【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请公开了一种屏蔽背腔式去耦合RFID标签，具有由导电材料壁形成的三维腔体和位于导电材料壁中的用于创建使处于RFID标签工作频率的RF通信信号进入三维腔体和/或从三维腔体输出的主要通道的至少一个缝隙。采用本申请的技术方案，可以在降低对环境特性的敏感度的同时允许标签工作频率范围内的RF通信信号顺利通过。【专利说明】屏蔽背腔式缝隙去耦合RF ID标签
本专利技术包括屏蔽去耦合RFID标签，该屏蔽去耦合RFID标签包括去耦合器和标签，其中该去耦合器包括由导电材料壁形成的三维腔体、位于该腔体中的标签以及位于导电材料壁中的用于创建使RF通信信号进入三维腔体和/或从三维腔体输出的通道的至少一个缝隙。
技术介绍
现今，在市场存在基于空腔共振器构建的去耦合RFID标签，如果放置在可能降低标签性能的表面(例如，金属表面)上，该去耦合RFID标签表现得也较好。在这些设计中，空腔共振器很大程度上将标签(“标签”通常是天线和集成电路(IC)的组合，例如，如果标签由空腔共振器和IC构成，则回路IC或偶极子IC标签或多个标签能够是空腔共振器去耦合IC)与...
【技术保护点】
一种屏蔽去耦合RFID标签，包括：去耦合器，包括具有导电材料壁的三维腔体；标签，位于所述三维腔体中；以及至少一个缝隙，位于所述导电材料壁中，用于创建使RF通信信号进入所述三维腔体和/或从所述三维腔体输出的通道。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：巴拉克·莫豪杰伊拉瓦尼，查尔斯·维尔纳，
申请(专利权)人：欧姆尼ID开曼有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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