显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法技术

本发明专利技术是有关于一种显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法，其中该显示面板包括一种薄膜晶体管基板，而该薄膜晶体管基板的制备过程中，是于源极及漏极与多晶硅层间形成一金属薄膜层，并于退火工艺中，同时掺杂以及活化多晶硅层，而形成金属硅化物，如此可降低显示面板整体的工艺温度于400℃以下。

【技术实现步骤摘要】
显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法
本专利技术是关于一种显示面板以及其制备方法，尤指一种用于显示面板的薄膜晶体管基板及其制备方法。
技术介绍
由于近年来显示面板的普及化，成为目前市场上的主流商品，为了满足消费者对于显示面板的需求，半导体工艺技术逐渐成熟，也伴随着薄膜晶体管的工艺技术朝着快速以及低成本的方向发展。现今显示面板中的薄膜晶体管主要分为由非晶硅(Amorphous-Silicon；a-Si)、或由多晶硅(Poly-Silicon；p-Si)所制成，虽然目前薄膜晶体管尚以非晶硅的工艺为主流，然而由于以多晶硅制备的薄膜晶体管具有高亮度、高分辨率、质轻、低耗电量等优点，因此以多晶硅制备的薄膜晶体管的工艺技术被视为重要的研究目标。传统的多晶硅薄膜晶体管的制备过程中，需要经过掺杂(doping)、掺杂活化(dopantactivation)、氢化(hydrogenation)、以及去氢化(dehydrogenation)的步骤，以上步骤皆需经由热或激光能量处理，而为了使掺杂的不纯物活化，使多晶硅层的源极和漏极低电阻化，关闭电压值提高，需经由热处理或激光使之活化，已知的热处理温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括一薄膜晶体管基板，其中，该薄膜晶体管基板包括：一基板；一第一金属层，形成于该基板上；一绝缘层，形成于该基板以及该第一金属层上；一多晶硅层，形成于该绝缘层上；一第二金属层，形成于该多晶硅层及该绝缘层上；一金属薄膜层，形成于该第二金属层与该多晶硅层之间；以及一金属硅化物，形成于该多晶硅层与该金属薄膜层之间。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括一薄膜晶体管基板，其中，该薄膜晶体管基板包括：一基板；一第一金属层，形成于该基板上；一绝缘层，形成于该基板以及该第一金属层上；一多晶硅层，形成于该绝缘层上；一第二金属层，形成于该多晶硅层及该绝缘层上；一金属薄膜层，形成于该第二金属层与该多晶硅层之间；以及一金属硅化物，形成于该多晶硅层与该金属薄膜层之间；其中该第二金属层包括一源极及一漏极，对应于该源极的该金属硅化物与对应该漏极的该金属硅化物间的距离介于1μm至20μm之间。2.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层是至少一选自铝、镓、铟、铊、及其合金所组成的群组。3.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层的厚度为1-500nm。4.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层的厚度为5-10nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘侑宗，李淂裕，黄建达，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71