模制成型用脱模片制造技术

一种模制成型用脱模片。使用以往的经过喷砂处理的脱模片，在喷砂处理时的制造过程所产生的残留在基材表面的粒状物接触引线框架，具有妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率恶化的问题。因此，本发明专利技术的目的在于提供一种不妨碍模制树脂密封到引线框架、能够防止来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成型半导体装置的脱模片。本发明专利技术的脱模片是包含微粒的凹凸层、基材以及树脂层层叠的脱模片。所述微粒的含量优选是凹凸层的总质量的10质量%～85质量%，凹凸层的表面粗度Ra优选是0.2μm≤Ra≤2.5μm。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种模制成型用脱模片。使用以往的经过喷砂处理的脱模片，在喷砂处理时的制造过程所产生的残留在基材表面的粒状物接触引线框架，具有妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率恶化的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种不妨碍模制树脂密封到引线框架、能够防止来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成型半导体装置的脱模片。本专利技术的脱模片是包含微粒的凹凸层、基材以及树脂层层叠的脱模片。所述微粒的含量优选是凹凸层的总质量的10质量%～85质量%，凹凸层的表面粗度Ra优选是0.2μm≤Ra≤2.5μm。【专利说明】
本专利技术涉及一种用于注塑成型等模制成型的脱模片，特别是用于制造半导体装置 的脱模片。 模制成型用脱模片
技术介绍
最近几年，随着便携式电脑、移动电话等电子设备的小型化、多功能化，除了需要 构成电子设备的电子部件的小型化、高集成度之外，也需要电子部件的高密度安装技术。在 此背景下，作为 QFP(Quad Flat Package :四方扁平封装)和 S0P(Small Outline Package : 小外形封装）等外围安装式的半导体装置的替代品，能够高密度安装的CSP (Chip Scale Package :芯片级封装)等面安装型的半导体装置备受瞩目。此外，特别是CSP中的QFN(Quad Flat Non-leaded :四方扁平无引线）封装，因为能够应用现有的半导体装置的制造技术进 行制造而成为优选封装，主要被用于100引脚（pin)以下的少端子型的半导体装置。 作为QFN封装的制造方法，已知大概有以下的方法。首先，在粘贴工序中，向引线 框架的一个面粘贴粘合片，然后，在芯片粘接（die attach)工序中，向形成于引线框架的多 个半导体芯片安装部(芯片承载（die pad)部)安装各个1C芯片等半导体芯片。然后，在引 线接合工序中，利用接合线对沿引线框架的各个半导体芯片安装部的外周设置的多个引线 和半导体芯片进行电连接。然后，在密封工序中，利用模制树脂密封安装于引线框架的半导 体芯片。然后，在剥离工序中，通过将粘合片从引线框架剥离，能够形成排列有多个QFN封 装的QFN单元。最后，在切割工序中，通过沿各个QFN封装的外周切割该QFN单元，能够制 造多个QFN封装。 以往，在QFN封装的制造方法中，一直使用半导体装置制造用粘合片，其使用了硅 胶粘合剂和丙烯酸树脂（acryl)粘合剂。使用这些半导体装置制造用粘合片，与不使用这 些粘合片的情况比较，有改善密封工序中的树脂泄漏(模子毛刺（mold flash))的优点。然 而，其也有以下问题等被指出：在进行上述引线接合工序时，由于粘合片的粘合层柔软的原 因导致引线接合性恶化，因为各个工序的热经历导致胶带收缩、引线框架翘曲，因为各个工 序的热经历和等离子清洗等处理，导致在剥离胶带时粘合层残留在引线框架和模制树脂这 一侧。 为了解决上述问题，近年来在引线框架不粘贴粘合片而制造半导体装置的方法备 受瞩目。即，如图2所示的半导体装置的制造方法。图2的（a)是多个半导体芯片11安装 于引线框架12的截面的图。 半导体装置的制造方法中，首先，如图2的（b)所示，令半导体芯片11分别插合到 下部模型13的各个成型用空间部14内后，令脱模片15以及上部模型16依次位于该下部 模型13的上方。此时，该脱模片15,有多个卷轴17位于上述下部模型13以及上部模型16 的两侧且脱模片15在每个成型的周期被返卷供给。 接着，如图2的（c)及（d)所示，为了使上述脱模片15紧贴到引线框架12的上面， 将上部模型16和下部模型13用规定压力夹紧后，将融化了的模制树脂注入各个成型用空 间部14内并令其在规定时间固化，每个成型用空间部14成型一个半导体装置18。接着，如 图2的（e)所示，从半导体装置18解离上部模型16和下部模型13后，在12的上面形成半 导体装置18。之后，切断引线框架12成为分别的半导体装置18。 以往，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜和氟浸渍的玻璃布(例如，参照专利文献 1)，作为上述的脱模片15。此外，使用对如上述的薄膜进行喷砂（sand blast)处理后的膜。 该薄膜的喷砂处理，是通过使该喷砂处理面接触模型，改善成型后模型的脱模性的处理。 但是，前述结构的脱模片具有以下问题。即，喷砂处理，是使很多砂子(粒状物）高 速撞击薄膜从而在基材的表面形成凹凸的制造处理。所述的经过喷砂处理的薄膜，虽然在 制造工序中除去附着在其表面的粒状物，但是并未能够完全地除去粒状物。因此，残留在薄 膜表面的粒状物与引线框架接触，从而妨碍了模制树脂朝引线框架的密封，发生模制树脂 的树脂泄漏，半导体装置的产品成品率恶化。 此外，由于在模制工序中短时间内被暴露在150°c?200°C的高温，因此脱模片的 基材膜所含有的低分子量成分会在片表面析出，由于该低分子量成分附着在模制模型而污 染模型。因为模型的污染继续将失去平坦性，从而树脂泄漏(模制毛刺）变得显著。虽然只 能采取定期地清扫模型作为对策，但是由此追加了定期地清洁工作，因此有生产性下降的 问题。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平8-142106号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种不妨碍模制树脂朝引线框架的密封、能够防止 来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成 型半导体装置的脱模片。 本专利技术提供一种模制成型用脱模片，其特征在于，在基材的一面形成有凹凸层，而 在另一面形成有树脂层，凹凸层含有微粒子并且表面是凹凸的。 此外，优选所述微粒子的含量是凹凸层的总质量的10质量％?85质量％。 此外，优选所述凹凸层的表面粗度Ra是0. 2μπι彡Ra彡2. 5μπι。 本专利技术的模制成型脱模片，不妨碍模制树脂密封到引线框架，没有模制树脂的树 脂泄漏，且能够模制成型半导体装置。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术的模制成型用脱模片。 图2是对使用模制成型用脱模片制造半导体装置的工序进行说明的简图。 【具体实施方式】 本专利技术的模制成型用脱模片（以下称为脱模片)，如图1所示，具有包含微粒子5的 凹凸层1、基材2以及树脂层3层叠的结构。 凹凸层1在涂层材料4包含有微粒子5。由于在凹凸层1在微粒子5的表面被覆 有涂层材料，因此微粒子5不会从凹凸层1剥离。因此，不会产生剥离的微粒子5接触引线 框架、妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率 恶化的问题。 作为涂层材料4,能够列举出例如固化型树脂。作为固化型树脂，可单独使用具有 丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基以及甲基丙烯酰氧基等自由基聚合性官能基、或环氧 基、乙烯基醚基以及氧杂环丁烷基等阳离子聚合性官能基的单体、低聚物以及预聚体，或把 上述物质适当混合的组合物。作为单体的示例，能够列举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、 甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯（methoxy polyethylene methacry本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模制成型用脱模片，其特征在于，所述模制成型用脱模片在基材的一面形成有凹凸层，而在另一面形成有树脂层，所述凹凸层含有微粒子且表面是凹凸的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤健，市川贵胜，守屋祐一，望月敬史，山田友昭，高桥真一，
申请(专利权)人：株式会社巴川制纸所，
类型：发明
国别省市：日本;JP