组合式SIM卡及其生产工艺制造技术

技术编号:10420820 阅读:234 留言:0更新日期:2014-09-12 11:44
本发明专利技术公开了一种组合式SIM卡及其生产工艺,其中生产工艺包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。本发明专利技术通过在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合,与同类产品相比本发明专利技术可在不增加现有设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。

【技术实现步骤摘要】
组合式SIM卡及其生产工艺
本专利技术涉及SM卡,尤其涉及一种组合式SM卡及其生产工艺。
技术介绍
现有技术中,不同形态的组合式SM卡(如2FF+4FF组合式)产品在生产过程中,需要专用的纸卡生产线+注塑生产线,其工艺复杂,而生产的产品由于是纸质为主体,在卡产品的耐候性方面(即耐热、耐酸碱、耐老化、抗压力)较差,因此如何要生产类似形态的卡产品,需要组建专门的生产厂,不利于技术及产品的推广,同时卡产品在使用过程中的结构强度也较小,容易损坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于针对现有技术中无法将不同形态的卡组合在一起的缺陷,提供一种组合式SM卡及其生产工艺。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 提供一种组合式SIM卡生产工艺,包括以下步骤: 预先在中间补偿基片上的第一 SIM卡区域涂布一层光油,该第一 SIM卡的表面积和厚度均小于第二 SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体; 将卡体铳切为标准卡片; 在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装; 用第二 SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切; 用第一 SM卡的模具在第二 SM上进行二次铳切。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切出带缝隙的第一 SIM卡。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切不带缝隙的第一 SIM卡。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,所述第一 SM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。本专利技术还提供一种组合式SM卡,包括承载卡体,该承载卡体上设有第一 SM卡和第二 SM卡,第一 SM卡置于第二 SM卡内,共用一个芯片,其中第一 SM卡的厚度小于第二 SM卡厚度。本专利技术所述的组合式SM卡中,所述第一 SM卡周围有缝隙。本专利技术所述的组合式SM卡中,所述第一 SM卡周围无缝隙。本专利技术所述的组合式SIM卡中,所述第一 SIM卡为4FF小卡,所述第二 SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。本专利技术产生的有益效果是:本专利技术通过在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合,与同类产品相比本专利技术可在不增加现有设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。【附图说明】下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明,附图中: 图1是本专利技术实施例有缝铳切的组合式SIM卡的结构示意图; 图2是本专利技术实施例无缝铳切的组合式SIM卡的结构示意图; 图3是本专利技术实施例组合式SM卡生产工艺流程图; 图4是本专利技术实施例组合式SIM卡的剖视图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。本专利技术将两种不同形态、不同规格的SM卡在一张SM卡体上实现。如图1、图2所示,本专利技术实施例组合式SM卡,包括承载卡体30,该承载卡体30上设有第一 SM卡10和第二 SM卡20,第一 SM卡置于第二 SM卡内,共用一个芯片,其中第一 SM卡10的厚度小于第二 SM卡20的厚度。将两种不同厚度的卡组合在同一个承载卡体30上,既能保证在不同的手机终端上使用而又不会出现由于厚度原因导致的接触不良问题,大大方便了用户。另外本专利技术实施例的组合式SIM卡的材质始终为一种材质,不会在使用中出现产品结构不牢固的问题。在本专利技术的一个实施例中,第一 SIM卡为4FF小卡,第二 SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。2FF形态的小卡用于大多数手机终端使用,4FF小卡目前用于IPH0NE5系列手机终端使用。在第一 SM卡10周围可设置缝隙,便于将其掰离承载卡体1,但是掰离后无法再放回承载卡体30上。也可在第一 SM卡10周围不设置缝隙,第一 SM卡10脱离承载卡体30后还可以放回嵌入承载卡体30上,即嵌入作为第二 SM卡使用。如图3所示,本专利技术的组合式SIM卡生产工艺,包括以下步骤: S1、预先在中间补偿基片上的第一 SIM卡区域涂布一层光油,该第一 SIM卡的表面积和厚度均小于第二 SM卡;在中间补偿基片的第一 SIM卡区域胶印表面光油时,出血设置0.3mm左右。若卡面上需要设计图案,则还可预先在面层印刷基片即正面(芯片面)设计版面图文,也可在中间层(即中间补偿基片)的小卡区域印刷图文(如果有需求小卡面有图案,没有则可以不用在中间层印刷图文)。S2、将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;三种基片均可采用ABS材料。油墨在热压时会阻隔与基片的融合,故涂有光油的第一SIM卡区域经热压后不会与底部印刷基片融合在一起,从而便于后期进行第一 SM卡底部印刷基片的分离。在热压之前可采用通针做定位检查,避免装订偏移。热压时,本专利技术的一个实施例中,可采用如下表1的卡体层压参数进行热压粘合:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。

【技术特征摘要】
1.一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤: 预先在中间补偿基片上的第一 SIM卡区域涂布一层光油,该第一 SIM卡的表面积和厚度均小于第二 SIM卡; 将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体; 将卡体铳切为标准卡片; 在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装; 用第二 SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切; 用第一 SM卡的模具在第二 SM上进行二次铳切。2.根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切出带缝隙的第一 SM卡。3.根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二 ...

【专利技术属性】
技术研发人员:翟新胜刘杰
申请(专利权)人:武汉天喻信息产业股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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