀，该保护装置包括：气动阀，所述气动阀设置于所述真空计与所述离子源腔体之间的管道上，所述气动阀与所述充气阀为互锁连接。本技术通过在真空计与离子源腔体之间增加一个气动阀，且此气动阀和离子源腔体的充气阀为互锁连接，当充气阀打开时气动阀关闭，使离子源腔体在回归大气时散发出来的附着物物被增加的互锁气动阀挡住，从而保护到了真空计免受腐蚀损害，延长了真空计的使用寿命。【专利说明】一种真空计的保护装置
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种真空计的保护装置。
技术介绍
离子注入机由于使用的三氟化硼(BF3)、砷化氢(AsH3)和磷化氢(PH3)等气体，在离子源腔体中的残留物会产生具有腐蚀作用的附着物，在注入过程中这些有害物质被泵抽取到除害桶中处理，但是在离子源腔体回归到大气状态时，一部分的附属物会随之散发到真空计中，对真空计造成腐蚀，从而缩短了真空计的使用寿命。 中国专利(CN1...
【技术保护点】
一种真空计的保护装置，所述真空计通过管道与一离子源腔体连接，一充气管道连接所述离子源腔体，所述充气管道上设置一充气阀，其特征在于，包括：气动阀，所述气动阀设置于所述真空计与所述离子源腔体之间的管道上，所述气动阀与所述充气阀为互锁连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁杰，严骏，裴雷洪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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