硅原材料的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅原材料的清洗方法，属于太阳能电池技术领域。其包括下述步骤：（1）采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂25-35%、余量为纯水；（2）高压水枪冲洗3-8分钟；（3）超声清洗；超声清洗温度为35-45℃，时间为15-20分钟。本发明专利技术采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步骤：（1）采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂 25‑35%、余量为纯水；（2）高压水枪冲洗3‑8分钟；（3）超声清洗；超声清洗温度为35‑45℃，时间为15‑20分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬国，席骁，何京辉，曹祥瑞，刘彬，
申请(专利权)人：邢台晶龙电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13