在高频范围内作为电介质的微晶玻璃制造技术

本发明专利技术提供了一种如下的微晶玻璃，该微晶玻璃至少具有以下成分(以摩尔％计，基于氧化物)：SiO21～30、Al2O30～20、B2O30～25、TiO210～70、RE2O30～35、BaO5～35、SiO2+Al2O3+B2O3<25，其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且Ti可部分地、优选以最高达10％的比例由Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。在所述微晶玻璃中的主相为BaTi4O9或Ba4Al2Ti10O27。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供了一种如下的微晶玻璃，该微晶玻璃至少具有以下成分(以摩尔％计，基于氧化物)：SiO21～30、Al2O30～20、B2O30～25、TiO210～70、RE2O30～35、BaO5～35、SiO2+Al2O3+B2O3<25，其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且Ti可部分地、优选以最高达10％的比例由Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。在所述微晶玻璃中的主相为BaTi4O9或Ba4Al2Ti10O27。【专利说明】在高频范围内作为电介质的微晶玻璃
本专利技术涉及可在高频范围内(频率>200MHz)，更特别地在千兆赫范围内(频率f>lGHz)作为电介质使用的微晶玻璃。
技术介绍
对于高频范围内的一系列应用，需要组合极高的相对电容率ε与极低的介电损耗(tanS)的特殊材料。为了一方面允许小天线构造且另一方面防止由使用者身体(称为“身体荷载”)引起的近距离去谐，在天线、过滤器及其它装置情形下介电充电具有特殊的意义。对于该目的需要如下的电介质，其在高频范围内具有ε > 15的高相对电容率，以及不超过10_2、优选更低的低介电损耗(ta本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微晶玻璃，其至少包含以下成分(以摩尔％计，基于氧化物)：其中RE为镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti可以部分地、优选以最高达限定部分的10％由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔图·霍夫汉尼相，马丁·莱茨，戈登·基斯尔，
申请(专利权)人：肖特公开股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE