本实用新型专利技术公开了一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于：所述细栅线设置为三个区域，分别为中间区、过渡区、边缘区，所述过渡区嵌套中间区，所述边缘区嵌套过渡区，所述中间区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅰ，以连接相邻过渡区细栅线；所述过渡区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅱ，以连接相邻边缘区细栅线。本实用新型专利技术采用三个区域分布细栅线，降低细栅线的数量，减少银浆料的耗量，降低太阳电池的成本。同时由于遮光面积的降低，能够有效提高太阳电池的转换效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于：所述细栅线设置为三个区域，分别为中间区、过渡区、边缘区，所述过渡区嵌套中间区，所述边缘区嵌套过渡区，所述中间区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅰ，以连接相邻过渡区细栅线；所述过渡区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅱ，以连接相邻边缘区细栅线。本技术采用三个区域分布细栅线，降低细栅线的数量，减少银浆料的耗量，降低太阳电池的成本。同时由于遮光面积的降低，能够有效提高太阳电池的转换效率。【专利说明】一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构
本技术涉及一种新型的多晶硅太阳电池，具体涉及一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构。
技术介绍
目前，规模化生产的晶体硅太阳电池的正面电极栅线由两部分组成:收集电流的细栅线以及汇聚输出电流的主栅线。常规晶体硅太阳电池正面电极的细栅线一直采用等间距均匀分布的结构。细栅线沿水平方向，正面电极的主栅与细栅线垂直相连接。随着正面电极银浆料的颗粒物的粒径不断减小，固体银含量比例的提高，以及有机物添加剂组分的持续改进，银浆料能够适用的晶体硅太阳电池扩散方块电阻不断提高，由最初的50ohm/Sq上升到现在的lOOohm/sq。银浆料颗粒物粒径的降低以及正面电极网版技术的改善使得低宽度细栅线的印刷得以实现，细栅线的宽度由原来的130um降低到现在的40um。高方阻同时要求较小的细栅线间距，目前多晶硅太阳电池的细栅线间距已经下降到2mm以下，甚至接近1.5_。以上就是目前成熟的高阻细栅密栅技术。这种技术需要较多的细栅线，例如90根或者100根，这样势必增加银浆的耗量以及太阳电池正面的遮光面积。太阳电池在制备过程中的扩散阶段形成的扩散方块电阻具有一定的不均匀性，通常是电池中间区域的方阻高，边缘区域的方阻低，从中间区域到边缘区域方阻逐步降低。这种方阻不均匀性与扩散设备、扩散工艺有关，也与平均方阻的高低有关。平均方块电阻越高，不均匀性越明显，对于平均方阻为95ohm/Sq的扩散工艺，中间区域与边缘区域的方阻差异能够达到lOohm/sq，甚至接近15ohm/ sq。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，采用三个区域分布细栅线，降低细栅线的数量，减少银浆料的耗量，降低太阳电池的成本。同时由于遮光面积的降低，能够有效提高太阳电池的转换效率。 本技术解决技术问题所采用的技术方案是:一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于:所述细栅线设置为三个区域，分别为中间区、过渡区、边缘区，所述过渡区嵌套中间区，所述边缘区嵌套过渡区，所述中间区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线I，以连接相邻过渡区细栅线；所述过渡区的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线II，以连接相邻边缘区细栅线。 作为一种优选，所述三个区域均为矩形，所述中间区边长为30?75mm，所述过渡区的外边长为80?120mm。 本技术三个区域的面积大小由太阳电池扩散方阻分布图决定，三个区域内的细栅线间距由各自的平均方阻决定，与平均方阻成反比，方阻越小，细栅线间距越大。 本技术的有益效果是:采用三个区域分布细栅线，细栅线的间距由各自平均的方阻决定，方阻越小，细栅线间距越大，即能够降低细栅线的数量，减少银浆料的耗量，降低太阳电池的成本。同时由于遮光面积的降低，能够有效提高太阳电池的转换效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术实施例的结构示意图。 下面结合附图对本技术做进一步说明。 【具体实施方式】 如附图1所示，一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，在规格为156mmX156mm的多晶硅太阳电池的正面，将细栅线设置为三个区域，分别为中间区3、过渡区2、边缘区1，三个区域均为矩形，其中过渡区2嵌套中间区3，边缘区I嵌套过渡区2。中间区3、过渡区2、边缘区I的平均方阻分别为100ohm/sq、93ohm/sq、85ohm/s ;中间区3边长为60mm,过渡区2外边长为118mm;中间区3内的细栅线间距为1.55mm，过渡区2的细栅线间距为1.67mm，边缘区I的细栅线间距为1.82mm。在中间区3的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线 I5，以连接相邻过渡区2细栅线；在过渡区2的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线 II4，以连接相邻边缘区I细栅线。【权利要求】1.一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于:所述细栅线设置为三个区域，分别为中间区(3)、过渡区(2)、边缘区(1)，所述过渡区(2)嵌套中间区(3)，所述边缘区(I)嵌套过渡区(2)，所述中间区(3)的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线I (5)，以连接相邻过渡区(2)细栅线；所述过渡区(2)的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线II (4)，以连接相邻边缘区(I)细栅线。2.如权利要求1所述的一种新型的多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于:所述三个区域均为矩形，所述中间区(3)边长为30?75mm，所述过渡区(2)的外边长为80?120mmo【文档编号】H01L31/0224GK203932075SQ201420348502【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年6月27日 优先权日:2014年6月27日 【专利技术者】许佳平, 蒋方丹, 金浩, 郭俊华, 陈康平 申请人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型多晶硅太阳电池细栅线结构，其特征在于：所述细栅线设置为三个区域，分别为中间区（3）、过渡区（2）、边缘区（1），所述过渡区（2）嵌套中间区（3），所述边缘区（1）嵌套过渡区（2），所述中间区（3）的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅰ（5），以连接相邻过渡区（2）细栅线；所述过渡区（2）的左右边界处各设有一根垂直方向的细栅线Ⅱ（4），以连接相邻边缘区（1）细栅线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许佳平，蒋方丹，金浩，郭俊华，陈康平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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