发光二极管封装结构及其制造方法技术

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括如下步骤：提供引线架，多列第一、第二电极交错排列于引线架上，同列第一、第二电极分别通过连接条串接，第一、第二电极外侧两端形成第一、第二接引电极；在相邻连接条之间形成围绕第一、第二电极且具有容置槽的反射杯，第一、第二接引电极外露于反射杯；对第一、第二电极的顶角切割以形成多个缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接第一、第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；沿缺口横向切割反射杯和连接条。本发明专利技术还提供一种由该方法制成的发光二极管封装结构。本发明专利技术中第一、第二电极嵌置于反射杯内，第一、第二接引电极外露于反射杯，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
发光二极管（lightemittingdiode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。一般的发光二极管封装结构通常先成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面及侧面上。然而，这种方法制成的发光二极管封装结构的密合度不佳，封装结构中的电极与反射杯之间结合不紧密，电极在使用过程中容易松动或脱落。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种结构密合度较好的发光二极管封装结构及其制造方法。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构由上述发光二极管封装结构的制造方法所制成。与现有技术相比，在本专利技术所述的发光二极管封装结构的制造方法中，反射杯形成于两相邻的第一连接条和第二连接条之间，第一电极和第二电极在反射杯成型后嵌置于反射杯内，反射杯成型的过程中并不会与第一接引电极和第二接引电极发生干涉，在反射杯成型后第一接引电极和第二接引电极外露于反射杯的相对两侧，由上述制造方法所制成的发光二极管封装结构中第一电极和第二电极与反射杯结合的更加牢固，能够效提升整个发光二极管封装结构的密合度。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1是本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S101中所得元件的俯视示意图。图3是图2中所示框线部分的放大示意图。图4是图3中所示元件沿IV-IV线的剖面示意图。图5是图3中所示元件的仰视示意图。图6是图3中所示元件沿VI-VI线的剖面示意图。图7是图2中所示元件放置于模具内时的剖面示意图。图8是图2中所示元件放置于模具内时的仰视示意图（其中下模具的底部被隐藏）。图9是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102中所得元件的俯视示意图。图10是图9中所示框线部分的放大示意图。图11是图10中所示元件沿XI-XI线的剖面示意图。图12是图10中所示元件的仰视示意图。图13是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S103中所得元件在形成缺口前的仰视示意图。图14是图13中所示元件在形成缺口后的仰视示意图。图15是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S106中所得的发光二极管封装结构的俯视示意图。图16是图15中所示发光二极管封装结构沿XVI-XVI线的剖面示意图。图17是图15中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。主要元件符号说明第一电极10第一接引电极11第一缺口13第二电极20第二接引电极21第二缺口23第一连接条30第二连接条31沟槽40引线架50模具60上模具61下模具62反射杯70容置槽71发光二极管芯片80导线81、82封装层90发光二极管封装结构100上表面101、201下表面102、202导孔103、203通槽105、205弧形面131、231第一连接部301第一支撑部302第一成型槽303第二连接部311第二支撑部312第二成型槽313流道611第一增厚部1022第二增厚部2022如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式图1为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构100的制造方法流程图，该发光二极管封装结构100的制造方法包括如下步骤：步骤S101，请参阅图2，提供一装设有多列第一电极10和第二电极20的引线架50，所述第一电极10、第二电极20交错排列于引线架50上，同列中的各第一电极10通过第一连接条30纵向串接，同列中的各第二电极20通过第二连接条31纵向串接，各第一电极10邻近第一连接条30的一端向外凸出延伸形成一第一接引电极11，各第二电极20邻近第二连接条31的一端向外凸出延伸形成一第二接引电极21。该引线架50上还加设有延展性能较好的若干金属细线（未标示），该金属细线用于将所述第一电极10和第二电极20分别固定于引线架50上。请一并参阅图3至图6，该第一电极10和第二电极20均呈纵长的条状。该第一接引电极11自第一电极10的远离第二电极20的一端向外再向下一体延伸形成。该第二接引电极21自第二电极20的远离第一电极10的一端向外再向下一体延伸形成。该第一接引电极11的宽度小于第一电极10的宽度。该第二接引电极21的宽度小于第二电极20的宽度。该第一电极10包括相对设置的上表面101和下表面102。该第一电极10上开设有贯穿其上表面101和下表面102的至少一导孔103。该第二电极20包括相对设置的上表面201和下表面202。该第二电极20上开设有贯穿其上表面201和下表面202的至少一导孔203。该第一电极10的下表面102和第二电极20的下表面202分别向下凸出延伸形成第一增厚部1022和第二增厚部2022。该第一增厚部1022和第二增厚部2022分别自第一电极10和第二电极20内侧相对的两端垂直向下延伸而出。该第一增厚部1022的宽度（沿第一连接条30延伸方向上的宽度，即纵向的宽度）小于对应的第一电极10的宽度。该第二增厚部2022的宽度（沿第二连接条31延伸方向上的宽度，即纵向的宽度）小于对应的第二电极20的宽度。该第一连接条30包括多个位于相邻第一电极10之间的第一连接部301和多个位于第一电极10底部并与相邻第一连接部301连接的第一支撑部302。该第二连接条31包括多个位于相邻第二电极20之间的第二连接部311和多个位于第二电极20底部并与相邻第二连接部311连接的第二支撑部312。该第一连接部301和第一支撑部302均具有一远离第一电极10设置的底面（未标示）。该第一连接部301的底面和第一支撑部302的底面相互平齐。该第二连接部311和第二支撑部312均具有一远离第二电极20设置的底面（未标示）。该第二连接部311的底面和第二支撑部312的底面相互平齐。进一步地，在本实施例中该第一支撑部302的底面与第一接引电极11的远离第一电极10的底面以及第一增厚部1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极,所述第一连接条包括若干位于相邻第一电极之间的第一连接部和若干位于第一电极底部并分别与相邻第一连接部连接的第一支撑部，所述第二连接条包括若干位于相邻第二电极之间的第二连接部和若干位于第二电极底部并分别与相邻第二连接部连接的第二支撑部；在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接部和第一支撑部均具有远离第一电极设置的底面，所述第一连接部的底面和第一支撑部的底面平齐，所述第二连接部和第二支撑部均具有远离第二电极设置的底面，所述第二连接部的底面和第二支撑部的底面平齐。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接条与第一电极共同围设出一开口朝向第二电极的第一成型槽，所述第一成型槽位于第一电极的底部，所述第二连接条与第二电极共同围设出一开口朝向第一电极并与第一成型槽相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：林厚德，陈滨全，陈隆欣，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44