一种瞬态电压抑制器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。本实用新型专利技术的有益效果在于，提供一种可承受大电流冲击、响应时间快、电压箝位低以及保护效果好的瞬态电压抑制器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。本技术的有益效果在于，提供一种可承受大电流冲击、响应时间快、电压箝位低以及保护效果好的瞬态电压抑制器。【专利说明】一种瞬态电压抑制器
本技术涉及一种瞬态电压抑制器。
技术介绍
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor)也称瞬态抑制保护器，简称TVS,是 一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它 能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪 涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器，其特征在于：包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾业，杨杰，
申请(专利权)人：深圳市深波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44