缓启动电阻器的制造方法技术

本发明专利技术公开一种缓启动电阻器的制造方法，包括以下步骤：(a)混合导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂，以形成一浆料；(b)对浆料进行挤压成型步骤，以形成生胚；(c)对生胚进行烧结步骤，以形成缓启动电阻本体；及(d)对缓启动电阻本体进行电极烧附。本发明专利技术的缓启动电阻器的制造方法，利用挤出成型法，可简化工艺，且缓激活电阻器的耐突波性能良好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种，包括以下步骤：(a)混合导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂，以形成一浆料；(b)对浆料进行挤压成型步骤，以形成生胚；(c)对生胚进行烧结步骤，以形成缓启动电阻本体；及(d)对缓启动电阻本体进行电极烧附。本专利技术的，利用挤出成型法，可简化工艺，且缓激活电阻器的耐突波性能良好。【专利说明】
本专利技术涉及金属陶瓷电阻器的制造方法，特别是有关于适用于高电压脉冲回路的金属陶瓷电阻器的制造方法。
技术介绍
金属陶瓷电阻器是采用金属氧化物和陶瓷材料混合，在高温下烧结而形成的一种具有体导电特性的实芯电阻器，能承受瞬间的高温高压的作用，适用于直流(DC)及交流(AC)的涌浪(大电压)和脉冲电路。 传统金属陶瓷电阻器的制造方法为将金属氧化物和陶瓷材料以适当比例混合后，添加黏结剂，并利用干燥、造粒等技术，使金属氧化物和陶瓷材料黏结成一具有可塑性的粉体颗粒或粉体料团，再利用一轴加压成型得到圆柱型的电阻器主体，接着进行烧结等步骤，完成耐高电压突波的电阻器。虽然，上述方法可以制得耐高电压突波的电阻器，但是工艺步骤繁复，不利大量生产。 另外，于制造金属陶瓷电阻器时，若金属氧化物的颗粒未能均匀分布，当对金属陶瓷电阻器施加电压时，其阻值变化率会增大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，利用挤出成型法，可简化工艺，且缓激活电阻器的耐突波性能良好。 为了达成上述的目的，本专利技术提供一种，包括以下步骤:(a)混合导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂，以形成一浆料；(b)对浆料进行挤压成型步骤，以形成生胚；(C)对生胚进行烧结步骤，以形成缓启动电阻本体；及(d)对缓启动电阻本体进行电极烧附。 其中，该步骤(a)的导电陶瓷由混合Sn02&Sb203之后经过烘干、解碎及煅烧制得。 其中，更包含于该步骤(a)的经过煅烧制得的导电陶瓷中添加一分散剂。 其中，该分散剂为聚丙烯酸胺。 其中，该步骤(a)的玻璃粉为经过煅烧及解碎制得。 其中，该黏结剂为聚乙烯醇、聚醋酸乙烯醇或聚丙烯酸酯。 其中，该步骤(d)的电极烧附为于缓启动电阻本体的两端涂布银浆，经过干燥后，于温度500°C?600°C下烧附。 其中，更包含于该步骤(d)进行电极烧附之前，进行一无心研磨步骤。 其中，更包含于该步骤(d)进行电极烧附之后，进行一端子组立步骤。 其中，更包含于该端子组立步骤之后，进行一粉体涂装步骤。 本专利技术的，利用挤出成型法，可简化工艺，且缓激活电阻器的耐突波性能良好；还可借由添加分散剂，增加缓启动电阻器的耐突波性能；还可借由对导电陶瓷及玻璃粉的前处理，可增加缓启动电阻器的耐突波性能。 相较于现有技术，本专利技术的制造方法主要是利用挤压成型方法制成生胚，有利于大量生产。本专利技术具有工艺简单及成本低廉的优点，可应用于耐高电压突波金属陶瓷电阻器或其它电阻器的制作。 以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。 【专利附图】【附图说明】 图1表示本专利技术的一较佳实施例的的流程示意图。 图2表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中导电陶瓷的制造方法的流程示意图。 图3表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中含有分散剂的导电陶瓷的制造方法的流程示意图。 图4表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中玻璃粉的制造方法的流程示意图。 其中，附图标记: Sll ?S18 步骤 S21 ?S25 步骤 S31 ?S34 步骤 S41 ?S44 步骤 【具体实施方式】 有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
，配合图式说明如下，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来限制本专利技术。 请参照图1，图1表示本专利技术的一较佳实施例的的流程示意图。首先，请参考图1中的步骤S11，秤量导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂，比例为30-70wt%、28-60被％及2?10wt%。于步骤S12，利用三滚筒机混合导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂以形成一浆料，混合持续约0.5小时。于步骤S13，利用挤出机进行挤压成型，以形成所需规格的生胚。挤压成型的挤压压力可介于I?50kg/cm2。生胚的外径可介于7.5?8.5毫米。导电陶瓷包含Sn02&Sb203。本实施例适用的黏结剂可为聚乙烯醇、聚醋酸乙烯醇或聚丙烯酸酯。 于步骤S14，将放置于坩锅中的生胚经由烧结炉烧结后成为缓启动电阻本体。烧结步骤的程序如下，升温3小时至450°C、450°C持续I小时、升温I小时至600°C、600°C持续I小时、2小时升温至1，100CU, 100°C持续30分钟，之后自然降温约4小时至室温。 于步骤S15，使用无心研磨机对缓启动电阻本体进行无心研磨，使缓启动电阻本体外径大约为6.0?7.0毫米，长度大约为35?40毫米。于步骤S16，对缓启动电阻本体进行电极烧附，可于缓启动电阻本体的两端涂布银浆，经过干燥后，于烧附炉中在温度500°C?600°C下持续5分钟烧附。 于步骤S17，对缓启动电阻本体进行端子组立步骤，将两个具有引出线的金属帽盖分别与缓启动电阻本体的两端结合。于步骤S18，对包含金属帽盖的缓启动电阻本体进行粉体涂装，增加防蚀性、耐化学药品性与电气绝缘性。本实施例使用的粉体涂料例如含硅树月旨、环氧树脂或铁氟龙。 于一实施例中，可将导电陶瓷的成分Sn02&Sb203、玻璃粉及黏结剂，依照图1的制造流程进行制造缓启动电阻器。另一实施例中，可先将包含SnO2及Sb2O3的导电陶瓷及玻璃粉依照图2?图4的制造流程进行前处理后，再依照图1的制造流程进行制造本专利技术的缓启动电阻器。 请参考图2，图2表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中导电陶瓷的制造方法的流程示意图。于步骤S21，秤量SnO2及Sb2O3,比例为90?97wt%及3?10wt%。于步骤S22，将SnO2及Sb2O3放置于球磨桶中进行混合以形成一浆料，混合持续约15?16小时。于步骤S23，于温度设定为200°C的烘箱中进行烘干约10?13小时。于步骤S24，进行解碎，使块状解碎为颗粒状。于步骤S25，进行煅烧，煅烧步骤的程序如下，升温3.5小时至1050°C、1050°C持续2小时、降温1.5小时至600°C、600°C之后自然降温约2小时至室温。 请参考图3，图3表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中含有分散剂的导电陶瓷的制造方法的流程示意图。为了使SnO2及Sb2O3的颗粒能均匀分布，可添加分散剂例如聚丙烯酸胺于煅烧的SnO2及Sb2O3中。聚丙烯酸胺是一种阴离子高分子聚电解质，可吸附于SnO2及Sb2O3颗粒表面，具有一定长度的高分子链可以产生空间稳定作用。 于步骤S31，添加分散剂例如聚丙烯酸胺于煅烧的SnO2及Sb2O3中，并加以混合。于步骤S32，将添加分散剂的SnO2及Sb2O3研磨6?8小时。于步骤S33，于温度设定为200°C的烘箱中进行烘干约10?13小时。于步骤S34,进行解碎,使块状解碎为颗粒状。 请参考图4，图4表示本专利技术的一较佳实施例的缓启动电阻器中玻璃粉的制造方法的流程示意图。于步骤S41，秤量玻璃粉约5g。于步骤S42，进行煅烧，煅烧步骤的程序如下，升温1.5小时至约450°C、450°C持续2小时、45本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓启动电阻器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)混合导电陶瓷、玻璃粉及黏结剂，以形成一浆料；(b)对浆料进行挤压成型步骤，以形成一生胚；(c)对生胚进行烧结步骤，以形成缓启动电阻本体；及(d)对缓启动电阻本体进行电极烧附。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志漳，
申请(专利权)人：钡泰电子陶瓷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71