【技术实现步骤摘要】
组合式SIM卡及其生产工艺
本专利技术涉及SM卡,尤其涉及一种组合式SM卡及其生产工艺。
技术介绍
现有技术中,不同形态的组合式SM卡(如2FF+4FF组合式)产品在生产过程中,需要专用的纸卡生产线+注塑生产线,其工艺复杂,而生产的产品由于是纸质为主体,在卡产品的耐候性方面(即耐热、耐酸碱、耐老化、抗压力)较差,因此如何要生产类似形态的卡产品,需要组建专门的生产厂,不利于技术及产品的推广,同时卡产品在使用过程中的结构强度也较小,容易损坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于针对现有技术中无法将不同形态的卡组合在一起的缺陷,提供一种组合式SM卡及其生产工艺。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 提供一种组合式SIM卡生产工艺,包括以下步骤: 预先在中间补偿基片上的第一 SIM卡区域涂布一层光油,该第一 SIM卡的表面积和厚度均小于第二 SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体; 将卡体铳切为标准卡片; 在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装; 用第二 SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切; 用第一 SM卡的模具在第二 SM上进行二次铳切。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切出带缝隙的第一 SIM卡。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切不带缝隙的第一 SIM卡。本专利技术所述的组合式SM卡生产工艺中,所述第一 SM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。本专利技术还提供一种组合式 ...
【技术保护点】
一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。
【技术特征摘要】
1.一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤: 预先在中间补偿基片上的第一 SIM卡区域涂布一层光油,该第一 SIM卡的表面积和厚度均小于第二 SIM卡; 将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体; 将卡体铳切为标准卡片; 在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装; 用第二 SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切; 用第一 SM卡的模具在第二 SM上进行二次铳切。2.根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二 SM卡上铳切出带缝隙的第一 SM卡。3.根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二 ...
【专利技术属性】
技术研发人员:翟新胜,刘杰,
申请(专利权)人:武汉天喻信息产业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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