真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法技术

本发明专利技术公开了真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法。它的步骤是：1、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料；2、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料；3、在所述的反应料上堆埋保温料，所述的保温料的料层厚度为80mm～120mm；4、在所述的保温料上堆埋过滤料，所述的过滤料是由粒度为10mm～20mm的石英石粒构成的，使用后经过水洗可重复使用。本发明专利技术的特点是，通过冶炼堆料时加设过滤料层，可实现冶炼碳化硅时回收的一氧化碳更洁净，更环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到碳化硅冶炼方法，尤其涉及到一种真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法。 
技术介绍
为了解决碳化硅生产企业普遍采用反应烧结冶炼炉的高耗能、高污染和一氧化碳不可回收的问题，本人专利技术了一种“真空温控调压碳化硅冶炼炉”，并于2010年7月13日向国家知识产权局申请了技术专利，2011年4月6日获得正式授权(专利号：201020258621.7)，基本解决了上述问题。但经过一段生产实践，由于还是采用传统的堆料冶炼方法，回收的一氧化碳中杂质过多，极易造成抽真空装置的真空管路和真空泵堵塞。 
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的，在于提供一种可以有效克服上述问题，通过冶炼堆料时加设过滤料层，使回收的一氧化碳更洁净、更环保的真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法。 本专利技术的技术方案是这样的，真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法是： 1、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料； 2、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料； 3、在所述的反应料上堆埋保温料，所述的保温料的料层厚度为80mm～120mm； 4、在所述的保温料上堆埋过滤料，所述的过滤料是由粒度为10mm～20mm的石英石粒构成的，使用后经过水洗可重复使用。 本专利技术的特点是，通过冶炼堆料时加设过滤料层，可实现冶炼碳化硅时回收的一氧化碳更洁净，更环保。 附图说明附图1为炉体堆料完成后的横截面示意图，主要是为了更直观地了解本专利技术。 具体实施方式本专利技术的实施例与技术方案完全一致。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法，其特征在于，它的步骤是：①、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料；②、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料；③、在所述的反应料上堆埋保温料，所述的保温料的料层厚度为80mm～120mm；④、在所述的保温料上堆埋过滤料，所述的过滤料是由粒度为10mm～20mm的石英石粒构成的，使用后经过水洗可重复使用。

【技术特征摘要】
1.真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法，其特征在于，
它的步骤是：
①、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料；
②、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料；
③、在所述的反应料上...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴忠，
申请(专利权)人：鸡西市兴中科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23