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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：半导体基板，其具有第一面；体区，其位于半导体基板中，且与第一面相接；栅绝缘膜，其以与体区相接的方式设置在第一面上；栅电极，其位于栅绝缘膜上；第一绝缘体膜，其覆盖栅电极的侧面的至少一部...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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