一种双频复合卡制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双频复合卡，包括基材，高频芯片和超高频芯片并排设在基材的同一表面的长度方向上，5匝线圈由内向外均匀环绕在两个芯片的周边；在两个芯片的正中间位置设有电容C2，电容C2的一端与5匝线圈的第二匝线圈连接，电容C2的另一端与5匝线圈的第三匝线圈连接，并且电容C2的两端还分别与超高频芯片的正负电源端连接；高频芯片的竖直方向的一侧设有电容C1，电容C1的一端与5匝线圈的第一匝线圈连接，电容C1的另一端与5匝线圈的第四匝线圈连接，并且电容C1的两端还分别与高频芯片的正负电源端连接。本实用新型专利技术较好的克服了小面积区域内两种不同频率芯片之间的干扰问题，可以满足绝大部分适合多频复合卡应用的领域。

【技术实现步骤摘要】
一种双频复合卡
本技术涉及一种射频复合卡，具体涉及一种双频复合卡。
技术介绍
目前，市场上射频卡分为单频卡和双频卡两种，其中，单频卡是采用单线圈和单芯片的卡片，工作频率一般只覆盖低频、高频或超高频芯片中的一种，应用范围比较单一；而双频卡是采用低频和高频芯片中的一种以及超高频芯片，低频或高频芯片用于门禁等近距离使用，超高频芯片用于快速通道等远距离使用，因此双频卡可以一卡多用，应用更加广泛。但是，由于双频卡是将两种芯片和线圈布设在面积很小(如长85.6mm、宽54mm的卡片)的区域内，研究发现，两种芯片之间存在很强的干扰，现有的双频卡中两种芯片的布局不是很合理，对实际读卡距离和读卡精度有很大的不良影响，限制了双频卡在很多要求较高的信息化系统中的应用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种双频复合卡，采用更加合理的布局，两种芯片之间的相互干扰很小，具有很好的读卡距离和读卡精度。 为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是: —种双频复合卡，包括基材和设在基材上的闻频芯片和超闻频芯片；其特征在于:所述闻频芯片和超闻频芯片并排设置在基材的同一表面的长度方向上，在闻频芯片和超闻频芯片的四周的基材上环绕着由一根导线围成的5匝线圈；电容C2的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第二匝线圈连接，电容C2的一个另电源接入端与5匝线圈中的自内向外第三匝线圈连接，电容C2的两个电源输出端分别与超高频芯片的正负电源端连接；电容Cl的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第一匝线圈连接，电容Cl的另一电源接入端与5匝线圈中的自内向外第四匝线圈连接，电容Cl的两个电源输出端分别与高频芯片的正负电源端连接。 其中，所述电容C2的两端分别与第二匝线圈和第三匝线圈之间的连接线均为水平连接线，电容Cl的两端分别与第一匝线圈和第四匝线圈之间的连接线为竖直连接线。 其中，所述5匝线圈的相邻匝线圈之间留有0.5mm的间隙，并且间隙相等。 其中，所述电容C2的两个电源输出端与超高频芯片的正负电源端之间的连接线均为波浪形的曲线。 其中，在基材的长度方向上，所述高频芯片与线圈之间的距离等于超高频芯片与线圈之间的距离，并且为高频芯片与电容C2之间距离的1/2至1/4 ;在基材的宽度方向上，所述高频芯片的一端与线圈之间的距离为其另一端与线圈之间距离的1/2至1/3，并且电容Cl设在高频芯片与线圈相距较大的一侧的中间位置。 其中，所述高频芯片采用13.56MHz的ICodeSli芯片，超高频芯片采用900MHz的Alien9662 芯片。 采用上述技术方案所产生的有益效果在于: 本技术优化设置了射频卡等小面积区域内的高频芯片和超高频芯片的布局、焊接点以及电容等之间的最佳配比和位置，而且两种芯片共用同一个天线，较好的克服了小面积区域内两种不同频率芯片之间的干扰问题，使得同一张卡片中的两种芯片在各自相应频率上均能达到其单频应用时的读卡距离。本技术的高频ICodeSli芯片的读卡距离能够达到并稳定保持在IOcm以上；超高频Alien9662芯片的读卡距离能够达到并稳定保持在3米以上，可以满足绝大部分适合多频复合卡片应用的领域。 【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。 如图1所不，本技术为一种双频复合卡，包括基材和设在基材上的闻频芯片和超高频芯片；高频芯片采用13.56MHz的ICodeSli芯片，超高频芯片采用900MHz的Alien9662芯片。高频芯片和超高频芯片并排设置在基材的同一表面的长度方向上，该表面上还设置有两个芯片共用的5匝线圈，并且5匝线圈由内向外均匀环绕在两个芯片的周边；优选的，5匝线圈的相邻匝线圈之间留有0.5mm的间隙，并且间隙相等。在两个芯片的正中间位置设有电容C2，电容C2的一端与5匝线圈的第二匝线圈连接，电容C2的另一端与5匝线圈的第三匝线圈连接，并且电容C2的两端还分别与超高频芯片的正负电源端连接；高频芯片的竖直方向的一侧设有电容Cl，高频芯片的竖直方向的一侧设有电容Cl，电容Cl的一端与5匝线圈的第一匝线圈连接，电容Cl的另一端与5匝线圈的第四匝线圈连接，并且电容Cl的两端还分别与高频芯片的正负电源端连接。优选的，电容C2的两端分别与第二匝线圈和第三匝线圈之间的连接线均为水平连接线，电容Cl的两端分别与第一匝线圈和第四匝线圈之间的连接线为竖直连接线，电容C2的两端分别与超高频芯片的正负电源端之间的连接线均为波浪形的曲线，并且波浪形曲线连接线位于电容C2与超高频芯片之间；并且电容Cl与线圈之间的两根竖直连接线均设在电容Cl的同一侧；电容C2与线圈之间的两个水平连接线分别设在电容C2的两侧。在基材的长度方向上，高频芯片与线圈之间的距离等于超高频芯片与线圈之间的距离，并且为高频芯片与电容C2之间距离的1/2至1/4;在基材的宽度方向上，高频芯片的一端与线圈之间的距离为其另一端与线圈之间距离的1/2至1/3，并且电容Cl设在高频芯片与线圈相距较大的一侧的中间位置。 本技术的工作原理: 当本技术的复合卡片进入13.56MHz读卡器的读卡范围内时,卡片内的线圈切割读卡器所产生的磁场并产生感应电流，电容Cl为ICodeSli芯片提供稳定的驱动电流，驱动并激活卡片内的13.56MHz的高频ICodeSli芯片，使其开始工作，并和13.56MHz读卡器完成信息的读取和写入，读卡距离保持在稳定的IOcm以上；卡片离开13.56MHz读卡器的读卡范围内时，驱动电流消失，卡片停止工作，中断与13.56MHz读卡器之间的信息交互。 当本技术的复合卡片进入900MHz读卡器的读卡范围内时，卡片内的线圈切割读卡器所产生的磁场并产生感应电流，电容C2为Alien9662芯片提供稳定的驱动电流，驱动并激活复合卡片内的900MHz超高频的Alien9662芯片，使其开始工作，并和900MHz读卡器完成信息的读取和写入，读卡距离保持在稳定的3米以上；卡片离开900MHz读卡器的读卡范围内时，驱动电流消失，卡片停止工作，中断与900MHz读卡器之间的信息交互。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双频复合卡，包括基材和设在基材上的高频芯片和超高频芯片；其特征在于：所述高频芯片和超高频芯片并排设置在基材的同一表面的长度方向上，在高频芯片和超高频芯片的四周的基材上环绕着由一根导线围成的5匝线圈；电容C2的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第二匝线圈连接，电容C2的一个另电源接入端与5匝线圈中的自内向外第三匝线圈连接，电容C2的两个电源输出端分别与超高频芯片的正负电源端连接；电容C1的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第一匝线圈连接，电容C1的另一电源接入端与5匝线圈中的自内向外第四匝线圈连接，电容C1的两个电源输出端分别与高频芯片的正负电源端连接。

【技术特征摘要】
1.一种双频复合卡，包括基材和设在基材上的闻频芯片和超闻频芯片；其特征在于:所述闻频芯片和超闻频芯片并排设置在基材的同一表面的长度方向上，在闻频芯片和超闻频芯片的四周的基材上环绕着由一根导线围成的5匝线圈；电容C2的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第二匝线圈连接，电容C2的一个另电源接入端与5匝线圈中的自内向外第三匝线圈连接，电容C2的两个电源输出端分别与超高频芯片的正负电源端连接；电容Cl的一个电源接入端与5匝线圈中的自内向外第一匝线圈连接，电容Cl的另一电源接入端与5匝线圈中的自内向外第四匝线圈连接，电容Cl的两个电源输出端分别与高频芯片的正负电源端连接。2.根据权利要求1所述的一种双频复合卡，其特征在于:所述电容C2的两端分别与第二匝线圈和第三匝线圈之间的连接线均为水平连接线，电容Cl的两端分别与第一匝线圈和第四匝线圈之间的连接线为竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩宝刚，刘立冬，王宇宁，
申请(专利权)人：河北远东通信系统工程有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13