一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪制造技术

本实用新型专利技术涉及磁粉探伤设备技术领域，尤其涉及一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，所述磁粉探伤仪包括磁粉探伤仪电源处理电路，所述磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和H桥电路，所述控制电路和H桥电路连接，所述H桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制H桥电路的输出波形，以便H桥电路输出0～60Hz的电压频率信号。可见，一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁粉探伤设备
，尤其涉及一种磁粉探伤仪电源处理电路 和磁粉探伤仪。 一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪
技术介绍
目前市场上的磁粉探伤仪，主要分为交流磁粉探伤仪和直流磁粉探伤仪两种。交 流磁粉探伤仪一般产生50HZ交流磁场，用于检测工件表面和近表面的缺陷，对工件深埋缺 陷的检测能力比较弱。直流磁粉探伤仪一般产生直流磁场，用于检测工件的深埋缺陷，对工 件表面和近表面缺陷的检测能力比较弱。所以，若要对一工件进行全面检测，常常需要用交 流磁粉探伤仪检测一遍工件表面和近表面的缺陷，再用直流磁粉探伤仪检测一遍工件深埋 的缺陷，导致整个探伤检测的周期长且操作繁琐。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了 直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面 缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。 为达此目的，本技术采用以下技术方案： 第一方面，提供一种磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和Η桥电 路，所述控制电路和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制Η 桥电路的输出波形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。 其中，所述电压频率信号包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和15? 50Hz交流扫频电压频率信号。 其中，所述升压电路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1 管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、 第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚； 所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚 的第二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第 2管脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3 管脚悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第 二路通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容 C11接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1 接地，所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻 R11的一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13 管脚的第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚 的第三路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的 第二路连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14 的另一端的第一路； 电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电 容C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q3的栅极， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，M0S场效应管 Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q4的漏极，M0S场效应管Q3的漏极 的第二路连接电容C8的一端，M0S场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入 端，M0S场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接M0S场效应管Q4的 栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，M0S场效 应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q1 的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，M0S场 效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q2的漏极，M0S场效应管Q1 的漏极的第二路连接电阻R7的一端，M0S场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二 电压输入端，M0S场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接M0S场效应 管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地， M0S场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接； 变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第 一电压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一 路连接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二 极管D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极， 二极管D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电 阻R19的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC-H端，二极管D2的负极的第 四路通过电容C6接地，二极管D4的正极接地。 其中，所述控制电路包括ATmega8A-AU芯片U5，所述ATmega8A-AU芯片U5上设置 有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9 管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第 17管脚、第18管脚、第19管脚、第20管脚、第21管脚、第22管脚、第23管脚、第24管脚、 第25管脚、第26管脚、第27管脚、第28管脚、第29管脚、第30管脚、第31管脚和第32管 脚； 所述第12管脚连接RUN端，所述第13管脚连接BATStatus端，所述第14管脚 悬空，所述第15管脚连接M0SI端，所述第16管脚连接MIS0端，所述第17管脚连接CLK 端，所述第7管脚连接XTAL1端的一端，所述第8管脚连接XTAL2端的一端，所述第30管 脚连接PD0端，所述第31管脚连接PD1端，所述第32管脚连接ShutDown端，所述第1 管脚连接PD3端，所述第2管脚连接LED0端的一端，所述第9管脚连接LED1端的一端，所 述第10管脚悬空，所述第11管脚连接单刀双掷开关SF的动端2,单刀双掷开关SF的不动 端3接地，单刀双掷开关SF的不动端1通过电阻Rc连接电源VCC-5V端，所述第23管脚 连接AD-BAT端的一端，所述第24管脚悬空，所述第25管脚连接MCUShutDown端，所述第 26管脚连接LightON端，所述第27管脚连接AHIN端，所述第28管脚连接ALIN端，所述 第19管脚连接BHIN端，所述第22管脚连接BLIN端，所述第29管脚连接RESET端的一 端，所述第6管脚、第4管脚和第18管脚的第一路分别连接电源VCC-5V端，所述第6管脚、 第4管脚和第18管脚的第二路分别通过电容C28接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管 脚的第一路分别接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的第二路分别连接电容C29的 一端，电容C29的另一端的第一路连接所述第20管脚，电容C29的另一端的第二路连接电 阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于：包括升压电路、控制电路和H桥电路，所述控制电路和H桥电路连接，所述H桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制H桥电路的输出波形，以便H桥电路输出0～60Hz的电压频率信号。

【技术特征摘要】
1. 一种磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于：包括升压电路、控制电路和Η桥电路， 所述控制电路和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制Η桥电 路的输出波形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。2. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述电压频率信号 包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和15?50Hz交流扫频电压频率信号。3. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述升压电路包括 SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管 脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、 第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚； 所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚的第 二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第2管 脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3管脚 悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第二路 通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容C11 接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1接地， 所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻R11的 一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13管脚的 第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚的第三 路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的第二路 连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14的另一 端的第一路； 电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电容 C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q3的栅极， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，M0S场效应管 Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q4的漏极，M0S场效应管Q3的漏极 的第二路连接电容C8的一端，M0S场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入 端，M0S场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接M0S场效应管Q4的 栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，M0S场效 应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q1 的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，M0S场 效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q2的漏极，M0S场效应管Q1 的漏极的第二路连接电阻R7的一端，M0S场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二 电压输入端，M0S场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接M0S场效应 管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地， M0S场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接； 变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第一电 压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一路连 接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二极管 D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极，二极管 D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电阻R19 的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC-H端，二极管D2的负极的第四路通 过电容C6接地，二极管D4的正极接地。4. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述控制电路包括 ATmega8A-AU芯片U5,所述ATmega8A-AU芯片U5上设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、 第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12 管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第17管脚、第18管脚、第19管脚、第 20管脚、第21管脚、第22管脚、第23管脚、第24管脚、第25管脚、第26管脚、第27管脚、 第28管脚、第29管脚、第30管脚、第31管脚和第32管脚； 所述第12管脚连接RUN端，所述第13管脚连接BATStatus端，所述第14管脚悬空， 所述第15管脚连接MOSI端，所述第16管脚连接MISO端，所述第17管脚连接CLK端， 所述第7管脚连接XTAL1端的一端，所述第8管脚连接XTAL2端的一端，所述第30管脚连 接PDO端，所述第31管脚连接PD1端，所述第32管脚连接ShutDown端，所述第1管脚 连接PD3端，所述第2管脚连接LED0端的一端，所述第9管脚连接LED1端的一端，所述第 10管脚悬空，所述第11管脚连接单刀双掷开关SF的动端2,单刀双掷开关SF的不动端3 接地，单刀双掷开关SF的不动端1通过电阻Rc连接电源VCC-5V端，所述第23管脚连接 AD-BAT端的一端，所述第24管脚悬空，所述第25管脚连接MCUShutDown端，所述第26管 脚连接LightON端，所述第27管脚连接AHIN端，所述第28管脚连接ALIN端，所述第19 管脚连接BHIN端，所述第22管脚连接BLIN端，所述第29管脚连接RESET端的一端，所 述第6管脚、第4管脚和第18管脚的第一路分别连接电源VCC-5V端，所述第6管脚、第4 管脚和第18管脚的第二路分别通过电容C28接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的 第一路分别接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的第二路分别连接电容C29的一端， 电容C29的另一端的第一路连接所述第20管脚，电容C29的另一端的第二路连接电阻R45 的一端，电阻R45的另一端连接Vref端的一端； 所述Vref端的另一端的第一路通过电阻R48连接电源VCC-5V端，Vref端的另一端的 第二路连接TL431IDBZR型的可调式精密并联稳压器U6的负极，可调式精密并联稳压器U6 的正极接地，Vref端的另一端的第三路连接可调式精密并联稳压器U6的输出电压设定端 的一端，所述输出电压设定端的另一端通过电容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第一路 连接8MHz晶体振荡器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通过电容C31接地，所 述XTAL2端的另一端的第一路连接8MHz晶体振荡器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一端的 第二路通过电容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通过电阻R47连接电源VCC-5V 端，所述RESET端的另一端的第二路通过电容C30接地，所述AD-BAT端的另一端的第一 路通过电阻R46连接电源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通过电阻R49接地， 所述AD-BAT端的另一端的第三路通过电容C32接地，所述LED0端的另一端通过电阻Rb 连接双向发光二极管D16的第一信号输入端，所述LED1端的另一端通过电阻Rd连接双向 发光二极管D16的第二信号输入端，双向发光二极管D16的电源输入端连接VCC-5V端。5. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述Η桥电路包括 IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U2,以及IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U3， 所述驱动1C芯片U2和驱动1C芯片U3分别设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管 脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、 第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚； 所述驱动1C芯片U2的第1管脚的第一路连接IN4148型的二极管D9的负极，所述驱 动1C芯片U2的第1管脚的第二路连接电阻R29的一端，电阻R29的另一端连接二极管D9 的正极的第一路，所述驱动1C芯片U2的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的 第一路连接IN4007型的二极管D7的正极，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第二路通过电 容C20接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第三路通过电容C23接地，所述驱动1C芯 片U2的第3管脚的第四路连接电源BAT+端，所述驱动1C芯片U2的第4管脚悬空，所述驱 动1C芯片U2的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第一路连接电容C15的一 端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第二路连接电阻R22的一端，所述驱动1C芯片U2的 第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的MOS场效应管Q5的源极，所述驱动1C芯片U2的 第6管脚的第四路连接VHL端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第五路连接IRF840ASPBF 型的MOS场效应管Q7的漏极，电容C15的另一端的第一路连接二极管D7的负极，电容C15 的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U2的第7管脚，所述驱动1C芯片U2的第8管脚 的第一路连接电阻R21的一端，所述驱动1C芯片U2的第8管脚的第二路连接IN4148型的 二极管D6的负极，电阻R21的另一端的第一路连接电阻R22的另一端，电阻R21的另一端 的第二路连接二极管D6的正极，电阻R21的另一端的第三路连接MOS场效应管Q5的栅极， MOS场效应管Q5的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U2的第9管脚悬空，所述驱 动1C芯片U2的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第一路通过电容C14 接地，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第二路通过电容C17接地，所述驱动1C芯片U2 的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U2的第12管脚连接控制电路 的AHIN端，所述驱动1C芯片U2的第13管脚连接SHD端的一端，SHD端的另一端通过电阻 R27接地，所述驱动1C芯片U2的第14管脚连接控制电路的ALIN端，所述驱动1C芯片U2 的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪月银，
申请(专利权)人：深圳市神视检验有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44