薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够有效减小薄膜晶体管沿平行于衬底基板方向的尺寸。该薄膜晶体管包括衬底基板以及倾斜设置于所述衬底基板上的倾斜部分。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置。
技术介绍
液晶显示器是一种平面超薄的显示装置，近年来，液晶显示器得到广泛发展，随之而来的是，对液晶显示器的性能提出越来越高的要求。其中，液晶显示器的主要性能指标为分辨率和开口率，而提高分辨率和开口率的主要方法为减小液晶显示器的不透光区域的尺寸。具体地，液晶显示器主要包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极等结构，彩膜基板包括黑矩阵和彩色滤色层等结构。其中，阵列基板上的薄膜晶体管、栅线、数据线以及彩膜基板上的黑矩阵所在区域为不透光区域。由于黑矩阵主要用于遮蔽薄膜晶体管、栅线和数据线等结构，其所在区域应与薄膜晶体管、栅线、数据线所在区域重叠，因此，薄膜晶体管、栅线、数据线的尺寸在很大程度上决定了液晶显示器的开口率和分辨率。专利技术人发现，现有技术中薄膜晶体管平行于衬底基板方向的尺寸较大，使得液晶显示器的不透光区域的尺寸较大，不利于提高液晶显示器的分辨率和开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置，能够有效减小薄膜晶体管平行于衬底基板的方向的尺寸。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，采用如下技术方案：一种薄膜晶体管，包括衬底基板，还包括倾斜设置于所述衬底基板上的倾斜部分。所述倾斜部分包括第一倾斜单元和第二倾斜单元，所述薄膜晶体管还包括平行于所述衬底基板设置的水平部分，所述水平部分的一端连接所述第一倾斜单元，所述水平部分的另一端连接所述第二倾斜单元，所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元向远离所述水平部分和所述衬底基板的方向倾斜。所述薄膜晶体管还包括依次设置于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；其中，所述有源层包括位于所述水平部分的有源层第一部分以及自所述有源层第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的有源层第二部分和有源层第三部分，所述源极连接所述有源层第二部分，所述漏极连接所述有源层第三部分；所述源极包括位于所述第一倾斜单元的源极第一部分和自所述源极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的源极第二部分；所述漏极包括位于所述第二倾斜单元的漏极第一部分和自所述漏极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的漏极第二部分。所述栅极仅包括平行于所述衬底基板的栅极第一部分，所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影完全落在所述栅极第一部分所在区域内。所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极上的导电的栅极扩展层，所述栅极扩展层包括位于所述水平部分的栅极扩展层第一部分以及自所述栅极扩展层第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的栅极扩展层第二部分和栅极扩展层第三部分。所述栅极包括位于所述水平部分的栅极第一部分以及自所述栅极第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的栅极第二部分和栅极第三部分。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括衬底基板以及倾斜设置于衬底基板上倾斜部分，从而有效减小了薄膜晶体管在平行于衬底基板方向的尺寸，减小了液晶显示器的不透光区域的尺寸，有助于提高液晶显示器的分辨率和开口率。为了进一步解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，采用如下技术方案：一种阵列基板包括以上任一项所述的薄膜晶体管。所述阵列基板还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有开口，所述开口的顶部尺寸大于所述开口的底部尺寸，所述薄膜晶体管的所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极第一部分和所述漏极第一部分位于所述开口内，所述源极第二部分和所述漏极第二部分位于所述开口外。所述阵列基板还包括位于所述有源层、所述源极和所述漏极上的第二绝缘层，所述第二绝缘层为硅的氧化物或者硅的氮化物，所述第二绝缘层上设置有对应于所述漏极的过孔。所述阵列基板还包括位于所述有源层、所述源极、所述漏极与所述第二绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层为绝缘树脂。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板上设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括衬底基板以及倾斜设置于衬底基板上的倾斜部分，从而有效减小了薄膜晶体管在平行于衬底基板方向的尺寸，进而有效减小了阵列基板上不透光区域的尺寸，有助于提高液晶显示器的分辨率和开口率。进一步地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一项所述的阵列基板。此外，本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，采用如下技术方案：一种薄膜晶体管的制作方法包括：在所述衬底基板上形成包括栅极的图形；在形成了包括所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成栅极绝缘层；在形成了所述栅极绝缘层的所述衬底基板上，形成包括有源层的图形；在形成了包括所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成包括源极和漏极的图形，以形成所述薄膜晶体管；其中，所述有源层包括位于所述水平部分的有源层第一部分以及自所述有源层第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的有源层第二部分和有源层第三部分，所述源极连接所述有源层第二部分，所述漏极连接所述有源层第三部分；所述源极包括位于所述第一倾斜单元的源极第一部分和自所述源极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的源极第二部分；所述漏极包括位于所述第二倾斜单元的漏极第一部分和自所述漏极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的漏极第二部分。形成的所述栅极仅包括平行于所述衬底基板的栅极第一部分，所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影完全落在所述栅极第一部分所在区域内；或者，形成的所述栅极包括位于所述水平部分的栅极第一部分以及自所述栅极第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜部分和所述第二倾斜部分的栅极第二部分和栅极第三部分。若形成的所述栅极仅包括平行于所述衬底基板的栅极第一部分，所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影完全落在所述栅极第一部分所在区域内，则在所述形成了包括所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成栅极绝缘层，之前还包括：在形成了包括所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成导电的栅极扩展层，所述栅极扩展层包括位于所述水平部分的栅极扩展层第一部分以及自所述栅极扩展层第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的栅极扩展层第二部分和栅极扩展层第三部分。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该薄膜晶体管的制作方法包括在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，有源层、源极和漏极都包括平行于衬底基板的部分和倾斜的部分，从而有效减小了薄膜晶体管在平行于衬底基板方向上的尺寸，进而减小了阵列基板上的不透光区域的尺寸，有助于提高液晶显示器的分辨率和开口率。此外，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，采用如下技术方案：一种阵列基板的制作方法包括以上任一项所述的薄膜晶体管的制作方法。所述阵列基板的制作方法还包括形成第一绝缘层，经过构图工艺使所述第一绝缘层形成包括开口的图形，所述开口的顶部尺寸大于所述开口的底部尺寸，所述薄膜晶体管的所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极第一部分和所述漏极第一部分位于所述开口内，所述源极第二部分和所述漏极第二部分位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括衬底基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括倾斜设置于所述衬底基板上的倾斜部分。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括倾斜设置于所述衬底基板上的倾斜部分；所述倾斜部分包括第一倾斜单元和第二倾斜单元，所述薄膜晶体管还包括平行于所述衬底基板设置的水平部分，所述水平部分的一端连接所述第一倾斜单元，所述水平部分的另一端连接所述第二倾斜单元，所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元向远离所述水平部分和所述衬底基板的方向倾斜；所述薄膜晶体管还包括依次设置于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；其中，所述有源层位于所述水平部分、所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元；所述源极包括位于所述第一倾斜单元的源极第一部分和自所述源极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的源极第二部分；所述漏极包括位于所述第二倾斜单元的漏极第一部分和自所述漏极第一部分延伸出的平行于所述衬底基板的漏极第二部分。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括有源层第一部分、有源层第二部分和有源层第三部分，所述有源层第一部分位于所述水平部分，所述有源层第二部分和所述有源层第三部分分别位于所述有源层第一部分两端延伸出的所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元，所述源极连接所述有源层第二部分，所述漏极连接所述有源层第三部分。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极仅包括平行于所述衬底基板的栅极第一部分，所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影完全落在所述栅极第一部分所在区域内。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极上的导电的栅极扩展层，所述栅极扩展层包括位于所述水平部分的栅极扩展层第一部分以及自所述栅极扩展层第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的栅极扩展层第二部分和栅极扩展层第三部分。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括位于所述水平部分的栅极第一部分以及自所述栅极第一部分两端延伸出的分别位于所述第一倾斜单元和所述第二倾斜单元的栅极第二部分和栅极第三部分。6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有开口，所述开口的顶部尺寸大于所述开口的底部尺寸，所述薄膜晶体管的所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极第一部分和所述漏极第一部分位于所述开口内，所述源极第二部分和所述漏极第二部分位于所述开口外。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源层、所述源极和所述漏极上的第二绝缘层，所述第二绝缘层为硅的氧化物或者硅的氮化物，所述第二绝缘层上设置有对应于所述漏极的过孔。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源层、所述源极、所述漏极与所述第二绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层为绝缘树脂。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-9任一项所述的阵列基板。11.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东升，陈宁，刘兴东，郭炜，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11