【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种研磨砂轮结构,至少包括一环形安装部及若干环设于所述环形安装部外缘且间隔排列的研磨片;所述研磨片包括相对的一对圆弧形侧面及相对的一对平面侧面;所述圆弧形侧面平行于所述环形安装部的圆周;所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为锐角或钝角。使用本技术的研磨砂轮结构对晶圆进行减薄,能够保证良好的研磨质量,并降低芯片剥离的概率,提高产品良率。【专利说明】研磨砂轮结构
本技术属于半导体加工机械领域,涉及一种磨砂轮结构。
技术介绍
三维集成电路(3D IC)是将多颗芯片进行三维空间垂直整合,是一种单一芯片,使用芯片上的信号层上的所有组件,无论是垂直或水平。目前世界各国在3D IC的研发上多处于先期发展阶段,尚未成为成熟之技术。目前业界在三维芯片会用硅穿孔(TSV)的方式在垂直方向实现相互连接。芯片制造模具,采用面对面堆积,允许通过结构的密度。背面TSV技术用于1和电源。对于3D平面布置图,设计人员手动安排每个芯片中的功能块,以降低功耗和性能改进。允许分拆大型和高功率模块和精心重排,以限制热的热点。与2D相比,3D设计提供了 15%的性能提升和15% ...
【技术保护点】
一种研磨砂轮结构,至少包括一环形安装部及若干环设于所述环形安装部外缘且间隔排列的研磨片;所述研磨片包括相对的一对圆弧形侧面及相对的一对平面侧面;所述圆弧形侧面平行于所述环形安装部的圆周;其特征在于:所述平面侧面与所述圆弧形侧面的夹角为锐角或钝角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王贤超,王冲,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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