铜箔复合体、以及成形体及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻（复杂）的变形也可防止铜箔破裂、加工性优异、进而长期稳定地发挥耐蚀性和电接点性能的铜箔复合体、以及其成形体及其制造方法。本发明专利技术涉及铜箔复合体以及其成形体及其制造方法，所述铜箔复合体是铜箔与树脂层层叠而成的铜箔复合体，在将铜箔的厚度设为t2（mm），将拉伸应变4%时的铜箔的应力设为f2（MPa），将树脂层的厚度设为t3（mm），将拉伸应变4%时的树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）/（f2×t2）≥1，并且在将铜箔与树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N/mm），将铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa），将铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式2：1≤33f1/（F×T），且在铜箔中的未层叠有树脂层的面，形成有附着量5～100μg/dm2的Cr氧化物层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种层叠铜箔与树脂层而成的。
技术介绍
层叠铜箔与树脂层而成的铜箔复合体是应用于FPCXFlexible Printed Circuit,挠性印刷电路板)、电磁波遮蔽材料、RF-1D (Rad1 Frequency Identificat1n,无线IC标签)、面状发热体、及散热体等。例如，在FPC的情况下，在基底树脂层上形成有铜箔的电路，保护电路的覆盖层膜覆盖电路，而成为树脂层/铜箔/树脂层的层叠结构。 然而，作为这样的铜箔复合体的加工性，要求以MIT弯曲性为代表的弯折性、以IPC弯曲性为代表的高循环弯曲性，而提出了弯折性或弯曲性优异的铜箔复合体(例如，专利文献I?3)。例如，FPC可在手机的铰链部等可动部弯折，或为谋求电路的小空间化而弯折使用，但作为变形模式，以上述MIT弯曲试验、或IPC弯曲试验为代表那样的单轴弯曲，而不成为苛刻的变形模式的方式进行设计。 另外，在将铜箔复合体用于电磁波遮蔽材料等的情况下，成为树脂层/铜箔的层叠结构，要求这样的铜箔复合体的表面发挥耐蚀性及长期稳定的电接点性能。 现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-100887号公报专利文献2:日本特开2009-111203号公报专利文献3:日本特开2007-207812号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，若对上述铜箔复合体进行压制加工等，则成为与MIT弯曲试验、或IPC弯曲试验不同的严苛(复杂)的变形模式，因而有铜箔断裂的问题。而且，只要可对铜箔复合体进行压制加工，则可使含有电路的结构体符合制品形状。 因此，本专利技术的目的在于提供一种即便进行压制加工等这样的不同于单轴弯曲的严苛(复杂)的变形也可防止铜箔破裂从而加工性优异、进而长时间稳定发挥耐蚀性及电接点性能的。 解决问题的技术手段本专利技术人等发现，通过将树脂层的变形行为传递至铜箔，使铜箔与树脂层相同地变形，从而使铜箔的收缩不易产生并提高延展性，可防止铜箔破裂，从而完成本专利技术。也就是说，以树脂层的变形行为传递至铜箔的方式规定树脂层及铜箔的特性。进而，为了长时间稳定发挥耐蚀性及电接点性能，而规定铜箔表面的被覆层。 S卩，本专利技术的铜箔复合体是层叠有铜箔与树脂层，在将上述铜箔的厚度设为t2(mm)，将拉伸应变4%时的上述铜箔的应力设为f2 (MPa)，将上述树脂层的厚度设为t3 (m),将拉伸应变4%时的上述树脂层的应力设为f3 (MPa)时，满足式1:(f3Xt3)/ Cf2Xt2)^ 1，并且在将上述铜箔与上述树脂层的180°剥离粘接强度设为(N/mm)，将上述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F (MPa)，将上述铜箔复合体的厚度设为T (mm)时，满足式 2:1 ^ 33f/ (FX T)，且在上述铜箔中的未层叠有上述树脂层的面，形成有附着量5~100μ g/dm2的Cr氧化物层。 优选为，在上述Cr氧化物层与上述铜箔之间，形成有厚度0.001~5.0 μ m的Ni层或Ni合金层，且优选为该Ni层或Ni合金层的厚度为0.001~0.10 μ m。 优选为，在低于上述树脂层的玻璃化转变温度的温度下，上述式I及式2成立。 优选为，上述铜箔复合体的拉伸断裂应变I与上述树脂层单体的拉伸断裂应变L的比I/L为0.7~I。 本专利技术的成形体是对上述金属箔复合体进行加工而成。本专利技术的成形体例如可通过进行压制加工、使用有上下模具的突出加工、拉深加工的其他加工等立体地进行加工。 本专利技术的成形体的制造方法是对上述金属箔复合体进行加工。 专利技术效果根据本专利技术，可获得一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻(复杂)的变形也可防止铜箔破裂而加工性优异、进而发挥耐蚀性及长时间稳定的电接点性能的铜箔复合体。 【附图说明】 图1是实验性地表示与(FXT)的关系的图。 图2是表示进行加工性的评价的杯突试验装置的构成的图。 【具体实施方式】 本专利技术的铜箔复合体是层叠铜箔与树脂层而构成。本专利技术的铜箔复合体例如可应用于FPC (挠性印刷电路板)、电磁波屏蔽材料、RF-1D (无线IC标签)、面状发热体、及散热体，但并不限定于这些。 <铜箔> 铜箔的厚度优选为0.004~0.05mm (4~50 μ m)。若t2低于0.004mm (4 μ m),贝丨J有时铜箔的延展性显著降低而使铜箔复合体的加工性不提高。铜箔优选具有4%以上的拉伸断裂应变。若t2超过0.05mm (50 μ m)，则有时在制成铜箔复合体时铜箔单体的特性的影响大幅地显现而使铜箔复合体的加工性不提高。 作为铜箔，可使用压延铜箔、电解铜箔、通过金属化而实现的铜箔等，但优选为通过再结晶而使加工性优异、同时可降低强度(f2)的压延铜箔。在铜箔表面形成有用于粘接、防锈的处理层的情况下，也将这些包括在铜箔中而予以考虑。 〈树脂层〉作为树脂层，并无特别限制，可将树脂材料涂布于铜箔而形成树脂层，但优选为可贴附于铜箔的树脂膜。作为树脂膜，可列举PET (聚对苯二甲酸乙二酯)膜、PEN (聚萘二甲酸乙二酯)、PI (聚酰亚胺)膜、LCP (液晶聚合物)膜、及PP (聚丙烯)膜。 作为树脂膜与铜箔的层叠方法，可在树脂膜与铜箔之间使用粘接剂，也可将树脂膜热压接于铜箔。另外，若粘接剂层的强度低，则难以提高铜箔复合体的加工性，因此粘接剂层的强度优选为树脂层的应力(&)的1/3以上。其原因在于:在本专利技术中，通过“将树脂层的变形行为传递至铜箔，使铜箔也与树脂层相同地变形，从而使铜箔的收缩不易产生并提高延展性”作为技术思想，若粘接剂层的强度低，则在粘接剂层的变形有所缓和，而树脂的行为不会传递至铜箔。 需要说明的是，在使用粘接剂的情况下，下述树脂层的特性是以使粘接剂层与树脂层合并而成者为对象。 树脂层的厚度t3优选为0.012?0.12mm (12?120 μ m)。若t3低于0.012_(12μπι)，则有时(f3Xt3)/ Cf2Xt2X 10若七3厚于0.12mm (120 μ m)，则树脂层的柔软性(挠性)降低而刚性变得过高，加工性劣化。树脂层优选为具有40%以上的拉伸断裂应变。 <铜箔复合体>作为层叠上述铜箔与树脂层而成的铜箔复合体的组合，可列举铜箔/树脂层的双层结构、或铜箔/树脂层/铜箔的3层结构。在树脂层的两侧存在铜箔(铜箔/树脂层/铜箔)的情况下，整体的(f2Xt2)的值设为将对2层铜箔各自进行计算而得的各(f2Xt2)的值相加而得到的值。 < 180°剥离粘接强度>铜箔因其厚度薄而容易在厚度方向产生收缩。若产生收缩，则铜箔断裂，因而延展性降低。另一方面，树脂层具有在拉伸时不易产生收缩的特征(均匀应变的区域广)。因此，在铜箔与树脂层的复合体中，通过将树脂层的变形行为传递至铜箔，使铜箔也与树脂相同地变形，从而使铜箔不易产生收缩，而提高延展性。此时，若铜箔与树脂层的粘接强度低，则无法将树脂层的变形行为传递至铜箔，而延展性不提高(剥离而使铜破裂)。 因此，必须提高粘接强度。作为粘接强度，剪切粘接力被认为是直接性指标，但若提高粘接强度，使剪切粘接力与铜箔复合体的强度为同等水平，则除粘接面以外的部位断裂本文档来自技高网...

【技术保护点】
铜箔复合体，其是铜箔与树脂层层叠而成的铜箔复合体，其特征在于，在将所述铜箔的厚度设为t2（mm），将拉伸应变4%时的所述铜箔的应力设为f2（MPa），将所述树脂层的厚度设为t3（mm），将拉伸应变4%时的所述树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）/（f2×t2）≥1；并且在将所述铜箔与所述树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N/mm），将所述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa），将所述铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式2：1≤33f1/（F×T）；且在所述铜箔中的未层叠有所述树脂层的面，形成有附着量5～100 μg/dm2的Cr氧化物层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.铜箔复合体，其是铜箔与树脂层层叠而成的铜箔复合体，其特征在于， 在将所述铜箔的厚度设为t2 (mm)，将拉伸应变4%时的所述铜箔的应力设为f2 (MPa),将所述树脂层的厚度设为t3 (mm)，将拉伸应变4%时的所述树脂层的应力设为f3 (MPa)时，满足式 1:(f3Xt3)/ Cf2Xt2≥ 1 ； 并且在将所述铜箔与所述树脂层的180°剥离粘接强度设为(N/mm)，将所述铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F (MPa)，将所述铜箔复合体的厚度设为T (mm)时，满足式 2:1 ≤ 33^/ (FXT);且 在所述铜箔中的未层叠有所述树脂层的面，形成有附着量5~100 μ g/dm2的Cr氧化物层。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中幸一郎，冠和树，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP