用于液晶显示面板的阵列基板及阵列基板的制造方法技术

技术编号:10597692 阅读:79 留言:0更新日期:2014-10-30 10:49
本发明专利技术提供一种用于液晶显示面板的阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基底、第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜以及间隔物。第一线路层包括栅极线、与栅极线相连的栅极、第一垫高层。半导体膜包括沟道层、第二垫高层。第二线路层包括源极、漏极、第三垫高层。导电膜包括像素电极、第四垫高层。栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管。间隔物是层叠设置的结构,其包括第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂。该至少一层光致抗蚀剂是选自图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层及导电膜所使用的光致抗蚀剂。

【技术实现步骤摘要】
用于液晶显示面板的阵列基板及阵列基板的制造方法
本专利技术涉及一种应用于液晶显示面板的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示面板主要包括相对设置的彩色滤光片基板及阵列基板、以及夹置在上述两基板之间的液晶层。同时上述两基板通过间隔物隔开,该间隔物用于保持上述两基板之间的间距恒定,从而保证液晶显示面板的厚度均匀。目前,一种间隔物的制造方法是在阵列基板上涂布感光材料再以曝光显影方式制作出柱状感光间隔物。当液晶显示面板组立时,将上述两基板以框胶进行贴合,而该感光间隔物用以保证两基板之间形成恒定间距。然而,上述在阵列基板上制作感光间隔物,需要在传统阵列基板的制造过程中额外增加一步骤来制作该感光间隔物,如此导致了材料及掩膜制程的增加。
技术实现思路
为解决现有技术中阵列基板需额外增加间隔物制作步骤的所导致的问题,有必要提供一种可减少制作步骤的用于液晶显示面板的阵列基板。一种用于液晶显示面板的阵列基板,其包括基底、第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜以及间隔物。该第一线路层包括栅极线、与栅极线相连的栅极、第一垫高层。该半导体膜包括沟道层、第二垫高层。该第二线路层包括源极、漏极、第三垫高层。该导电膜包括像素电极、第四垫高层。该栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管。该间隔物是层叠设置的结构,其包括层叠设置的第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂。该至少一层光致抗蚀剂是在图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层、导电膜以形成该薄膜晶体管的各层结构及像素电极时所采用的该至少一层光致抗蚀剂。一种阵列基板的制造方法,提供一基底;该基底上形成有第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜;图案化该第一线路层形成栅极线、与栅极线相连的栅极以及第一垫高层;图案化该半导体膜形成该沟道层及第二垫高层;图案化该第二线路层形成源极、漏极以及第三垫高层,该栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管;图案化该导电膜形成像素电极及第四垫高层,该间隔物是层叠设置的结构,其包括层叠设置的第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂;该至少一层光致抗蚀剂是在图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层、导电膜以形成该薄膜晶体管的各层结构及像素电极时所采用的该至少一层光致抗蚀剂。由于本专利技术在形成阵列基板的第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜时,同时形成了间隔物的第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂,因此无需额外增加步骤来制作间隔物,以减少材料的使用和掩膜制程。附图说明图1为本专利技术用于液晶显示面板的阵列基板的一较佳实施方式的部分示意图。图2为图1沿II-II线的剖面示意图。图3至图6为图2中阵列基板蚀刻第一线路层的流程图。图7至图10为图2中阵列基板蚀刻半导体膜的流程图。图11至图14为图2中阵列基板蚀刻第二线路层的流程图。图15至图18为图2中阵列基板蚀刻透明导电层的流程图。主要元件符号说明阵列基板12基底120第一线路层121栅极线130栅极132第一垫高层136第一层光致抗蚀剂138半导体膜124沟道层140第二垫高层146第二层光致抗蚀剂148第二线路层122源极线150源极152漏极154第三垫高层156第三层光致抗蚀剂158绝缘层123钝化层125导电膜126像素电极160第四垫高层166第四层光致抗蚀剂168第一掩膜300第二掩膜400第三掩膜500第四掩膜600第一区域301、401、501、601第二区域302、402、502、602第三区域303、403、503、603间隔物129如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1及图2,图1为本专利技术用于液晶显示面板的阵列基板的一较佳实施方式的部分平面示意图。图2为图1沿II-II线的剖面示意图。可以理解,图1所示的平面图仅示出了阵列基板的部分,但这并不影响所属领域的一般技术人员理解本案。该阵列基板12包括基底120、第一线路层121、第二线路层122、绝缘层123、半导体膜124、钝化层125、导电膜126及间隔物129。该基底120为透明基底,如玻璃基底。该间隔物129是层叠设置的结构。本实施例中,该第一线路层121设置于该基底120的一侧表面上,其包括沿第一方向延伸的栅极线130、与该栅极线130相连的栅极132及第一垫高层136。该栅极132凸出于栅极线130之外,但并不限于此,可变更的,该栅极132也可包括在该栅极线130中。采用一第一层光致抗蚀剂138图案化该第一线路层121,以分别形成该栅极线130、栅极132及第一垫高层136。且对应该第一垫高层136的位置上若保留该第一层光致抗蚀剂138,则保留在该第一垫高层136位置上的第一层光致抗蚀剂138也可以作为该间隔物129的一层结构。本实施方式中,该第一垫高层136作为该间隔物129的第一层结构。该第一垫高层136位置上的该第一层光致抗蚀剂138作为该间隔物129的第二层结构。该绝缘层123为栅极绝缘层,其设置该第一线路层121远离该基底120的一侧,且覆盖于该第一线路层、该第一垫高层136位置上保留的该第一层光致抗蚀剂138及该基底120的表面上。本实施方式中,该绝缘层123作为该间隔物129的第三层结构。该半导体膜124设置该绝缘层123远离该基底120一侧的表面上,其包括沟道层140及第二垫高层146,该第二垫高层146与该第一垫高层136重叠。采用一第二层光致抗蚀剂148图案化该半导体膜124,以分别形成该沟道层140及第二垫高层146。且对应该第二垫高层146的位置上若保留该第二层光致抗蚀剂148,则保留在该第二垫高层146位置上的第二层光致抗蚀剂148也可以作为该间隔物129的一层结构。本实施方式中,与第一垫高层136重叠的第二垫高层146作为该间隔物129的第四层结构。该保留在该第二垫高层146位置上的第二层光致抗蚀剂148作为该间隔物129的第五层结构。该第二线路层122设置于该半导体膜124及该绝缘层123远离该基底120一侧的表面上,该第二线路层122与该第一线路层121绝缘。该第二线路层122包括源极线150、源极152、漏极154及第三垫高层156。该第三垫高层156与该第一垫高层136、第二垫高层146重叠。该源极线150大致沿不同于该第一方向的第二方向延伸,该源极线150与该栅极线130交叉排列所围成的最小区域定义为一像素区域。该源极152与该源极线150相连,该漏极154与该源极152间隔设置。该栅极132、该源极152、该漏极154及该沟道层140定义为薄膜晶体管159,本实施方式中,每一薄膜晶体管159位于该栅极线130与该源极线150相交的角落处。采用一第三层光致抗蚀剂158图案化该第二线路层122,以分别形成该源极线150、源极152、漏极154及第三垫高层156。且对应该第三垫高层156的位置上若保留该第三层光致抗蚀剂158,则保留在该第三垫高层156位置上的第三层光致抗蚀剂158也可以作为该间隔物129的一层结构。本实施方式中,该第三垫高层156作本文档来自技高网...
用于液晶显示面板的阵列基板及阵列基板的制造方法

【技术保护点】
一种用于液晶显示面板的阵列基板,其包括基底、第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜以及间隔物,该第一线路层包括栅极线及与栅极线相连的栅极,该半导体膜包括沟道层,该第二线路层包括源极、漏极,该导电膜包括像素电极,该栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管,其特征在于:该第一线路层还包括第一垫高层,该半导体膜还包括第二垫高层,该第二线路层还包括第三垫高层,该导电膜还包括第四垫高层,该间隔物是层叠设置的结构,其包括层叠设置的第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂,该至少一层光致抗蚀剂是选自图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层及导电膜所使用的光致抗蚀剂。

【技术特征摘要】
1.一种用于液晶显示面板的阵列基板,其包括基底、第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜以及间隔物,该第一线路层包括栅极线及与栅极线相连的栅极,该半导体膜包括沟道层,该第二线路层包括源极、漏极,该导电膜包括像素电极,该栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管,其特征在于:该第一线路层还包括第一垫高层,该半导体膜还包括第二垫高层,该第二线路层还包括第三垫高层,该导电膜还包括第四垫高层,该间隔物是层叠设置的结构,其包括层叠设置的第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂,该至少一层光致抗蚀剂是选自图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层及导电膜所使用的光致抗蚀剂。2.如权利要求1所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:采用一第一层光致抗蚀剂来图案化该第一线路层以形成该栅极线、该栅极及第一垫高层时,对应该第一垫高层的位置上保留该第一层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。3.如权利要求1所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:采用一第二层光致抗蚀剂图案化该半导体膜形成该沟道层及该第二垫高层时,对应该第二垫高层的位置上保留该第二层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。4.如权利要求1所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:采用一第三层光致抗蚀剂图案化该第二线路层形成该源极、漏极及第三垫高层时,对应该第三垫高层的位置上保留该第三层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。5.如权利要求1所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:采用一第四层光致抗蚀剂图案化该导电膜形成该像素电极及第四垫高层时,对应该第四垫高层的位置上保留该第四层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。6.如权利要求2所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:该第一线路层形成在该基底的一侧表面。7.如权利要求6所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:该绝缘层形成在该第一线路层远离该基底的一侧,且覆盖于该第一线路层、该第一层光致抗蚀剂及该基底上,该半导体膜设置于该绝缘层远离该基底一侧的表面上,采用一第二层光致抗蚀剂图案化该半导体膜形成该沟道层及该第二垫高层时,对应该第二垫高层的位置上保留该第二层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。8.如权利要求7所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:该第二线路层与该第一线路层绝缘,该第二线路层设置在该半导体膜、该绝缘层、及第二层光致抗蚀剂远离该基底的一侧,采用一第三层光致抗蚀剂图案化该第二线路层形成该源极、漏极及第三垫高层时,对应该第三垫高层的位置上保留该第三层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。9.如权利要求8所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:该钝化层设置在该绝缘层、该半导体膜、该第二线路层、该第三层抗蚀剂远离该基底的一侧,该导电膜设置在该钝化层远离该基底的一侧,采用一第四层光致抗蚀剂图案化该导电膜形成该像素电极及第四垫高层时,对应该第四垫高层的位置上保留该第四层光致抗蚀剂作为该间隔物的一层结构。10.如权利要求9所述的用于液晶显示面板的阵列基板,其特征在于:该间隔物包括依次层叠设置的第一垫高层、第一层光致抗蚀剂、绝缘层、第二垫高层、第二层光致抗蚀剂、第三垫高层、第三层光致抗蚀剂、钝化层、第四垫高层、第四层光致抗蚀剂。11.一种阵列基板的制造方法,包括如下步骤:提供一...

【专利技术属性】
技术研发人员:王明宗齐国杰许琪陈丹
申请(专利权)人:深超光电深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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