【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含硫族元素有机化合物与其制造方法、有机半导体材料、有机半导体膜及有机场效应晶体管
本专利技术涉及一种新颖的含硫族元素有机化合物及其用途。尤其涉及一种新颖的含硫族元素有机化合物及其制造方法、包含所述有机化合物的有机半导体材料、含有所述有机半导体材料的有机半导体膜以及具有所述有机半导体膜的有机场效应晶体管(FieldEffectTransistor,FET)。
技术介绍
近年来,具有半导体特性的有机化合物备受关注。其中,稠五苯(pentacene)及稠四苯(tetracene)等多并苯(polyacene)化合物由于具有高的载子移动率,因此一直以来作为有机半导体材料而广为人知。再者,本说明书,“载子移动率”是以包含电子移动度及电洞移动度的广义含意使用。然而,公知的多并苯化合物对溶剂的溶解性低,故难以利用涂布法或印刷法等来形成膜。因此,必须利用耗费制造成本的蒸镀制程来制作具有半导体特性的组件(以下亦称为“组件”)。进而,公知的多并苯化合物于耐氧化性等化学稳定性方面亦有问题,就产业上的实用性的观点而言为难以实用的材料。因此,为了改善溶解性或化学稳定性,已研究了于并苯(acene)骨架上导入各种取代基而成的化合物(例如参照专利文献1及非专利文献1)。进而,亦已研究了于并苯骨架的一部分上导入硫或硒等硫族元素而成的化合物,例如二苯并噻吩并噻吩(Dibenzothienothiophene,BTBT)或二萘并噻吩并噻吩(Dinaphthothienothiophene,DNTT)等(例如参照专利文献2~专利文献3)。根据上述专利文献,上述化合物成功地维持了高的载子移动率且 ...
【技术保护点】
一种化合物,其是以式(1)所表示,[式(1)中,X为氧、硫或硒;2个n分别独立地为0或1;R1~R3分别独立地为氢、氟、碳数1~20的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,所述烷基中的至少一个氢可经氟取代,所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基的环上的至少一个氢可经选自卤素及碳数1~10的烷基中的至少一种所取代;其中,除了X为硒的情形以外,所有的R1~R3同时为氢的情况不存在,另外,X为硫且所有的R1同时为丁基的情况不存在]。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.22 JP 2012-0362011.一种含硫族元素有机化合物,其是以式(1)所表示,式(1)中,X为氧、硫或硒;2个n为0;R1~R3分别独立地为氢、氟或碳数4~20的烷基,所述烷基中的至少一个氢可经氟取代;其中,除了X为硒的情形以外,所有的R1~R3同时为氢的情况不存在,另外,X为硫且所有的R1同时为丁基的情况不存在。2.根据权利要求1所述的含硫族元素有机化合物,其中于式(1)中满足要件(A)及要件(B):(A)所有的R1~R2为氢;(B)除了X为硒的情形以外,所有的R3为相同的原子或基团的情况不存在。3.根据权利要求2所述的含硫族元素有机化合物,其是以式(1-1)或式(1-2)所表示,式(1-1)及式(1-2)中,X及n分别与式(1)中的相同记号为相同含意;2个R3分别独立地为氟或碳数4~20的烷基,所述烷基中的至少一个氢可经氟取代。4.根据权利要求3所述的含硫族元素有机化合物,其中式(1-1)及式(1-2)中的R3为选自碳数4~15的烷基中的相同的基团。5.一种含硫族元素有机化合物,其是以式(2)所表示,式(2)中,X为氧、硫或硒;2个n为0;R1~R2分别独立地为氢、碳数4~20的烷基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,所述烷基中的至少一个氢可经氟取代,所述呋喃基、噻吩基及噻唑基的环上的至少一个氢可经选自卤素及碳数1~10的烷基中的至少一种所取代;其中,所有的R1~R2同时为氢的情况不存在。6.根据权利要求5所述的含硫族元素有机化合物,其中于式(2)中,所有的R2为氢。7.根据权利要求6所述的含硫族元素有机化合物,其是以式(2-1)所表示,式(2-1)中,X及n分别与式(2)中的相同记号为相同含意;2个R1分别独立地为碳数4~20的烷基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,所述烷基中的至少一个氢可经氟取代,所述呋喃基、噻吩基及噻唑基的环上的至少一个氢可经选自卤素及碳数1~10的烷基中的至少一种所取代。8.根据权利要求7所述的含硫族元素有机化合物,其中式(2-1)中的R1为选自碳数6~15的烷基、呋喃基、噻吩基及噻唑基中相同的基团。9.一种含硫族元素有机化合物的制造方法,其用以制造如权利要求1所述的含硫族元素有机化合物,其中,X=硫或硒,所述含硫族元素有机化合物的制造方法包括:使式(11)所表示的化合物偶合,获得式(12)所表示的化合物的步骤;使式(12)所表示的化合物的甲氧基脱保护,获得式(13)所表示的化合物的步骤;使式(13)所表示的化合物与N,N-二烷基硫胺甲酰氯或N,N-二烷基硒胺...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹谷纯一,冈本敏宏,中西太宇人,
申请(专利权)人:捷恩智株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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