【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，所述半导体装置包括：半导体基板，其具有第一面；体区，其位于半导体基板中，且与第一面相接；栅绝缘膜，其以与体区相接的方式设置在第一面上；栅电极，其位于栅绝缘膜上；第一绝缘体膜，其覆盖栅电极的侧面的至少一部分；接触区，其以与第一面相接的方式设置在体区内、且对第一面俯视观察时与栅电极不同的位置处；第二绝缘体膜，其包含与第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于体区、栅电极以及第一绝缘体膜上，并且在接触区上具有接触孔。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
作为应对较大功率的M0S晶体管，已知有DMOS (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor :双扩散金属-氧化物-半导体）晶体管。 在下述的专利文献1中，记述了一种如下的DM0S晶体管，其具有：栅氧化膜和栅 电极，其位于半导体基板的第一面上；η型源接触区和p型体接触区，其在对该半导体基板 的第一面俯视观察时，以与第一面相接的方式位于与栅电极不同的位置处。在专利文献1 中，在栅电极的侧面上形成有侧壁氧化膜。在覆盖于半...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体基板，其具有第一面；体区，其位于所述半导体基板中，且以与所述第一面相接的方式而设置；栅绝缘膜，其以与述体区相接的方式而设置在所述第一面上；栅电极，其位于所述栅绝缘膜上；第一绝缘体膜，其覆盖所述栅电极的侧面的至少一部分；接触区，其以与所述第一面相接的方式设置在所述体区内、且对所述第一面俯视观察时与所述栅电极不同的位置处；第二绝缘体膜，其包含与所述第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于所述体区、所述栅电极以及所述第一绝缘体膜上，并且在所述接触区上具有接触孔。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。