碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法技术

本发明专利技术提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请是于2013年3月26日提交的美国专利申请N0.13/850，374的部分继续申请。
实施例涉及碳化硅技术并且特别涉及。
技术介绍
由于大的带隙，碳化硅器件包括与在热生长二氧化硅中的最大耐受场强同样高的高击穿场强。在碳化硅器件的半导体表面(例如，在边缘终端)，非常高的电场能够出现，这表不了至少针对钝化层的高应力。例如，在多于1.5MV/cm的范围内的电场能够在碳化娃器件实施的边缘区域出现，以使得可能需要具有像聚酰亚胺包括良好的击穿抗力O 3MV/cm)的材料的钝化。但是，聚酰亚胺钝化可能聚集水分，这可能导致碳化硅的腐蚀。 因此，考虑高电场和水分的钝化对于碳化硅器件的击穿行为和长期可靠性是重要的。
技术实现思路
根据实施例的碳化硅器件包括碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分地横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。 通过使用用于保护碳化硅表面的无机钝化结构，由于与模塑材料层的直接接触电场能够被充分地减少，并且碳化硅表面与水分聚集材料(例如，聚酰亚胺)的接触能够被避免。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅器件，包括：碳化硅衬底；无机钝化层结构，至少部分地横向覆盖所述碳化硅衬底的主表面；以及模塑材料层，邻近于所述无机钝化层结构。

【技术特征摘要】
2013.03.26 US 13/850,374;2013.09.23 US 14/033,6311.一种碳化娃器件，包括: 碳化娃衬底； 无机钝化层结构，至少部分地横向覆盖所述碳化硅衬底的主表面；以及 模塑材料层，邻近于所述无机钝化层结构。2.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述碳化硅衬底和所述无机钝化层结构被配置以使得在所述无机钝化层结构的与所述模塑材料层接触的表面处的电场在所述碳化硅器件的有源状态下低于500kV/cm。3.根据权利要求2所述的碳化硅器件，其中所述碳化硅衬底被配置为在所述碳化硅器件的有源状态下包括至少在一个区域处至少2.3MV/cm的电场。4.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述模塑材料层至少沿着所述碳化硅衬底的整个主表面延伸。5.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述模塑材料层至少主要地包括环氧树月旨、二氧化硅或硅胶中的至少一个。6.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述模塑材料层被布置为邻近于所述无机钝化层结构，而在所述模塑材料层与所述无极钝化层结构之间不具有聚酰亚胺材料。7.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述无机钝化层结构包括至少一个中断区，其中所述碳化硅衬底的所述主表面在所述无机钝化层结构的所述中断区内未被所述无机钝化层结构覆盖，其中所述模塑材料层穿过所述无机钝化层结构的所述中断区延伸。8.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述无机钝化层结构包括至少第一层和第二层，其中所述第一层至少主要地包括二氧化硅并且所述第二层至少主要地包括氮化硅。9.根据权利要求7所述的碳化硅器件，其中所述第二层被布置为邻近于所述模塑材料层。10.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述碳化硅衬底包括在所述碳化硅衬底的边缘处围绕所述碳化硅衬底的有源区的边缘区域，其中所述无机钝化层结构被布置为至少在所述边缘区域内与所述碳化硅衬底和所述模塑材料层接触。11.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述碳化硅衬底包括在所述碳化硅衬底的边缘处围绕所述碳化硅衬底的有源区的边缘区域，其中所述碳化硅衬底包括主要地具有第一导电类型的外延碳化硅层和位于围绕所述碳化硅衬底的所述有源区的所述边缘区域内的至少一个边缘终端区域，其中所述边缘终端区域具有第二导电类型。12.根据权利要求1所述的碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·拉普，C·黑希特，J·康拉斯，W·伯格纳，HJ·舒尔策，R·埃尔佩尔特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE