【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
制造Si/C复合物的方法，该方法包括提供含有硅的活性材料，提供木质素，将所述活性材料与含有木质素的C前体接触，在至少400℃的温度下在惰性气体气氛中将木质素转化成无机碳。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·特勒格尔，M·阿曼，S·豪夫，J·潘泰里克，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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