一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可使轻掺杂区的长度一致，从而避免漏电流过大的问题。薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；有源层包括第一多晶硅区、位于第一多晶硅区两侧的轻掺杂区、位于轻掺杂区一侧的重掺杂区；所述方法还包括：通过干法刻蚀，在栅电极和栅绝缘层之间形成阻挡层，阻挡层与第一多晶硅区对应；其中，形成有源层的轻掺杂区包括：在衬底基板上形成多晶硅层，包括第一多晶硅区、位于第一多晶硅区两侧的第二多晶硅区、位于第二多晶硅区一侧的第三多晶硅区；以覆盖第一多晶硅区的阻挡层为掩膜，对第二多晶硅区进行掺杂，形成轻掺杂区。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-Silicon-ThinFilmTransistor，简称LTPS-TFT)显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS的特点，使得其具有高的电子移动率；此外，还可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本，并可减少产品不良率。目前，所述低温多晶硅薄膜场效应晶体管的制备方法包括如下步骤：S101、如图1所示，在衬底基板10上形成多晶硅层20，所述多晶硅层20包括：所述第一多晶硅区201、位于所述第一多晶硅区201两侧的第二多晶硅区202、位于所述第二多晶硅区202远离所述第一多晶硅区201一侧的第三多晶硅区203。S102、如图2所示，在形成有所述多晶硅层20的基板上依次形成栅绝缘层30、栅金属薄膜和光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影后形成光刻胶完全保留部分401、光刻胶半保留部分402和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层、位于所述有源层上方的栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层包括第一多晶硅区、位于所述第一多晶硅区两侧的轻掺杂区、位于所述轻掺杂区远离所述第一多晶硅区一侧的重掺杂区；其特征在于，所述方法还包括：通过干法刻蚀，在所述栅电极和所述栅绝缘层之间形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一多晶硅区对应；其中，形成所述有源层的所述轻掺杂区包括：在衬底基板上形成多晶硅层，所述多晶硅层包括：所述第一多晶硅区、位于所述第一多晶硅区两侧的第二多晶硅区、位于所述第二多晶硅区远离所述第一多晶硅区一侧的第三多晶硅区；以覆盖所述第一多晶硅区的所述阻挡层为掩膜，对所述...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层、位于所述有源层上方的栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层包括第一多晶硅区、位于所述第一多晶硅区两侧的轻掺杂区、位于所述轻掺杂区远离所述第一多晶硅区一侧的重掺杂区；其特征在于，所述方法还包括：通过干法刻蚀，在所述栅电极和所述栅绝缘层之间形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一多晶硅区对应；在衬底基板上形成多晶硅层，所述多晶硅层包括：所述第一多晶硅区、位于所述第一多晶硅区两侧的第二多晶硅区、位于所述第二多晶硅区远离所述第一多晶硅区一侧的第三多晶硅区；其中，形成所述有源层的所述重掺杂区包括：在形成有所述多晶硅层、所述栅绝缘层和所述阻挡层的基板上，形成覆盖所述第一多晶硅区和所述第二多晶硅区的栅金属图案和位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓辉，张家祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11